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nand闪存 文章 进入nand闪存技术社区

铠侠提升 NAND 闪存产能利用率,群联 CEO 潘建成乐见原厂增产

  • IT之家 3 月 5 日消息,据台媒《经济日报》报道,在铠侠提升 NAND 产能的消息传出后,两家下游厂商群联和威刚的高管分别就此表达自身看法。根据之前报道,铠侠表示将重新审视 NAND 闪存减产策略,本月内将开工率提升至 90%。群联执行长(CEO)潘建成表示群联目前仍处于缺货状态,如果 NAND 闪存原厂可以合理价格提供稳定供货,对群联算是好事。此外原厂扩产可帮助 NAND 市场恢复秩序:闪存价格若持续上涨将影响下游厂商需求,而原厂产能提升可平抑价格。对各下游厂商而言,现有的低价 NAND
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三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,号称层数业内最多

  • IT之家 10 月 19 日消息,三星是全球最大的 NAND 闪存供应商,对其 V-NAND(即三星称之为的 3D NAND)的发展有着宏大的计划,本周三星分享了一些相关信息。该公司证实,其正在按计划生产拥有超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,并表示这将是业内层数最多的 3D NAND。“第九代 V-NAND 基于双层结构,层数达到业界最高水平,明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培(Lee Jung-Bae)在博客文章中写道。IT之家注意到,8 月份就有消息称,三
  • 关键字: 三星  存储  NAND闪存  

SK海力士接盘英特尔闪存 韩厂商占存储芯片半壁江山

  • 半导体并购再起  2020年以来,半导体的重磅收购不断,10月20日,SK海力士和英特尔官宣,SK海力士将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件和晶圆业务、以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂,不过,英特尔将保留傲腾(Optane)的存储业务。  SK海力士在声明中表示,SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后,SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD(固态硬盘)业务(包括NAND
  • 关键字: SK海力士  英特尔  NAND闪存    

威刚:闪存内存现货价已于6月见底 合约价本月见底

  • NAND闪存价格连跌6个季度、DRAM内存价格连跌3个季度,这本来是下游厂商以及消费者期盼已久的,毕竟2016到2018年间内存、闪存芯片几乎涨了2年,让消费者吃够了涨价的苦头了。
  • 关键字: 内存  NAND闪存  威刚  

长江存储今年将量产64层3D NAND闪存

  • 紫光集团旗下的长江存储YMTC是国内三大存储芯片阵营中主修NAND闪存的公司,也是目前进度最好的,去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存,前不久紫光在深圳第七届中国电子信息博览会(CITE2019)上展示了企业级P8260硬盘,使用的就是长江存储的32层3D NAND闪存。长江存储并不打算大规模生产32层堆栈的3D NAND闪存,该公司CTO程卫华在接受采访时表示今年下半年量产64层堆栈的3D NAND闪存,目前计划进展顺利,没有任何障碍。
  • 关键字: 长江存储  3D NAND闪存  64层堆栈  

简析:固态硬盘(SSD)相关概念

  • 简析:固态硬盘(SSD)相关概念-目前闪存在企业级应用也越来越多,包括混合闪存阵列以及全闪存阵列全面上市,而且Gartner机构预测,未来几年闪存会有很大的发展。这里提的闪存概念是SSD概念,即固态硬盘,而固态硬盘是由多个NAND闪存芯片组成的。采用FLASH芯片作为存储介质,这也是我们通常所说的SSD。这种SSD 固态硬盘最大的优点就是可以移动,而且数据保护不受电源控制,能适应于各种环境。
  • 关键字: 固态硬盘  SSD  NAND闪存  

内存颗粒涨价狂潮,来了解一下MLC NAND闪存下的技术细节

  • 内存颗粒涨价狂潮,来了解一下MLC NAND闪存下的技术细节-2006年初,美光科技公司与英特尔公司的合作企业IM Flash Technologies公司(IMFT)在市场上闪亮登场。通过整合Intel公司的NOR多层单元(MLC)闪存技术与美光的DRAM和NAND闪存的制造效率和创新性,并且在两个母公司强大的IP库支持下,IMFT在同一年推出的第一个产品就让市场深受震动。
  • 关键字: NAND闪存  闪存  

第三季度NAND闪存市场不乐观

  • NAND闪存的平均销售价格在2013上半年一路上涨,但是第三季度的市场却不容乐观,由于库存的压力,平均售价在下半年预计会下挫,厂商们应该持有一个
  • 关键字: 第三季度  NAND闪存  

三星业内首先量产3bit 3D V-NAND闪存

  •   全球先进半导体技术领军品牌三星电子今天宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。   三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示:“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线,我们相信3bit V-NAND将会加快数据存储设备从传统硬盘向固态硬盘的转换。固态硬盘产品的多样化,将加强三星产品的市场竞争力,进一步推动三星固态硬盘业务的发展。”   3bit V-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品,每
  • 关键字: 三星  V-NAND闪存  

三星量产全球首款第二代32层三维V-NAND闪存

  •   全球存储领军品牌三星电子今日宣布,已开始正式量产全球首款第二代立体垂直结构的“32层三维V-NAND闪存”。   三星电子此次推出的32层三维V-NAND,与之前推出的24层V-NAND相比,虽然堆叠存储单元的设计难度更高,但是因为可以直接使用生产第一代V-NAND闪存的设备,所以具有更高的生产效率。   除此之外,三星电子推出了基于第二代V-NAND闪存的高端固态硬盘系列产品,并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多种容量选择。三星电子在去年面向数据中心推
  • 关键字: 三星  V-NAND闪存  

追梦中国集成电路

  • 《中国电子报—电子信息产业网》自6月初开始发表了《中国IC业十大“芯”结求解述评》系列文章,到7月底已连续发了7篇。
  • 关键字: IC产业  DRAM  NAND闪存  201309  

ST闪存技术解析

  • 前言闪存是手机、数码相机、数字电视和机顶盒或发动机控制模块等数字应用中一种十分常见的半导体存储器,这...
  • 关键字: ST  闪存技术  NOR闪存  NAND闪存  

关于Micron和Intel 20nm 64-Gbit MLC NAND闪存的深度探究

  • NAND闪存在半导体市场上的成功主要得益于手机和平板电脑市场的持续迅猛发展以及高性能固态硬盘(SSDs)取代硬盘驱动器的广泛应用。美光与英特尔去年共同宣布,通过20 nm制造工艺技术结合突破性的单元架构概念,可以制造出仅由一组简单芯片组成的TB容量NAND闪存。
  • 关键字: 美光  英特尔  NAND闪存  UBM  

Intel将向美光出售合资NAND闪存厂股份

  •   Intel同意与美光科技扩大就闪存芯片领域的合资企业合作,提高双方关系的效率和灵活性。根据双方达成的协议,美光将为Intel供货NAND闪存产品,而Intel则将向美光出售价值6亿美元的两家合资晶圆厂股份。   协议规定,Intel将首先接收美光一半的股份购买资金,另外一半将寄放在美光,可能会按照供货协议退还或用于未来采购。该协议还扩大了双方在NAND闪存共同开发项目上的合作计划,以覆盖新兴存储技术。   该交易预计将在今年上半年完成。   Intel和美光已经在NAND闪存芯片制造领域合作了几
  • 关键字: Intel  NAND闪存  

第四季度全球NAND闪存出货环比下滑8.6%

  •   据国外媒体报道,根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)提供的最新数据,2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元,环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头,市场份额达到了34.6%。   集邦科技提供的数据显示,NAND闪存出货环比增长了大约5%,而平均销售价格则环比下滑了13%。集邦科技指出,虽然存储卡和闪存的零售增幅依然缓慢,但是智能手机和平板电脑制造商对闪存的需求依然非常强劲。   集邦科技指出,
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