日本东北大学2016年3月21日宣布，开发成功了可超高速动作的新型磁存储器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基础元件，并实际验证了动作。该元件可兼顾迄今MRAM元件难以实现的小电流动作和高速动作。
三种自旋轨道力矩磁化反转元件构造。(a)与(b)为以前的构造，(c)为此次开发的构造(该图摘自东北大学的发布资料) (点击放大)
PC及智能手机使用的SRAM及DRAM等半导体存储器，因构成元件的微细化，性能获得了提高，但随着微
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MRAM
记忆体产业中的每一家厂商都想打造一种兼具静态随机存取记忆体(SRAM)的快速、快闪记忆体的高密度以及如同唯读记忆体(ROM)般低成本等各种优势的非挥发性记忆体。如今，透过磁阻随机存取记忆体(MRAM)，可望解决开发这种“万能”记忆体(可取代各种记忆体)的问题
遗憾的是，实际让非挥发性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承诺)的最佳化步骤，似乎总是还得再等三年之久。如今，荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technolo
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MRAM 存储器
不同存储器都有其各自的优势和缺点，由消费类产品驱动的存储器市场在呼唤性能更优存储器技术，当然也要价格便宜。
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MRAM SRAM
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限，业界认为次世代记忆体“磁电阻式随机存取记忆体”(MRAM)、“可变电阻式记忆体”(ReRAM)可能即将现身，要以更快的存取速度横扫市场。
韩媒BusinessKorea 16日报导，南韩半导体业者指出，16奈米将是DRAM微缩制程的最后极限，10奈米以下制程需要缩小电晶体体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不适合采用高介电常数(High-K)材料和电极。MRAM和ReRAM
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DRAM MRAM
东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权，取代相互耗损的专利诉讼。
据ET News报导，东芝与SK海力士曾维持很长时间的合作关系。2007年缔结专利授权合约，并自2011年开始共同开发下一代记忆体STT-MRAM。2014年3月因记忆体半导体技术外流，东芝向SK海力士提出告诉，要求1.1兆韩元规模的民事赔偿，双方关系因此破裂。
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东芝 SK海力士 STT-MRAM
近日，日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash闪存。MRAM全称磁阻随机访问内存，已经存在一段时间了，但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据的时候利用电子角动量来改变磁场。
MRAM技术的读写速度可以媲美SRAM、DRAM，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，等于综合了RAM、Flash的优点。
TDK多年来一直在研究STT-MRAM，但此前从未公开展示。这次拿出的原型芯片
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闪存 MRAM
MRAM以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据的时候利用电子角动量来改变磁场。MRAM是以取代Flash为使命的。目前TDK已经推出这种存储技术的原型。
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闪存 MRAM
市场研究机构CoughlinAssociates的最新报告预测，磁阻式随机存取记忆体(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torquetransition，STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展。
CoughlinAssociates的报告指出，因为具备省电与非挥发特性，MRAM/STTMRAM市场营收规模可望由2013年的1.9亿美元左右，到2019年成长至21亿美元;期间的复合年平均成长率(CAGR)估计为50%。
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MRAM CMOS
本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。铁电存储器(FeRAM)铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储
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FeRAM MRAM OUM 非易失性存储器
专门授权自旋电子(spintronics)磁阻随机存取内存(MRAM)技术的自旋电子组件开发商NVR公司表示，该公司已于美国联邦法院对 MRAM 供货商Everspin Technologies提出侵权诉讼，以捍卫其自旋电子 MRAM 专利技术。
NVE公司指出，在美国明尼苏达州地方法院提起的这项诉讼案指控Everspin侵犯了NVE公司的三项 MRAM 专利。根据NVE公司表示，该侵权诉讼将寻求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止继续使用该技术，并针对其侵权行为造成的NVE财务损失进行
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NVE 内存 MRAM
法国研究机构SPINTEC与开发MRAM技术的Crocus Technology共同开发出了将热辅助切换(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技术。并在2011年10月31日于美国亚利桑那(Arizona)州斯科茨戴尔(Scottsdale)开幕的磁技术国际会议“56th MMM”的首日进行了发布。
TAS技术是一项边用加热器对MTJ元件存储层进行加热，边写入数据的技术。对存储层进行加热后，矫顽力会
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MRAM 20nm
韩国Hynix与日本东芝公司近日宣布两家公司将共同开发STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋转移矩磁阻RAM)技术,两家公司均认为这项技术是非常重要的下一代非易失性存储技术之一。一旦有关的技术研发完成之后，两家公司计划成立一 家专门生产STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作为这次合作战略的其它部分，两家公司还将扩大专利交叉授权的范围。
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Hynix STT-MRAM
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。
Everspin科技公司首席运营官Saied Tehrani表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图，我们将不断提高MR
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Everspin MRAM
根据韩联社(Yonhap)报导，韩国政府宣布，已与半导体厂三星电子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，进行磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研发专案，以维持韩国在半导体产业的领先地位。
韩国知识经济部半导体与面板部门首长 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研发完成，韩国于2015年将可掌握大约45%的30奈米制程存储器芯片市场，并预估该市场于2
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Samsung 芯片制造 MRAM
去年，一场严重的“价格寒流”席卷了整个存储芯片领域，存储芯片市场亦受到了前所未有的冲击。业界巨头三星电子2007年第四季度财务报告显示，由于计算机存储芯片的平均销售价格迅速下滑，该公司的利润下降了6.6%。DRAM生产商尔必达(Elpida)也宣布其销售额下滑了34%，并且第三财季净亏损达1.132亿美元。台湾地区厂商茂德科技也因存储芯片价格下跌和供过于求而宣布亏损。
存储芯片市场阴霾的表现，迫使许多厂商削减生产或推迟了Fab的投产计划。美光(Micron)近期就宣布，将
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三星 DRAM 存储芯片 MRAM PRAM
mram介绍
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
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