全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取记忆体(MRAM)作为嵌入式储存解决方案，可望改变下一代储存技术的游戏规则。
据SemiEngineering网站报导，GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此举代表市场的巨大转变，因为到目前为止，只有Everspin已经为各种应用提供MRAM，例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(WriteCa
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MRAM 晶圆
全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取存储器(MRAM)作为嵌入式储存解决方案，可望改变下一代储存技术的游戏规则。
据Semi Engineering网站报导，GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此举代表市场的巨大转变，因为到目前为止，只有Everspin已经为各种应用提供MRAM，例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(Write
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存储器 MRAM
随着更多业者进入MRAM市场，STT执行长Barry Hoberman在日前受访时谈到了MRAM带来的商机及其可能取代现有主流存储器技术的未来前景。
或许有人会把2016年形容为磁阻式随机存取存储器(MRAM)市场的引爆点。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出货商用MRAM产品的公司。不过，就像Spin Transfer Technologies(STT)执行长Barry Hoberman一如既往地表达肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM业者铺路。
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MRAM DRAM
MRAM是新兴的存储器，为晶圆制造代工业竞争主轴之一。先讲结论，MRAM的最近发展令人兴奋。它虽然是新兴的存储器，却成为传统上以逻辑线路为主的晶圆制造代工业竞争主轴之一。
MRAM研发的挑战一直都是良率和微缩。良率的提升除了晶圆厂各自在制程上的努力之外，机器设备厂商也出力甚多，这是几家大机器设备厂商先后投入这即将兴起设备市场良性竞争的结果。MRAM相关制程主要有磁性材料的蚀刻(etcher)与溅镀(sputter)两种设备，最近新机型的溅镀设备表现令人惊艳，这将有助于晶圆厂MRAM制造良率的提升
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DIGITIMES MRAM
晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及内存市场。台积电这次重返内存市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存，因传输速度比一般闪存快上万倍，是否引爆内存产业的新潮流，值得密切关注。
台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取内存)和eRRAM(嵌入式电阻式内存)分别订明后年进行风险性试产，主要采用22奈米制程，这将是台积电因应物联网、行动装置、高速运算计算机和智能汽车等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新内存。
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台积电 MRAM
被视为次世代存储器技术之一的自旋力矩传输存储器(STT-MRAM)，在2016年12月举办的国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公开了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超过1Gb的产品，以及将STT-MRAM嵌入CMOS逻辑芯片的技术实证。
MRAM算是次世代非挥发性存储器科技中出现较早的一种，其记忆单元以磁隧结(MTJ)组成，由于占用体积大与耗电量高，最大容量约16Mb，仅适用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
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三星 MRAM
在今年即将于美国加州举行的国际电子元件会议(IEDM)上，来自三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取记忆体(MRAM)的最新发展。
此外，三星的研发团队以及旗下LSI业务部门显然也将再次发表其致力于开发MEMS的最新成果。
三星将分别透过口头简报以及海报展示双管齐下的方式，介绍在28nm CMOS逻辑制造制程中嵌入8Mbit自旋传输(STT) MRAM等主题。在该公司发表的论文主题中，研究人员们将这种电路形
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28nm MRAM
台湾磁性技术协会邀请产学人士，11月19日于工研院举办自旋电子专题论坛，针对该主题介绍市场与技术概况。产业界与学术界人士交流该项技术的看法，对于磁性存储器(MRAM)的市场前景乐观，并认为台湾产官学研有迫切携手推动的必要性。
在市场发展方面，Digitimes研究中心主任黄逸平指出，至2030年存储器与储存市场会由非挥发性存储器所主宰，在低耗电市场上，包括L1 Cache在内，嵌入式存储器可望为embedded MRAM一统，而在重运算市场上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存储器以及
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MRAM
存储器是当今每一个计算机系统、存储方案和移动设备都使用的关键部件之一。存储器的性能、可扩展性，可靠性和成本是决定推向市场的每个系统产品经济上成功或失败的主要标准。目前，几乎所有产品都使用一种或组合使用
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MRAM 存储器
磁性随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性存储器技术，正在作为一种主流的数据存储技术被业界所广泛接受。它集成了一个磁阻器件和一个硅基选择矩阵。MRAM的关键属性有非易失性、低电压工作、无限次读写的耐用性、快速
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随机存取 逻辑单元 MRAM
MRAM市场可能会在明年开始变得越来越“拥挤”──开发OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技术的美国业者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研发晶圆厂制作出仅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目标是在明年第一季开始提供其MRAM样品，并在2018年让产品正式上市。
STT执行长Barry Hobe
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STT MRAM
三星电子(SamsungElectronics)与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输(SpinTransferTorque)磁性存储器(STT-MRAM)。两家公司也表示，预计在3年内展开MRAM量产，也引起了业界高度的注目。
韩媒指出，STT-MRAM是可望取代传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。与目前的NANDFlash相比，写入速度快上10万倍，而读取速度则是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透过少量电力就可以驱动的非挥发性存储器，不使用时也完全不需要电力。
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三星 MRAM
SamsungFoundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
三星晶圆代工业务(SamsungFoundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
SamsungFoundry行销暨业务开发负责人KelvinLow在接受EETimes欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28
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存储器 MRAM
据海外媒体报道，DRAM 发展快到尽头，磁性存储器(MRAM)和相变存储器(PRAM)是最有潜力的接班人?IBM 和三星电子最近宣称，“自旋传输磁性存储器(STT-MRAM)”的研究出现突破，有望加速走上商用之途。
韩媒 BusinessKorea 11 日报导，IBM 和三星在电机电子工程师学会(IEEE)发布研究论文宣称，两家公司携手研发的 STT-MRAM 的生产技术，成功实现 10 纳秒(nanosecond)的传输速度和超省电架构，理论上表现超越 DRAM。
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IBM MRAM
在28nm晶片制程节点的嵌入式非挥发性记忆体竞赛上，自旋力矩转移磁阻式随机存取记忆体(STT-MRAM)正居于领先的位置。
比利时研究机构IMEC记忆体部门总监Arnaud Furnemont指出，虽然电阻式随机存取记忆体(ReRAM)和相变记忆体(PCM)等其他类型的记忆器也都有其支持者，但这些记忆体都存在着微缩的问题，而难以因应28nm CMOS制程的要求。
28nm平面CMOS节点可望具有更长的寿命，以因应更多的“超越摩尔定律”(More-than-Moore
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MRAM CMOS
mram介绍
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
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