作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
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三星 SK海力士 DRAM NAND
作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND，1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi
Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3
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三星 V-NAND 存储密度
IT之家 11 月 7 日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，
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V-NAND 闪存 三星
NAND 闪存用于各种消费和工业产品，从笔记本电脑和手机到工业机器人、医疗设备和嵌入式物联网设备，如传感器和控制器。 在我们日益互联的世界中，这些应用程序中的所有脆弱点都需要足够和强大的安全措施，包括数据存储系统。 因此，在选择或设计 NAND 闪存存储系统时，必须确保存储器的安全性满足应用程序的要求。执行现代安全技术需要足够的处理能力。 作为存储系统的“大脑”，NAND闪存控制器必须足够强大以支持整个存储系统所需的安全级别。 本文概述了 NAND 闪存的安全性，涵盖了最常见的硬件和软件技术，有助于告知读
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存储系统 数字安全 海派世通 NAND
近日，SK海力士考虑“撤出中国”、“转移中国工厂设备”等消息引发业界高度关注，对此，SK海力士于10月26日就中国工厂运营作出澄清说明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度业绩发表会上，针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境，作出了可能会考虑应急方案(Contingency Plan)的原则性回复。其中，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，SK海力士澄清并未研究过与此相关的具体计划。另外，针对美国对芯片设备出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
SK海力士于10月12日通过声明表示，公司完成与美国商务部进行协商，确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。借此，SK海力士预期将能够在接下来一年内不获取美方个别许可的前提下为中国工厂保障生产设备的供应，进而维持在中国的生产经营。SK海力士表示：“公司与美方圆满完成了就在中国持续生产半导体产品的协商。SK海力士将继续与韩国政府及美国商务部紧密合作，在遵循国际原则的前提下为保障中国工厂的运营尽最大的努力。”美国商务部先前于10月7日发布称，将限制用于在中国生产18纳米以下
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SK海力士 DRAM NAND
如何开发出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同时容量更大的闪存产品，这是美光研发工程师每天都要应对的挑战。随着各国对数字化转型和云迁移的重视，世界对存储容量和性能的要求越来越大。美光正在迎接这一创新变局。这些变化体现在异构计算、边缘计算、数据中心、金融系统实时大数据更新，以及移动设备、消费电子、汽车信息娱乐系统带来智能化沉浸式体验。美光232层NAND技术为这些高性能存储应用环境提供了可能。优秀的架构，高效优化存储颗粒的使用空间和密度 美光推出的全球首款232层NAND基于CuA架构，通过增加NAN
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美光 232层 NAND 存储技术
根据集邦科技研究显示，目前NAND Flash正处于供过于求，下半年起买方着重去化库存而大幅减少采购量，卖方开出破盘价以巩固订单，使第三季NAND晶圆（wafer）价格跌幅达30～35％，但各类NAND Flash终端产品仍疲弱，原厂库存因此急速上升，预期将导致第四季NAND Flash总体平均价格跌幅扩大至15～20％。集邦表示，因为需求低迷导致NAND Flash下半年价格大跌，多数原厂的NAND Flash产品销售也将自今年底前正式步入亏损，意即部分供货商在运营陷入亏损的压力下，对于采取减产以降低亏
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集邦 NAND Flash
市调机构表示，在高通胀影响下，消费性产品需求疲软且旺季不旺，第三季DRAM位消耗与出货量持续呈现季减，各终端买方因需求明显下滑而推迟采购，导致供货商库存压力进一步升高。同时，各DRAM供货商为求增加市占的策略不变，市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形，导致第四季DRAM价格续跌13％～18％。标准型DRAM方面，由于笔电需求疲弱，OEM厂仍将着重去化DRAM库存，而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下，未有实际减产情形，故位产出仍持续升高，供货商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来
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集邦 DRAM NAND
IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，苹果召开新品发布会，正式发布了 iPhone 14 系列手机，起价 5999 元。在此之前，韩媒消息称中国厂商长江存储已经进入苹果供应链，将供货 iPhone 14 系列 NAND 闪存。后续苹果也承认正考虑从长江存储采购 NAND 芯片，但仅会用于在中国销售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，苹果高度依赖三星电子、SK 海力士等韩国存储芯片厂商。因此，市场观察人士认为，苹果与长江存储合作，将使他们 NAND 闪存的供应商进一步
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根据市场研究机构TrendForce最近发布的报告显示，在2022年二季度全球NAND Flash闪存市场中，三星电子与SK海力士拿下了全球52.9%的市场份额。根据数据显示，2022年二季度三星电子NAND销售额为59.8亿美元，环比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因为对英特尔NAND闪存业务收购的完成，2022年二季度销售额位36.15亿美元，环比增长12.1%，超越了铠侠，成为了全球第二大NAND闪存厂商，两家韩国厂商已经那拿下了全球NAND市场52.9%的份额。
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NAND 内存
江波龙（股票代码：301308）近期发布了中国大陆首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龙完全自主研发，能够极大地帮助客户降低整机系统成本，并提升终端的产品竞争力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量产，在智能穿戴、物联网模块、安防监控、网络通讯等领域得到广泛应用。加量减价，降本与增效兼得替换256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳选择根据系统存储容量需求的不同，客
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业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平，在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。 随着物联网技术的发展，新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求，这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求，希
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兆易创新 1.2V SPI NOR Flash
据国外媒体报道，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，预计会在年内开始生产236层NAND闪存。此外，它还计划在本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND闪存产品的开发。韩国媒体在报道中还表示，三星目前量产的NAND闪存，最高是176层，在236层的产品量产之后，三星电子NAND闪存的层数就将创下新高。从韩国媒体的报道来看，三星电子对即将量产的236层NAND闪存寄予了厚望。他们在报道中就表示，在NAND闪存市场，三星电子的市场份额占了35%，为全球最高。将层数增加60层后，他们计划凭借生产技术、价格及
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半导体行业十分有趣，同时也充满挑战。俗话说，“打江山难，守江山更难”，这句话形容半导体行业十分贴切。我们需要顶住重重压力，不断突破物理、化学、制造和创新的极限，以推动逻辑、内存、存储等计算器件的发展。如何开发出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同时容量更大的闪存技术是我们每天都要应对的挑战。美光凭借3D NAND新技术与率先推出的新产品再攀高峰，借此机会让我们回顾美光取得的辉煌成就。 美光一直以来被公认为3D NAND技术的领导厂商，之前我们推出了业内首款176层替换栅极NAND技术，再次
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美光 232层 NAND
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