- 由于22nm NAND闪存工艺已经非常成熟，加上硬磁盘缺货危机尚未缓解，感恩节促销季才过不到两个月，各大SSD厂商再次疯狂促销SSD，意图让更多消费者尝试SSD，体验SSD操作无延迟感的优势。
主流品牌SSD最近均有20%以上的折扣或返款促销，折后价格接近或低于1美元/GB。比如，intel 320 80GB返款后80美金，OCZ 120GB返款后100美金等。
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SSD NAND闪存
- 集成芯片解决方案的领导厂商美满电子科技(Marvell，纳斯达克代码：MRVL)今日宣布推出Marvell® 88NV9145。该器件是全世界第一款模块化可扩展的Native PCIe SSD控制器，并已开始批量生产。88NV9145控制器作为PCIe SSD的核心部件，可以为客户在容量以及性能上逐步扩容提供灵活的配置。
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Marvell NAND闪存 88NV9145
- 投资公司Bernstein Research今天公布一份报告，谈及苹果采购NAND闪存的情况。苹果iPhone 4S有16GB版本和32GB版本，二者的差别就在于NAND闪存容量不同，32GB版本高100美元。不过根据Bernstein Research的研究发现，苹果在采购NAND闪存时有很大的折扣，每GB只有0.67美元，16GB相当于10.72美元。
由此看来，苹果的利润战略相当成功。让分析师奇怪的是苹果战略如此成功，为什么竞争者不仿效。
报告中写道：“2011年4季度，
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苹果 NAND闪存
- 日前，英特尔(Intel)与美光(Micron)合资成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20纳米制程生产之128GB NAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GB NAND闪存也将进入量产;128GB NAND闪存预计于2012年进行量产。
20纳米制程之128GB NAND Flash由英特尔与美光合资成立之IMFT所发展出来。该128GB NAND Flash为多层(multilevel)单元，英特尔与美光并未透露一个单元含有多少位(bit)。128GB NAND
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IMFT NAND闪存
- 日前消息称，三星计划投资约35亿美元，在中国开办芯片工厂，并于2013年投入营运。据该公司一份监管档中表示，工厂将采用先进的20纳米技术，生产NAND闪存芯片，但并未透露该座新工厂的地址和具体投资金额。
如果建厂计划获得中国官方批准，该工厂将是三星继美国德州奥斯汀之后的第2座海外芯片制造工厂，三星还计划在中国建立平板显示屏幕生产基地。
韩国新韩投资公司分析师金永灿预计，三星将为中国新厂投资4兆韩元(约合35亿美元)至5兆韩元。
三星表示，已经就在外国投建生产基地向韩国政府提交申请，后
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三星 NAND闪存
- 来自SemiAccurate网站的消息称，三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒，采用移动设备中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb，是它的1/8。
新的内存颗粒最大的亮点是采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造，几乎达到了包括相变内存在内的所有DDR内存以及NAND闪存的极限。
相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点，具有断电不掉数据，耐久性好，速度快等优点;根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。
预
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三星 NAND闪存 内存
- 市场上有关苹果打算把其ARM-basediPad处理器的代工厂三星给拉下，或至少在下一代处理器A6把三星给换掉的传言满天飞。台积电是呼声甚高的替代人选。但除此之外，最近开始切入代工业务的英特尔，也成为被讨论的对象之一。
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苹果 NAND闪存
- 尽管NAND闪存厂商都在积极向亚30nm制程转移，但按闪存业者的看法，只有将这些高级制程投入量产使用才较有实际意义。NAND闪存产品向更高级制程节点转移时，所需的产品验证时间越来越长，便是这一看法的明证之一。
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- 英特尔官员日前表示，英特尔和美光联手在新加坡投资30亿美元兴建的NAND闪存厂周四开始投产。
之前由于爆发全球性金融危机，加上内存产品价格低迷，英特尔和美光刚开始就推迟了兴建这座工厂的计划，不过双方于2010年又把这项计划重新提上日程。双方表示，由于进展顺利，工厂提前完工。
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英特尔 NAND闪存
- 东芝于本周二发布了24纳米工艺SmartNAND系列闪存。而这一产品很有可能将应用于苹果iPhone5中。单条Sm...
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iPhone5 24纳米 NAND闪存
- Elpida和Spansion发明一种电荷俘获型闪存，为1.8V SLC(单层单元)4Gb NAND闪存存储器。它是基于Spansion的MirrorBit电荷俘获型技术在Elpida的广岛厂进行量产。
按公司的说法，与通常的浮栅NAND闪存相比，电荷俘获型NAND在更简单的单元结构下可以作到尺寸更小，同时功能更强，读出速度更快及可编程速度更快。
Elpida计划把NAND闪存与移动RAM结合一起销售移动消费类产品。除此之外，Spansion正开发用于嵌入式及选择无线市场的NAND，以及继
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Elpida NAND闪存
- 东芝公司宣布，即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片，这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。
东芝透露，24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLC NAND闪存芯片，单颗容量64Gb(8GB)，今后还会使用同样工艺制造32Gb(4GB)容量和3bpc规格的闪存芯片。
东芝表示，新工艺将进一步减小芯片尺寸、提高生产效率，同时还支持Toggle DDR接口规范，有助于增强数据传输速度。
在此之前，Intel、美光合资的IM Fl
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东芝 NAND闪存 24nm
- 3月4日消息，据国外媒体报道，尔必达公司今日表示，计划收购美国晶片制造商Spansion的NAND闪存资产。Spansion是由日本富士通和AMD组建的合资企业，该公司去年3月申请破产。
尔必达记忆体将斥资30-50亿日元(合3400-5700万美元)收购Spansion的NAND相关资产，其中包括在意大利的一个研发工厂。
尔必达希望提供半导体模组，结合DRAM和闪存功能。这些模组在苹果iPhone等智能手机方面的运用增长趋势明显，尔必达正在追赶DRAM领域的领军企业三星电子和海力士半导体
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尔必达 NAND闪存 DRAM
- 全球1月半导体的销售额数据出笼，让分析师们的眼睛一亮，纷纷提高2010年的预测。为什么如此迫不及待，值得思考。
按SIA总裁的看法,全球半导体销售额1月的最新数据(三个月的移动平均值) 比12月的225亿美元上升0,3%,分析推动市场增长在众多方面, 包括计算机, 手机, 汽车电子和工业应用。如果与去年同期相比, 销售额增长达47%,显然与09年1月时正值全球的最低点有关。
SIA总裁Scalise认为,传统上因为季节的原因, 通常1月会比12月有所下降, 所以
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半导体 汽车电子 DRAM NAND闪存
- 继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。
海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的25nm芯片容量一致。而三星则计划在今年第二季度投产27nm NAND闪存。
海力士表示，和30nm工艺相比，新工艺的闪存芯片的产能将翻一番，成本也将大幅度降低。根据韩国当地媒体的报道，海力士将在今年第三季度开始量产 26nm闪存芯片。在这一点上三星已经占
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