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FPGA最小系统之:最小系统的概念

  • FPGA最小系统是可以使FPGA正常工作的最简单的系统。它的外围电路尽量最少,只包括FPGA必要的控制电路。一般所说的FPGA的最小系统主要包括:FPGA芯片、下载电路、外部时钟、复位电路和电源。如果需要使用NIOS II软嵌入式处理器还要包括:SDRAM和Flash。一般以上这些组件是FPGA最小系统的组成部分。
  • 关键字: FPGA最小系统  Altera  NiosII  Flash  SDRAM  

基于FPGA的水声信号高速采集存储系统的设计与实现

  • 介绍了一种基于FPGA的水声信号数据采集与存储系统的设计与实现,给出了系统的总体方案,并对各部分硬件和软件的设计进行了详细描述。系统以FPGA作为数据的控制处理核心,以存储容量达2 GB的大容量NAND型Flash作为存储介质。该系统主要由数据采集模块、数据存储模块和RS-232串行通信模块组成,具有稳定可靠、体积小、功耗低、存储容量大等特点,实验证明该系统满足设计要求。
  • 关键字: 数据采集  Flash  FPGA  

基于FPGA的测量数据存储交换技术

  • 以AT45DB041B为例,将FPGA和大容量串行flash存储芯片的优点有效地结合起来,实现了FPGA对串行存储芯片的高效读写操作,完成了对大量测量数据的存储处理和与上位机的交换,并在某电力局项目工频场强环境监测仪中成功应用。
  • 关键字: Flash  串行存储  FPGA  

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系统的设计与实现

  • TFFS文件系统中的Core Layer内核层可将其他层连接起来协同工作;翻译层主要实现DOS和TFFS之间的交互、管理文件系统和Flash各个物理块的关系,同时支持TFFS的各种功能,如磨损均衡、错误恢复等;MTD层执行底层的程序驱动(map、read、write、erase等);socket层的名称来源于可以插拔的socket存储卡,主要提供与具体的硬件板相关的驱动。
  • 关键字: 文件系统  Flash  SOCKET  

Flash硬件接口和程序设计中的关键技术

  • 闪速存储器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等诸多优点广泛地应用于办公设备、通信设备、医疗设备、家用电器等领域。介绍了Flash的使用方法,并给出了单片机与闪速存储器接口和程序设计中应注意的关键技术。
  • 关键字: 编程  接口  Flash  擦除  

大容量NOR Flash与8位单片机的接口设计

  • Flash存储器又称闪速存储器,是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点,既可以在线擦除、改写,又能够在掉电后保持数据不丢失。NOR Flash是Flash存储器中最早出现的一个品种,与其他种类的Flash存储器相比具有以下优势:可靠性高、随机读取速度快,可以单字节或单字编程,允许CPU直接从芯片中读取代码执行等。因此NOR Flash存储器在嵌入式系统应用开发中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51单
  • 关键字: NOR  Flash  接口  单片机  

F1aSh存储器在TMS320C3X系统中的应用

  • 以基于TMS320C32 DSP开发的故障录波装置为模型,介绍AMD公司的Flash存储器Am29F040摘 要 的原理和应用;利用它的操作过程实现断电后仍然可以将子程序保存在F1ash存储器内的特 性,结合TMS320C3x提出实现DSP系统上电后用户程序的自动引导的方法。
  • 关键字: DSP  Flash  TI  

Flash数据丢失,说好的数据去哪了?

  • 芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能无法正常运行,从而造成整个系统崩溃,下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
  • 关键字: 电源电压  Flash  MCU  

麦格理分析师:DRAM和Flash价格会持续涨到年底

  •   据外媒报道,存储芯片市场上周出现降温杂音,麦格理分析师Daniel Kim提出反驳。   他认为下半年DRAM和NAND价格仍会续涨,有利美光、西部数据、三星、南亚科、力成、东芝和SK海力士股价。   据巴隆周刊(Barron's)报导,Daniel Kim发布报告说:「所有数据和消息都表明存储芯片市场今年下半年会比预期更强。 」他看好存储芯片价格会持续涨到今年底。   整体来说,Daniel Kim认为芯片价格上涨,即暴露看空论点的瑕疵。   他指出,建构数据中心的厂商「重视的是系统的表现而
  • 关键字: DRAM  Flash  

盘点+分析:Flash原厂2016年财报

  • 2016年Flash原厂加速向3D NAND切换,除了研发成本增加,切换过程中也很容易出现产能损失,同时还需要更新旧设备,增加新设备,以及扩大生产空间,从而导致Flash原厂NAND Flash产出减少,以及投资成本增加。
  • 关键字: Flash  三星  

大陆韩国扩产竞赛 Flash后年产能恐过剩

  •   储存型快闪存储(NANDFlash)军备竞赛再起,南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元),在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂,也预定本月底正式动土,都为2018年供给过于求再现,埋下隐忧。   目前各市调机构均看好明年NANDFlash仍处于供不应求局面,但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂,在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元,扩充产能,希望市占率能赶上三星,但也为NANDFlash市场投下新变数。   稍早三星和美光也都
  • 关键字: Flash  晶圆  

为满足NAND Flash市场需求 SK海力士建新厂

  •   SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂,满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设,2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备,总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。     SK海力士表示,公司决定额外的新建一座Fab工厂,主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长,以及引导向3D NAND发展。加之,考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年,所以提前做好准备。   SK海力士曾在20
  • 关键字: NAND Flash  SK海力士  

Flash数据为何不翼而飞

  •   芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能无法正常运行,从而造成整个系统崩溃,下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。        1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写  例如,在有对Flash写入或擦除操作的代码中,如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数,这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况,可以在程序中设置多个允许操作的变量,当执行写入或擦除操作时,对
  • 关键字: Flash  芯片  

NAND Flash供不应求,第三季品牌商营收大幅季成长19.6%

  •   TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示,受惠于智能手机需求强劲,及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少,第三季NAND Flash开始涨价,使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%,营业利益率也较上季大幅进步。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,第四季各项终端设备出货进入今年最高峰,预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著,各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高,厂商的营收
  • 关键字: NAND Flash  英特尔  

Flash缺货,存储器成为三星的摇钱树

  •   NAND Flash缺货,加上SSD可能是新款电子产品的重要选择,缺货现象可能延续到2017Q1。(法新社)   根据DIGITIMES的报导,NAND Flash缺货,加上SSD可能是新款电子产品的重要选择,缺货现象可能延续到2017Q1以后。估计2017年DRAM供应量成长率是15%,比2016年的32%低很多,而Flash更是从67%暴跌至35%。更值得注意的是,2016年投资金额为10兆韩元的记忆体产业,2017年将增加至13兆韩元,其中4兆韩元用于DRAM,Flash则约9兆韩元,远不如原
  • 关键字: Flash  存储器  
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