首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> nand闪存

nand闪存 文章

IMFT推出20纳米制程的NAND闪存

  •   日前,英特尔(Intel)与美光(Micron)合资成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20纳米制程生产之128GB NAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GB NAND闪存也将进入量产;128GB NAND闪存预计于2012年进行量产。   20纳米制程之128GB NAND Flash由英特尔与美光合资成立之IMFT所发展出来。该128GB NAND Flash为多层(multilevel)单元,英特尔与美光并未透露一个单元含有多少位(bit)。128GB NAND
  • 关键字: IMFT  NAND闪存  

三星有可能在中国建芯片厂

  •   日前消息称,三星计划投资约35亿美元,在中国开办芯片工厂,并于2013年投入营运。据该公司一份监管档中表示,工厂将采用先进的20纳米技术,生产NAND闪存芯片,但并未透露该座新工厂的地址和具体投资金额。   如果建厂计划获得中国官方批准,该工厂将是三星继美国德州奥斯汀之后的第2座海外芯片制造工厂,三星还计划在中国建立平板显示屏幕生产基地。   韩国新韩投资公司分析师金永灿预计,三星将为中国新厂投资4兆韩元(约合35亿美元)至5兆韩元。   三星表示,已经就在外国投建生产基地向韩国政府提交申请,后
  • 关键字: 三星  NAND闪存   

20nm最强制程 三星造出8Gb相变内存颗粒

  •   来自SemiAccurate网站的消息称,三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒,采用移动设备中常用的LPDDR2界面,此前制造的1Gb相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb,是它的1/8。   新的内存颗粒最大的亮点是采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造,几乎达到了包括相变内存在内的所有DDR内存以及NAND闪存的极限。   相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点,具有断电不掉数据,耐久性好,速度快等优点;根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。   预
  • 关键字: 三星  NAND闪存  内存   

苹果代工:三星、台积电一个都不想少

  •   市场上有关苹果打算把其ARM-basediPad处理器的代工厂三星给拉下,或至少在下一代处理器A6把三星给换掉的传言满天飞。台积电是呼声甚高的替代人选。但除此之外,最近开始切入代工业务的英特尔,也成为被讨论的对象之一。   
  • 关键字: 苹果  NAND闪存  

NAND闪存高级制程技术量产后才有意义

  •   尽管NAND闪存厂商都在积极向亚30nm制程转移,但按闪存业者的看法,只有将这些高级制程投入量产使用才较有实际意义。NAND闪存产品向更高级制程节点转移时,所需的产品验证时间越来越长,便是这一看法的明证之一。   
  • 关键字: 镁光  NAND闪存  

英特尔与美光新加坡合资NAND闪存厂投产

  •   英特尔官员日前表示,英特尔和美光联手在新加坡投资30亿美元兴建的NAND闪存厂周四开始投产。   之前由于爆发全球性金融危机,加上内存产品价格低迷,英特尔和美光刚开始就推迟了兴建这座工厂的计划,不过双方于2010年又把这项计划重新提上日程。双方表示,由于进展顺利,工厂提前完工。 
  • 关键字: 英特尔  NAND闪存  

iPhone5或将采用东芝24纳米NAND闪存

  • 东芝于本周二发布了24纳米工艺SmartNAND系列闪存。而这一产品很有可能将应用于苹果iPhone5中。单条Sm...
  • 关键字: iPhone5  24纳米  NAND闪存  

Elpida 和Spansion开始合作生产电荷俘获型NAND闪存

  •   Elpida和Spansion发明一种电荷俘获型闪存,为1.8V SLC(单层单元)4Gb NAND闪存存储器。它是基于Spansion的MirrorBit电荷俘获型技术在Elpida的广岛厂进行量产。   按公司的说法,与通常的浮栅NAND闪存相比,电荷俘获型NAND在更简单的单元结构下可以作到尺寸更小,同时功能更强,读出速度更快及可编程速度更快。   Elpida计划把NAND闪存与移动RAM结合一起销售移动消费类产品。除此之外,Spansion正开发用于嵌入式及选择无线市场的NAND,以及继
  • 关键字: Elpida  NAND闪存  

东芝开始量产24nm工艺NAND闪存

  •   东芝公司宣布,即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片,这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。   东芝透露,24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLC NAND闪存芯片,单颗容量64Gb(8GB),今后还会使用同样工艺制造32Gb(4GB)容量和3bpc规格的闪存芯片。   东芝表示,新工艺将进一步减小芯片尺寸、提高生产效率,同时还支持Toggle DDR接口规范,有助于增强数据传输速度。   在此之前,Intel、美光合资的IM Fl
  • 关键字: 东芝  NAND闪存  24nm  

尔必达计划收购美国Spansion闪存资产

  •   3月4日消息,据国外媒体报道,尔必达公司今日表示,计划收购美国晶片制造商Spansion的NAND闪存资产。Spansion是由日本富士通和AMD组建的合资企业,该公司去年3月申请破产。   尔必达记忆体将斥资30-50亿日元(合3400-5700万美元)收购Spansion的NAND相关资产,其中包括在意大利的一个研发工厂。   尔必达希望提供半导体模组,结合DRAM和闪存功能。这些模组在苹果iPhone等智能手机方面的运用增长趋势明显,尔必达正在追赶DRAM领域的领军企业三星电子和海力士半导体
  • 关键字: 尔必达  NAND闪存  DRAM  

市场调研公司开始对于2010年半导体市场作第一次修正

  •   全球1月半导体的销售额数据出笼,让分析师们的眼睛一亮,纷纷提高2010年的预测。为什么如此迫不及待,值得思考。   按SIA总裁的看法,全球半导体销售额1月的最新数据(三个月的移动平均值) 比12月的225亿美元上升0,3%,分析推动市场增长在众多方面, 包括计算机, 手机, 汽车电子和工业应用。如果与去年同期相比, 销售额增长达47%,显然与09年1月时正值全球的最低点有关。        SIA总裁Scalise认为,传统上因为季节的原因, 通常1月会比12月有所下降, 所以
  • 关键字: 半导体  汽车电子  DRAM  NAND闪存  

三星/海力士NAND闪存芯片迈向20nm级工艺

  •   继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后,韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。   海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片,这和Intel、美光首批投产的25nm芯片容量一致。而三星则计划在今年第二季度投产27nm NAND闪存。   海力士表示,和30nm工艺相比,新工艺的闪存芯片的产能将翻一番,成本也将大幅度降低。根据韩国当地媒体的报道,海力士将在今年第三季度开始量产 26nm闪存芯片。在这一点上三星已经占
  • 关键字: 三星  20nm  NAND闪存  海力士  

智能手机将使用更高性能的Managed型NAND闪存

  •   尽管智能手机在其它许多方面目前比普通手机更为先进,但目前智能手机中所配用的闪存与普通手机里的并没有太大的区别,仍然使用的是普通规格的闪存,这种闪 存在读写性能方面较为一般化。不过这种情况在未来一段时间内有望改观,闪存芯片厂商会为手机制造性能更好,可媲美PC用闪存性能的闪存芯片。     镁光公司副总裁Brian Shirley称:“目前大多数播放器使用的都是普通的RAW型NAND闪存,不过我们未来会向手机推出更高级的Managed型NAND闪存。”这种Mana
  • 关键字: 智能手机  NAND闪存  SSD硬盘  iPhone  

TDK推出兼容U.DMA 6的工业用CompactFlash存储卡和高可靠性RA8系列固态硬盘

  •   TDK公司2008年11月17日宣布,将于2008年12月开始销售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工业 用CompactFlash(CF)存储卡和兼容并行ATA(PATA)模式的SDG8A系列固态硬盘 (SSD),最大容量高达16 Gbyte。   这些产品将TDK独创的NAND闪存控制器(兼容GBDriver RA8 U.DMA 6)与高速、高频写 入单层单元(SLC)NAND闪存相结合,从而打造出业内最先进的NAND闪存卡,在高速性 能、耐用性及高可靠性方面迈上了新台阶。   此外,
  • 关键字: TDK  NAND闪存  控制器  

福布斯:Sun的闪存梦想

  •   《福布斯》日前刊文指出,昔日的服务器巨头Sun微系统公司正将其新的希望寄托在基于闪存技术的创新产品之上,希望借此恢复昔日的辉煌。   11月3日,Sun推出了一系列基于NAND闪存的数据中心存储产品。众所周知,闪存广泛应用于诸如iPods、笔记本、MP3、MP4产品之中,因为闪存不仅可以提供更快的存储速度,而且更省电。为此Sun号称其全新的存储系统Amber Road不仅更轻薄易于使用,而且其速度和效率是同等产品的4倍。   不像传统的硬盘,固件方式的闪存没有旋转的部件,因此不需要花费
  • 关键字: NAND闪存  Sun  硬盘  存储系统  
共45条 2/3 « 1 2 3 »

nand闪存介绍

您好,目前还没有人创建词条nand闪存!
欢迎您创建该词条,阐述对nand闪存的理解,并与今后在此搜索nand闪存的朋友们分享。    创建词条

热门主题

FPGA    DSP    MCU    示波器    步进电机    Zigbee    LabVIEW    Arduino    RFID    NFC    STM32    Protel    GPS    MSP430    Multisim    滤波器    CAN总线    开关电源    单片机    PCB    USB    ARM    CPLD    连接器    MEMS    CMOS    MIPS    EMC    EDA    ROM    陀螺仪    VHDL    比较器    Verilog    稳压电源    RAM    AVR    传感器    可控硅    IGBT    嵌入式开发    逆变器    Quartus    RS-232    Cyclone    电位器    电机控制    蓝牙    PLC    PWM    汽车电子    转换器    电源管理    信号放大器    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473