SanDisk公司近日宣布推出一款32GB超大容量的智能手机microSDHC存储卡产品，这款产品也是目前为止容量最大的手机存储卡。目前，智能手 机用外插MicroSD存储卡的容量最大只有16GB，不过这款32GB的大容量产品却正好可以满足苹果iPhone 3GS和谷歌Nexus One等手机的最大外插存储卡容量。此外，今年一月份，SanDisk--东芝闪存联盟的对手韩国厂商三星曾宣布会于本月开始批量销售32GB容量的 MicroSD卡产品。
这次SanDisk上市的32GB
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SanDisk 32nm 手机存储卡
据报道，包括威刚、创见、PQI劲永等在内的台湾闪存产品厂商以及闪存控制器厂商群联电子近期都已经开始从SanDisk公司购买NAND闪存晶圆。这意味着SanDisk已经从自有品牌闪存设备制造商，摇身一变成了NAND晶圆供应商。
据称，SanDisk已经从闪存制造合作伙伴东芝一道，成了多家台湾闪存产品厂商的上游供应商之一。实际上，自2008年起就有传言称SanDisk将对外供应NAND闪存，但在当时在全球闪存市场供求旺盛的状况下，SanDisk一致谨慎的实行自有品牌的战略。随着近一两年全球金融危机以
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据闪存业者透露，包括威刚，创见，劲永，以及闪存控制器制造商群联在内的多家台系闪存产品供应商已经开始从闪存芯片厂商SanDisk那里以成片晶圆的形式订货。消息来源并指出SanDisk与其合作伙伴东芝已经开始打入台系闪存产品市场，开始为以上这些台系闪存厂商供货。自从2008年9月份开 始，SanDisk要进入台湾闪存芯片市场的消息便开始流传，不过直到今天这个传言才变成现实。
SanDisk此前与部分台系闪存厂商之间曾因NAND闪存专利官司闹得不可开交，前者甚至还在美国起诉这些闪存厂商，不过现在San
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最近NAND闪存芯片产业内部的竞争激烈程度已经到了白热化的阶段，今年一月份，Intel-镁光联盟刚刚宣布将在今年量产25nm制程NAND闪存芯 片，其对手SanDisk-东芝联盟便随后以牙还牙，宣布将于今年下半年推出基于24nm制程的NAND闪存芯片产品。
据SanDisk公司展示的产品发展路线图显示，SanDisk-东芝联盟推出的24nm制程NAND闪存芯片将可适用于两位元存储单元设计和三位元存储单元设计。而Intel-镁光联盟的25nm制程则仅可适用于两位元存储单
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据悉，包括三星、LG、诺基亚等手机大厂第四季将上市销售的手机，已将MicroSD等NAND记忆卡列为标准内建配备，加上消费者扩充手机记忆卡的需求也明显转强，带动第四季记忆卡销售量大增。力成董事长蔡笃恭表示，MicroSD记忆卡封测产能吃紧现象将延续到明年1、2月。
NAND晶片大厂三星下半年开始跨足记忆卡市场，并与创见合作销售，新帝(SanDisk)也传出介入贴牌白卡市场，只是手机用小型记忆卡需采用较先进的基板打线封装(COB)制程，但两家大厂自有封测厂产能已多年未曾扩充，因此8、9月后已大量将
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美国内存大厂SanDisk近日公布第3季财报，意外由亏损转为强劲获利，主要由于销售额优于预期，以及先前减记的库存收入回补加持。这也反映了内存制造商持续受惠于闪存芯片市场好转趋势。
据国外媒体报道，SanDisk第3季由去年同期的亏损1.659亿美元或每股74美分，改善为获利2.313亿美元或每股99美分。去除特殊项目后，每股获利则为76美分，优于分析师预期的每股26美分。
该季营收增长14%至9.352亿美元，远优于公司今年7月份预估的介于7.25-7.75亿美元，以及分析师预期的7.87
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据国外媒体报道，芯片厂商SanDisk周二发布第三季度财报，利润为2.313亿美元，每股收益99美分;不计一次性损益项目，每股收益75美分;上年同期亏损1.659亿美元，每股亏损74美分;营收由上年同期的8.215亿美元增长至9.352亿美元，同比增长14%。
分析师预计SanDisk每股收益26美分，营收7.909亿美元。
SanDisk产品营收8.14亿美元，同比增长18%;授权和专利营收1.21亿美元，同比下滑8%。
SanDisk CEO伊莱-哈拉里(Eli Harari)将
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晟碟(SanDisk)今日推出了新的先进闪存芯片生产技术，旨在进一步帮助芯片生产商提高利润。
晟碟表示，已经开始向零售商供应采用这项名为X4的新技术的数据存储卡，这种存储卡包含容量为64G的闪存芯片，较当前市场上流通的芯片存储能力高出一倍。
晟碟称，X4技术将有助于降低闪存芯片的生产成本，从而提高该公司及其生产伙伴东芝的利润率。
晟碟总裁兼首席营运长Sanjay Mehrotra表示，该公司将采用了X4技术的芯片植入现有存储卡内，但并未在产品标签上作出区分，定价也没有变化，从而实现了
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据业者透露，东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能，直至达到20万片的产能水平。
东芝公司最近已经开始32nm制程3bpc(每存储单元3bit数据)闪存芯片的量产，按原先的计划，合资的四日市芯片厂32nm制程芯片的产量应在今年底前达到总产量的50%左右，不过按目前的产能规划来看，实际的量产实施时间看来已经会有所拖延。
另一方面，对手In
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据国外媒体报道，韩国三星电子周四宣布，不再寻求收购SanDisk公司。两家公司在今年5月曾签署了一份专利授权协议，以此终止了双方在闪存市场上的法律纠纷。
2008年，三星电子提出以58.5亿美元收购Sandisk。但该收购要约立刻遭到了SanDisk的回绝，称这一价格过低。三星电子在提交的文件中称，公司随后于2008年10月22日放弃了这笔交易，之后并未再采取任何行动。
双方在今年5月签署了专利授权协议。该协议允许三星公司获得SanDisk的关键专利，用于其闪存芯片技术开发。这份协议涉及的
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在全球金融危机影响下，由于市场的萎缩导致大部分企业都不甚景气，向来红火的半导体业也感觉压力深重。在探讨未来如何发展之中，发现各种矛盾丛生，似乎很难作出决断。
投入多产出少，能持久吗?
SanDisk CEO Eli Harari于近期阐述了自己对于NAND闪存技术未来发展的几点看法，认为NAND闪存产业正处在十字路口，未来的产能需要和产品需求两者之间脱节，也即每年投资巨大, 然而由于ASP下降导致销售额没有相应的增大，利润越来越薄,目前糟糕的NAND闪存产业模式使得制造厂商对于建新厂已逐渐
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在今后的2年～3年内，NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度。具体来说，到2011年～2012年，通过采用2Xnm的制造工艺与3位/单元～4位/单元的多值技术，NAND闪存很有可能实现128Gb的容量。
但是，如果要实现超过128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技术。目前正在量产的NAND闪存通常都使用浮栅结构的存储单元。许多工程师也认为，2011年～2012年将量产的2Xnm工艺及其后的20nm工艺仍可采用现有的浮栅结构的存储单元。但据SanDisk公司分析，当工艺发展到20nm以下时，从
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NAND闪存产业正处在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari称未来的产能需要和产品需求“失去了关联”。NAND闪存糟糕的产业模式使厂商对建新厂失去兴趣。
积极地来看，Harari称2013年NAND闪存位需求将达10万petabyte(PB，1 peta=100万Giga)，而现在为7000PB。当前和未来的NAND闪存需求让将爆炸性增长，其中包括最有潜力的市场驱动力——嵌入式移动应用市场。
Harari在闪存峰会的主题演讲中
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据国外媒体报道，正准备抢攻快速成长上网本市场的SanDisk，在周二台北电脑展上发布了新款闪存产品。
SanDisk此次推出SDHC闪存记忆卡，以及固态硬盘PSSD，共P2及S2两款产品。SanDisk的竞争对手包括美光、三星电子、海力士等。
SanDisk公司所推出的固态硬盘，特别适合用于以ARM微处理器为核心的上网本，不过SanDisk高管指出，该产品也可以用在以英特尔Atom为核心的系统。固态硬盘是使用闪存作为储存媒介，耗电量较传统硬盘低。
SanDisk认为，闪存芯片速度更快
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消息称,闪存产品厂商SanDisk首席执行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未来5年后摩尔定律将会失效.
摩尔定律是英特尔联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)1965年提出的,内容是:芯片上集成的晶体管数量每两年将翻一番.哈拉里说,闪存容量在过去19年中翻了14番,远高于摩尔定律,但闪存芯片容量可能还只能再翻两番.
哈拉里表示,闪存芯片容量将受限于每个存储单元的电子数量.最初,每个存储单元的电子数量数以百万计,现在已经减少到了数百个.哈拉里
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sandisk介绍
公司介绍
SanDisk 公司是全球最大的闪速数据存储卡产品供应商。该公司由非易失性存储技术领域的国际权威Harari Eli博士在1988年创立。1995年11月，SanDisk成为了一家公开上市的公司，其纳斯达克股票代码为SNDK。2004年，SanDisk公司收入达到18亿美元。目前，公司在全球范围内拥有超过3000名雇员。公司总部设在美国加利福尼亚州的苗必达市。SanDisk的产品目 [
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