根据韩国媒体Business Korea报道，由于存储器产业从2018年年底迎来低迷，存储器产品价格下跌，各大存储器厂商先后宣布降低产量以来，虽然三星仍然稳坐半导体产业头把交椅，但是其盈利能力已经受到质疑。 无独有偶，SK海力士等厂商的日子也不好过。头部厂商的日子尚且如此，那还在奋斗中的中国存储器厂商又将面对怎样的未来呢?
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存储器，NAND
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND
Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位元成长过多导致过剩状况加剧。 DRAMeXchange调查指出，2018年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出。NAND
Flash总体资本支出下调近10%，但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美系厂商减少资本支出，使得NAND
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NAND 东芝
存储器一直被看成是半导体行业的晴雨表，它的表现也影响着整个市场的枯荣变换。2018年的存储器行业在兴奋和失望迷茫的情绪交替中前行，伴随着技术上的几许亮色，迈向了2019年。从热火朝天到凛冬将至 2017年的存储器市场可以用火热来形容，三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人。
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存储器 NAND
闪存是当今数据存储的重要介质之一，主流的闪存体系有NAND和NOR两种。不过随着半导体工艺不断发展，相比于NAND技术的快速演进，NOR技术似乎在几年前工艺就迟滞不前，因为存在部分设计缺陷而让NOR闪存无法继续跟进先进工艺成为了阻碍NOR闪存大规模应用的关键。不过，因为中国企业中天弘宇集成电路有限公司的潜心研究，NOR闪存的应用也许将重获新生。 “我们经过了近十年的研发积累，完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新，也可以说是一个完全的颠覆。我们沿用了整个NOR的架构，但和英特尔最早发明的NOR完全不是一回事
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NOR NAND 存储器
半导体设备供应商的排名在2016-2017年间没有发生太大的变化，但是这种格局正在发生变化。不仅Lam
Research、ASML和东京电子的位次发生调转，排名第一的应用材料公司的宝座位置也岌岌可危。 自1990年以来，应用材料公司一直是半导体设备领域的市场领导者。在此之前的1989年，坐在铁王座位置上的还是日本的东京电子，该公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名则是第二。除了位次的变化，也许更重要的是，领头羊和第二名的差距正在迅速收窄。 2016年，应用材料公司的市场份额比Lam
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ASML NAND
2018年12月11日，以“智数据·创未来”为主题的2018中国存储与数据峰会在北京拉开帷幕。作为中国数据与存储行业顶级的交流平台，本次峰会汇集了全球近百位来自产业界、学术界的专家，就数据洪流时代下，企业如何实施数据战略、深挖数据价值，变数据资源为实现更广泛商业价值的数据资产等话题展开深入探讨。
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数据 存储 傲腾 QLC 3D NAND
全球DRAM市场上，三星一家独大，接着是SK
Hynix及美光，这三家的DRAM份额占到了全球95%左右，而华亚科被美光全资收购之后，Nanya南亚科技也就变成全球第四大内存芯片厂商了，虽然2.5%的份额跟前面三家公司20%—45%的份额相比是小巫见大巫。 1 DRAM连涨之后持续下跌 在DRAM内存涨价超过9个季度之后，内存芯片价格终于在10月份大跌了一次，DRAMxChange称10月份DRAM现货价格跌了10%，预计2019年还会继续跌20%。 受此影响，全球第四大内存芯片厂商南亚科
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DRAM NAND
3D NAND的出现也是因为2D
NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分，为了提高其容量、降低成本，NAND的制造工艺也在不断进步，厚度开始不断降低，但NAND闪存和处理器还是有很大不同的。虽然先进的工艺带来了更大的容量，但是其可靠性和性能却在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，其可靠性也就越差，厂商就需要采取额外手段弥补这一问题，这必然会提高成本，以至于在达到某个最高点之后完全抵消掉制造工艺带来的优势。 3D NAND将思路从提高制造工艺转
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存储 NAND
垄断加剧供求失衡，导致价格上涨，垄断导致的暴利，是目前全球存储器行业面临的最大问题。
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存储器 NAND
前言：2018年Q3出货旺季，在存储器Bit出货量增加带动下，存储器原厂业绩抢眼。然而，存储器涨价优势不再，Q4财报恐难抵下滑之势。 存储器原厂Q3财报抢眼，但NAND价格大跌超60%，引原厂产能“紧急制动” 2018年以来，Flash原厂持续扩大64层3D TLC NAND供货，且以256Gb和512Gb供货为主，再加上美光和英特尔64层1Tb QLC NAND在市场应用，导致市场供过于求。即使在Q3出货旺季，NAND Flash价格也依然表现跌势。据中国闪存市场ChinaFlashMarket
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存储器 NAND
CINNOResearch对闪存供应商及其上下游供应链调查显示，在64层的3D-NAND良率更为成熟，需求端受到中美贸易战压缩的情况下，NANDFlash行业供过于求的情况持续加剧，各家厂商以更为积极的降价来刺激出货成长，也因此第三季度闪存平均销售单价普遍较第二季度下滑15-20%，而位元出货量则是在第二季度基期较低的关系，第三季成长幅度来到20-25%，整体第三季闪存产值达到172亿美元，季成长约为5%，值得注意的是，也是近三年来在第三季度旺季期间表现最差的一次(2016年第三季与2017年第三季的
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闪存 3D-NAND
日前，业界领先的半导体供应商兆易创新(GigaDevice)宣布与全球知名电子分销商Digi-Key Electronics合作。兆易创新的SPI NOR Flash及NAND Flash等闪存产品可通过Digi-Key实现全球即时发货，并在交货周期及产品价格上更贴近客户需求。 兆易创新的SPI NOR Flash产品容量目前涵盖512Kb至512Mb，并即将推出1Gb及2Gb的更高容量产品，以及业界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封装(容量高达8Mb)。 NAND Flash产品包含SPI和
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兆易创新 NAND
NAND Flash历经两年的涨价后，在2018年价格开始大幅下滑，据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，截止到10月底，2018年NAND Flash综合价格指数已累积下滑高达63%，其中主流SSD价格跌幅也高达约50%。 Flash原厂3D NAND之战加剧，使得SSD价格更加亲民，据中国闪存市场ChinaFlashMarket最新价格，消费类零售品牌SSD 240GB容量价格已下滑至31美金，480GB容量价格下探至58美金。低端白牌SSD产品的市场报价更是分别低至25美金(24
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NAND HDD
全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp.)(纳斯达克代码：CY)日前宣布，与海力士半导体公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合资公司。协议约定在前五年中，合资公司将生产及销售赛普拉斯现有的SLC NAND闪存系列产品，并将继续投资于下一代NAND产品。合资公司总部设立在香港，海力士与赛普拉斯将分别持有60%与40%的股份。 赛普拉斯总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示：“合资公司将会长期为客户提
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海力士 NAND
存储芯片市场在经过长达一年半时间的猛涨后，部分内存芯片的价格突然下跌，加之韩国三星电子近期发布的令人失望的2017年盈利报告，导致那些押注芯片繁荣的投资者感到极度不安。
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摩尔定律 NAND
nand 介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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