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nor flash 文章 进入nor flash技术社区

第四季NAND Flash合约价季涨幅预估8~13%

  • 据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示,由于供应商严格控制产出,NAND Flash第四季合约价全面起涨,涨幅约8~13%。展望2024年,除非原厂仍能维持减产策略,且服务器领域对Enterprise SSD需求回温,否则在缺乏需求作为支撑的前提下,NAND Flash要延续涨势将有难度。Client SSD方面,由于原厂及模组厂均积极涨价,促使PC OEM欲在价格相对低点预备库存,采购量会较实际需求量高。而供应商为扩大位元出货量,已在第三季推出促销,故Client SSD价格没有
  • 关键字: NAND Flash  TrendForce  

消息称三星电子计划从下月起大幅提高 NAND 闪存价格

  •  10 月 6 日消息,据韩媒 Business Korea 报道,三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低,公司计划今年四季度起,调涨 NAND Flash 产品的合约价格,涨幅在 10% 以上,预计最快本月新合约便将采用新价格。▲ 图源韩媒 Business Korea自今年年初以来,三星一直奉行减产战略,IT之家此前曾报道,三星的晶圆产量大幅下降了 40%,最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域,之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量,眼下正试图推动
  • 关键字: 三星  NAND  flash  涨价  

集邦咨询:2023Q4 NAND 价格预估增长 3-8%,DRAM 要开启增长周期

  • IT之家 9 月 27 日消息,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道,伴随着主要存储制造商的持续减产,已经市场去库存效果显现,预估 NAND Flash 价格回暖之后,DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损,2023 年以来已经进行了多次减产,目前相关效果已经显现,消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹,9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产,主要集中在 128 层以下产品中,在 9 月产量下降了
  • 关键字: 存储  DRAM  NAND Flash  

第二季NAND Flash营收环比增长7.4%,预期第三季将成长逾3%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示,第二季NAND Flash市场需求仍低迷,供过于求态势延续,使NAND Flash第二季平均销售单价(ASP)续跌10~15%,而位元出货量在第一季低基期下环比增长达19.9%,合计第二季NAND Flash产业营收环比增长7.4%,营收约93.38亿美元。自第二季起,三星(Samsung)加入减产行列,且预期第三季将扩大减产幅度,供给收敛的同时也在酝酿涨价,供过于求态势有望因此获得改善。不过,由于NAND Flash产业供应商家数多,在库存仍高的情
  • 关键字: NAND Flash  TrendForce  

NAND Flash第四季价格有望止跌回升

  • 近日,三星(Samsung)为应对需求持续减弱,宣布9月起扩大减产幅度至50%,减产仍集中在128层以下制程为主,据TrendForce集邦咨询调查,其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度,目的加速库存去化速度,预估第四季NAND Flash均价有望因此持平或小幅上涨,涨幅预估约0~5%。价格方面,如同年初TrendForce集邦咨询预测,NAND Flash价格反弹会早于DRAM,由于NAND Flash供应商亏损持续扩大,销售价格皆已接近生产成本,供应商为了维持营运而选择扩大减产,以期带动价
  • 关键字: NAND Flash  Wafer  TrendForce  

行业库存情况如何?国内一存储厂商回应

  • 近日,存储器芯片供应商普冉股份披露投资者关系活动记录表。关于NOR Flash行业库存情况,普冉股份表示,NOR Flash终端客户的原厂库存以及渠道库存已经几近健康,设计原厂的库存调整也逐步接近尾声。接下来一段时间,各厂商依然会采取适当的降价策略去化库存。但随着行业库存逐步健康,行业格局逐步出清,预计下半年会持续向好,价格也会逐步回归平稳态势,公司将密切关注后续市场走势。普冉股份强调,公司将积极地进行战略盘整,持续调整以应对市场的迅速变化。面对激烈的行业竞争格局,机遇与挑战并存,公司会充分发挥公司的
  • 关键字: 存储  普冉股份  NOR Flash  

NAND 原厂过够了「苦日子」,有晶圆合约成功涨价 10%

  • 厂家期待触底后的反弹早日到来。
  • 关键字: NAND Flash  

基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现

  • 传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据,会覆盖上次存储的数据,无法进行数据的连续存储。针对该问题,本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间,记录最新分区信息,将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图,并进行了验证。
  • 关键字: 202308  NAND Flash  FPGA  分区  起始地址  

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!

  • 简单解释ROMROM:只读存储器,内容写入后就不能更改了,制造成本比较低,常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios,在系统装好的电脑上时,计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存,然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。PROM:可编程程序只读存储器,但是只可以编写一次。EPROM:可抹除可编程只读存储器,可重复使用。EEPROM:电子式可抹除可编程只读存储器,类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。RAMRAM:随机存取存储器,也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器
  • 关键字: ROM  RAM  FLASH  DDR  EMMC  

6月中国市场NAND Flash Wafer部分容量合约价有望小幅翻扬

  • 据TrendForce集邦咨询调查,5月起美、韩系厂商大幅减产后,已见到部分供应商开始调高wafer报价,对于中国市场报价均已略高于3~4月成交价。因此,TrendForce集邦咨询预估6月在模组厂启动备货下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反弹,结束自2022年5月以来的猛烈跌势,预期今年第三季起将转为上涨,涨幅约0~5%,第四季涨幅将再扩大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等产品库存仍待促销去化,现阶段价格尚未有上涨迹象。下半年旺季备货周期将至,尽管今
  • 关键字: NAND Flash  Wafer  TrendForce  

传铠侠/西数合并进入最终阶段 NAND Flash营收或超三星?

  • 近日,据日本共同社消息,日本存储器大厂铠侠与合作方美国西部数据的合并经营已经进入最终收尾调整阶段。目前,作为全球知名的存储器厂商,铠侠和西部数据既是竞争对手又是合作伙伴,目前两家公司正在共同运营岩手县北上市和三重县四日市的工厂。报道引用相关人士消息称,铠侠和西部数据正在探讨出资设立新公司、统一开展半导体生产及营销的方案等,未来双方将进行经营合并,拟由铠侠掌握主导权,关于出资比率等将继续探讨。报道称,由于面向智能手机等的半导体行情疲软、业绩低迷,铠侠和西部数据此举意在提升经营效率并提高竞争力。资料显示,铠侠
  • 关键字: 铠侠  西数  NAND Flash  三星  

DDR5 重新下跌,内存现货价格未见回暖

  • 业界对 DDR5 DRAM 的市场预期不太乐观。
  • 关键字: NAND Flash  NAND  DDR5  

需求持续下修,第一季NAND Flash总营收环比下跌16.1%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示,第一季NAND Flash买方采购动能保守,供应商持续透过降价求售,但第一季NAND Flash位元出货量仅微幅环比增长2.1%,平均销售(ASP)单价季减15%,合计NAND Flash产业营收约86.3亿美元,环比减少16.1%。SK集团(SK hynix & Solidigm)及西部数据(WDC)量价齐跌,冲击营收表现,环比下降均逾两成。SK集团受淡季及削价竞争影响,第一季NAND Flash营收仅13.2亿美元,环比减少24.8%
  • 关键字: 集邦  NAND Flash  

兆易创新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

  • 中国北京(2023年5月16日) —— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度仅为0.4mm,容量高达128Mb,是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品,可在应对大容量代码存储需求的同时,提供极大限度的紧凑型设计自由。近年来,随着物联网、可穿戴、健康监护、网通等应用的快速发展,市场需求变化多样,不仅要在精致小巧的产品形态中
  • 关键字: 兆易创新  超小尺寸  SPI NOR Flash  

复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品

  • 4月27日,上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会,推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺,具备低功耗、
  • 关键字: 复旦微电  NAND Flash  EEPROM  存储器  
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nor flash介绍

NOR Flash存储器   NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存 [ 查看详细 ]

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