- TDK公司日前宣布开发出兼容串行ATA (SATA) II的NAND闪存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并计划于五月份开始销售。
TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率达95MB/S的高速访问。该产品支持2KB/页和4KB/页结构的SLC(单层单元)内存以及MLC(多层单元)NAND闪存，可用于制造容量为128MB至64GB的高速SATA存储。因而，GBDriver RS2可广泛用于各种应用领域，从SATADOM1及其他的嵌入式存储器，到视听设
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TDK NAND
- 在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定，但iSuppli公司认为，这些厂商不会在近期真正恢复需求与获利能力。
继第一季度全球DRAM与NAND闪存营业收入比去年第四季度下降14.3%之后，这些产品市场将在今年剩余时间内增长。第二季度DRAM与NAND闪存营业收入合计将增长3.6%，第三和第四季度分别增长21.9%和17.5%。
图4所示为iSuppli公
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iSuppli NAND DRAM
- 瑞萨科技公司（以下简称“瑞萨”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存储器微控制器（Flash微控制器）。这个系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成员，它为AC伺服、FA（工厂自动化）设备、楼宇自动化（空调和电力监控设备）和各种通信设备等工业应用实现了200 MHz操作和大量内置式外设及通信功能。SH7216系列包含12个产品群的36款器件，其片上存储器容量和封装类型各有不同。
这些产品的主要特性如下：
(1) 达到
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瑞萨 RISC 32MCU Flash SuperH
- 针对NAND闪存产业，研究机构集邦科技最新研究报告指出，三星可望稳居今年全球市占率龙头宝座，而海力士则因大幅减产，市场占有率恐将下滑剩下10%，落居第5名。
集邦科技根据各NAND Flash供货商目前的制程技术、产能、营运状况分析指出，三星因拥有较大产能，同时制程持续转往42纳米及3x纳米，预期今年市占率 40%以上居冠，日本东芝与美商SanDisk联盟的产能利用率略降，但制程技术也将转往 43纳米及32纳米，预期东芝今年的市场占有率约在30%以上居次。
集邦科技表示，市场占有率第三和第
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海力士 NAND 晶圆
- 以提供多种基于Flash和反熔丝技术的低功耗、高可靠性单芯片FPGA而著称的Actel公司，在全球经济出现下滑的2008...
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FPGA Flash LCD
- 4月15日消息 据韩国媒体报道 苹果最近向韩国三星电子与海力士两家公司下单，要求供应7000万颗NAND型闪存芯片，用于生产iPhone和iPod。此次订单较去年大涨了八成，引发苹果可能推出新一代iPhone的联想
韩国时报指出，有可靠的消息来源透露“三星电子被要求供应5000万颗8Gb的NAND型闪存芯片给苹果，而海力士也将供应2000万颗。”
部分分析师认为，苹果这次大规模订单，将刺激韩国芯片厂商业绩，同时，也有助于全球芯片产业早日复苏。
分析师还指出，N
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三星 NAND 芯片
- IBM的技术专家Geoff Burr曾说过，如果数据中心的占地空间象足球场那么大，而且还要配备自己的发电厂的话，那将是每一位首席信息官最害怕的噩梦。然而，如果首席信息官们现在不定好计划将他们的数据中心迁移到固态技术平台的话，那么10年以后他们就会陷入那样的噩梦之中。
这并非危言耸听，过去的解决方案现在已经显露出存储性能和容量不足的现象，这就是最好的证明。以前，如果需要更多的性能或容量，企业只需在数据中心添加更多的传统硬盘就可以了，而且那样做也很方便。现在，Geoff Burr在2008年发表的一
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IBM NAND 固态存储
- 美国明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球领先的半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司(纳斯达克：FSII)今日宣布：一家主要的存储器制造商将FSI 带有独特ViPR™全湿法无灰化清洗技术的ZETA®清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETA ViPR技术在自对准多晶硅化物形成过程所带来的益处非常了解。该IC制造商就这一机台在先进的NAND制造中可免除灰化引发损害的全湿法光刻胶去除能力进行了评估。客户
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FSI NAND 存储器
- 全球领先的半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司(纳斯达克：FSII)日前宣布：一家主要的存储器制造商将FSI 带有独特ViPR全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETA ViPR技术在自对准多晶硅化物形成过程所带来的益处非常了解。该IC制造商就这一机台在先进的NAND制造中可免除灰化引发损害的全湿法光刻胶去除能力进行了评估。客户对制造过程中无灰化光刻胶剥离法、实现用一步工艺替代灰化-清洗两步工艺的机台能力给予肯定。除了
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FSI 半导体 NAND
- 3月21日消息，内存厂商预计Windows 7的将推动NAND闪存芯片的需求，因为这种新的操作系统为利用固态硬盘进行了优化。在当前的市场不确定的情况下，优化固态硬盘以便适应Windows 7已经成为固态硬盘厂商和笔记本电脑厂商的重点。
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闪存 NAND 芯片
- 集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(闪存)合约价格呈现上扬，现货价格方面却已经开始下跌；然而，目前现货市场仍处于多空未明状态，观望气氛浓厚，买家不敢贸然抢进。
集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合约均价约上涨8%到36%，SLC合约价则维持平盘，价格上涨的主要原因是今年首季国际大
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集邦 NAND Flash
- 据EE Times网站报道，市场研究公司DRAMeXchange的分析显示，全球NAND flash产能继2008年减少近28%之后，2009年将再降59%。
2009年NAND flash位增长幅度将较2008大64%，而2007年位增长率高达133%。如果需求在下半年恢复且供应商控制其产出增长，那供应过剩的局面可能得到改善，NAN
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DRAMeXchange flash
- 市调机构DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌厂商公布去年第四季暨全年营收排名出炉，SAMSUNG以46亿1千4百万美元，市占率为40.4％，蝉联第一宝座 观察2007年与2008年NAND Flash品牌市场变化，2007年品牌厂商全年营收约为133亿6千8百万美元，2008年则为114亿1千8百万美元，年营收下跌14.6％，2008年平均销售价格较2007年下跌63％。
Toshiba以全年营收为32亿5百万美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
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