日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
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Vishay MOSFET
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装占位面积仅有2 x 2 mm，高度仅为0.65 mm，专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。
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恩智浦 MOSFET PBSM5240PF
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布将于中国电子展同期举办中国西部电源研讨会(West China Power Seminars)，时间和地点分别是8月23日上午9点30分至12点10分在成都明悦大酒店，8月25日在西安曲江国际会展中心。每场研讨会将有4位专家做技术报告，探讨电容器、MOSFET、电源模块、二极管和光耦合器在新能源、军工、通信、工业电源和其他行业中的应用。研讨会面向研发工程师，用中文讲解，CEF的观众可以免费参加。
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Vishay MOSFET
硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量，从而造成电源效率...
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低损耗 大功率 MOSFET
鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的...
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MOSFET 导通阻抗 开关电源
1.开关电源应用从定义上而言，这种应用需要MOSFET定期导通和关断。同时，有数十种拓扑可用于开关电源，这...
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MOSFET 应用案例
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于：首先驱动电路比较简单。MOSF...
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MOSFET 选型 应用概览
一引言DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数。可以测量出这些特征参数，...
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热源功率 损耗 MOSFET
工艺与材料的创新随着时间的推移，功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小，功率密度越...
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功率器件 工艺材料 MOSFET
我们发现日益改进的静电学及晶体管传输有助于形成一种成熟的方法，这种方法能够降低有源和待机功耗。要做到这一点，新型晶体管结构和材料拓展了性能?功耗设计空间，使之超跃了传统的本体硅晶体管。最终，通过构成一个由多层系统-电路-器件电源管理生态系统构成的底层，晶体管的创新将会继续在定义下一代提高功效的策略时发挥关键作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非传统
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-modepowersupplies，SMPS...
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大功率 开关电源 功率 MOSFET 驱动
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
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功率 MOSFET 变换器 栅极驱动
过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展成为蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐...
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电子系统 MOSFET 瞬态高压
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子公司（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布开发面向消费类产品（如无线电动工具和电动自行车）中电机驱动的100A大电流功率MOSFET，以便加强公司的整个功率半导体器件生产线。新款功率MOSFET提供了较宽的电压范围，其中3款新产品（包括N0413N）具有40V的电压容差，而另外3款新产品（包括N0601N）具有60V的电压容差。新款功率MOSFET具有业内最低的功率损耗水平，是延长电池寿命的理性之选。
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瑞萨 MOSFET N0413N
从1957年第一只晶闸管的诞生开始，功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展，产生极佳的经济及社会效益。从美国高能效经济委员会(ACEE)出版的一份报告可以看到，到2030年，受益于采用半导体技术而获得的更高能效，可以使美国的经济规模扩大70%以上，与此同时，使用的电能却将减少11%。作为高能效功率电子技术领域的领先厂商，安森美半导体一直专注于超低损耗MOSFET/IGBT、智能电源IC及集成功率模块等方面的研发和创新，而且取得了长足的进展
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安森美半导体 MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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