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sic mosfet 文章 进入sic mosfet技术社区

Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线

  • 加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装(TO-247-4L)的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻,并配有一个开尔文源极端子,以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新
  • 关键字: Transphorm  高功率服务器  工业电力转换  氮化镓场效应晶体管  碳化硅  SiC  

安森美:紧握第三代半导体市场,助力产业 转型与可持续发展

  • 1 转型成功的2023得益于成功的战略转型,在汽车和工业市场增长的 推动下,安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。 其中,第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基 础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%,在第 二季度汽车业务收入超 10 亿美元,同比增长 35%,创 历史新高,第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录 收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域,安森美专注于 SiC,重点聚 焦于汽车、能源、电网基础设施等应
  • 关键字: 安森美  第三代半导体  碳化硅  SiC  

SiC 长期供货,理想签协议

  • 意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议。
  • 关键字: SiC  

如何增强系统鲁棒性?这三样法宝请您收下!

  • 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二极管以及其他更先进的器件。文中还介绍了一种集成多种功能以提供整体系统保护的理想二极管解决方案。二极管是非常有用的器件,对许多应用都很重要。标准硅二极管的压降为0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说,压降不是问题,但在高电流应用中,各个压降会产生显著的功率损耗。理想二极管是此类应用的理想器件。幸运的是,MOSFET可以取代标准硅二极管,并提供意想不到的应用优势。简介理想二极管使用低导通电阻功率开关(通常为MOSFET)来模拟二极管的单向
  • 关键字: MOSFET  二极管  功率开关  

SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能!

  • 过去,仿真的基础是行为和具有基本结构的模型。这些模型使用的公式我们在学校都学过,它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是,当涉及到功率器件时,这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。当今大多数功率器件不是横向结构,而是垂直结构,它们使用多个掺杂层来处理大电场。栅极从平面型变为沟槽型,引入了更复杂的结构,如超级结,并极大地改变了MOSFET的行为。基本Spice模型中提供的简单器件结构没有考虑所有这些非线性因素。现在,通过引入物理和可扩展建模技术,安森美(onsemi)使仿真精度
  • 关键字: 功率器件  Spice模型  SiC  仿真  

SiC MOSFET用于电机驱动的优势

  • 低电感电机有许多不同应用,包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关频率(50-100kHz)来维持所需的纹波电流。然而,对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)无法满足这些需求,如果是380V系统,硅MOSFET耐压又不够,这就为宽禁带器件开创了新的机会。在我们的传统印象中,电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件,而SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的
  • 关键字: 英飞凌  SiC  MOSFET  

NMOS和PMOS详解

  • 一、简介MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。其中,G是栅极,S是源极,D是漏极。二、nmos和pmos的原理与区别NMOSNMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
  • 关键字: MOSFET  NMOS  PMOS  

SiC是否会成为下一代液晶

  • 碳化硅作为下一代功率半导体的本命,进入了全面的市场拓展阶段。加上面向再生能源的市场,汽车使用市场的增长比最初的预想早了一年多,功率半导体的投资增长也显示出SiC的一方面。不久前,行业也有研究在300mm的SIC增产的动向。然而,解决SiC容量增强问题现在成为主流。这一趋势不仅限于日本和欧洲的功率半导体制造商。美国和中国之间的摩擦导致了SiC的国产化和量产化,这也是影响SIC的一方面。据电子器件行业报道,2023年9月7日,该公司表示,“中国SiC市场全方位战略已扩大工业化加速进入公司约100家。”中国Si
  • 关键字: SIC,液晶,半导体  

Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器

  • 美国加利福尼亚州圣何塞,2023年12月12日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能,保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器还具有高
  • 关键字: Power Integrations  短路保护  SiC  IGBT模块  门极驱动器  

ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

  • ~产品阵容新增具有低噪声、高速开关和超短反向恢复时间特点的5款新产品~全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”,新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。 近年来,随着照明用的小型电源
  • 关键字: ROHM  Super Junction MOSFET  

英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

  • 数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司顺应系统层面的发展趋势,推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置(Source-Down)封装,标准门级和门级居中引脚排列形式均提供底部冷却型和双面冷却型以供选择;此外,该产品组合还包含稳定可靠的超小型的PQFN
  • 关键字: 英飞凌  沟槽功率  MOSFET  

“四两拨千斤”,宽禁带技术如何颠覆性创新

  • 在半导体行业,新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力,轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中,宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽禁带技术将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本,因此将在数据中心、智能楼宇、个人电子设备等应用场景中为能效提升作出贡献。宽禁带材料让应用性能炸裂,怎么做到的?宽禁带材料的优势主要体现在:✦ 与传统的硅基半导体材料相比,宽禁带产品具有更宽更高的禁带宽度、电场强度,更高的击穿
  • 关键字: GaN  宽禁带  SiC  

Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准

  • 奈梅亨,2023年11月30日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后Nexperia将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高,可满足电动
  • 关键字: Nexperia  SiC  MOSFET  工业电源开关  

三菱电机将与安世携手开发SiC功率半导体

  • 11月,日本三菱电机、安世半导体(Nexperia)宣布,将联合开发高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发,将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度,同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。目前芯片供应量尚未确认,预计最早将于2023年内开始供应。公开消息显示,安世半导体总部位于荷兰,目前是中国闻泰科技的子公司。11月初,安世半导体被迫转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。尽管同属功率半导体公司,三菱电机与安世半导体的侧重点不同,前者以“多个离散元件组合
  • 关键字: 三菱电机  安世  SiC  功率半导体  

理想自研芯片进展曝光:在新加坡设立办公室,团队规模已超160人

  • 11 月 21 日消息,据晚点 LatePost 报道,在芯片自研方面,理想同时在研发用于智能驾驶场景的 AI 推理芯片,和用于驱动电机控制器的 SiC 功率芯片。报道称,理想目前正在新加坡组建团队,从事 SiC 功率芯片的研发。在职场应用 LinkedIn 上,已经可以看到理想近期发布的五个新加坡招聘岗位,包括:总经理、SiC 功率模块故障分析 / 物理分析专家、SiC 功率模块设计专家、SiC 功率模块工艺专家和 SiC 功率模块电气设计专家。报道还称,用于智能驾驶的 AI 推理芯片是理想目前的研发重
  • 关键字: 理想  自研芯片  新能源汽车  智能驾驶  AI  推理芯片  驱动电机  控制器  SiC  功率芯片。  
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