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瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

  • 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kV
  • 关键字： 瑞萨  栅极驱动IC  EV逆变器  IGBT  SiC MOSFET  

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

  • SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个主要原因是与以前的功率半导体相比，SiC MOSFET 使得高速开关动作成为可能。但是，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，器件的封装电感和周边电路的布线电感影响变得无法忽视，导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰不可以超过使用的MOSFET 的最大规格，那就必须抑制尖峰。MOS_DS电压尖峰产生的原因在半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制
  • 关键字： Arrow  碳化硅  MOSFET  

基于世平安森美半导体 LV8310 Single-Phase Pre Driver 应用于车内空调循环扇方案

  • 由于现代人对于生活物质的享受要求愈来愈高,汽车驾驶人对于车内空间主观的价值感要求也是一样,不管是行驶时可能产生的种种噪音及静止时冷气空调循环扇的音量亦是,以空调风扇噪音来说,三相马达也许是低噪的最佳选择,但整体成本较高,基于成本及整体效能考量,安森美推出的可优化超前角单相直流无刷马达驱动方案,可说是性价比最高的选择。安森美新推出的LV8310 Single phase pre driver 提供可弹性选择功率晶体以配合不同功率需求的条件及可调整的转速曲线以优化可控转速档次的一致性和可调整超前角功能以优化功
  • 关键字： 安森美  ONSemi  LV8310  Single-Phase  Pre Driver  车内空调循环扇  

库存去化缓 MOSFET上半年市况严峻

  • PC、消费性市况在2022年第四季需求持续疲弱，且今年第一季客户端仍旧处于保守态度，使得MOSFET库存去化速度将比原先预期更加缓慢，供应链预期，最差情况可能要延续到今年第三季才可能逐步结束库存去化阶段。法人预期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET厂营运可能将维持平淡到今年中。PC、消费性市况在历经2022年下半年的景气寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市场库存去化速度缓慢。供应链指出，先前晶圆代工产能吃紧，客户端重复下单情况在2
  • 关键字： 库存  MOSFET  

SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？

  • 众所周知，“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代，英飞凌的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”，就不会干别的了吗？非也。因为SiC材料独有的特性，SiC MOSFET选择沟槽结构，和IGBT是完全不同的思路。咱们一起来捋一捋。关于IGBT使用沟槽栅的原因及特点，可以参考下面两篇文章：●   英飞凌芯片简史●  &n
  • 关键字： 英飞凌  MOSFET  

简述SiC MOSFET短路保护时间

  • 在本设计解决方案中，我们回顾了在工厂环境中运行的执行器中使用的高边开关电路的一些具有挑战性的工作条件和常见故障机制。我们提出了一种控制器IC，该IC集成了各种安全功能，以监控电路运行，并在发生这些情况时采取适当措施防止损坏。IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路时间不超过这个SCWT，器件基本上是安全的（超大电流导致的寄生晶闸管开通latch up除外，本篇不讨论）。比如英飞凌这个820
  • 关键字： 技术田地  MOSFET  

基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁挂炉热风机解决方案

  • 近年来，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自动驾驶”等时髦的词汇，大家的注意力也都集中在这些领域，但其实，有一个已经真正落地，大部分人都还没注意到的应用——直流无刷电机（BLDC）市场正在悄然兴起，而且成长迅速。根据市场公开的资料，2018年全球无刷直流电机的市场规模为153.6亿美元，乐观的市场研究机构预计未来五年，市场将会以13%的年复合增长率持续增长；当然也有机构认为年复合增长率会在6.5%左右。但不论是6.5%，还是13%的增长率，这个市场都非常值得期待。由于BLDC本身可以节约能源，
  • 关键字： Richtek  RT7083GQW  MCU  Gate Driver  壁挂炉热风机  

简述功率MOSFET电流额定值和热设计

  • 电气设备（如断路器，电机或变压器）的电流额定值，是指在某个电流下，器件本身达到的温度可能损害器件可靠性和功能时的电流值。制造商虽然知道器件材料的温度限值，但是他并不知道使用器件时的环境温度。因此，他只能假设环境温度。1、什么是电流额定值？ 电气设备（如断路器，电机或变压器）的电流额定值，是指在某个电流下，器件本身达到的温度可能损害器件可靠性和功能时的电流值。制造商虽然知道器件材料的温度限值，但是他并不知道使用器件时的环境温度。因此，他只能假设环境温度。这就带来了两种后果： • 每个电流
  • 关键字： MOSFET  

小而薄的MOSFET栅极驱动IC更适合小型化应用

  • 电器中配电、上电排序和电源状态转换都需要负载开关，它可以减小待机模式下的漏电流，抑制浪涌电流，实现断电控制。负载开关的作用是开启和关闭电源轨，大部分负载开关包含四个引脚：输入电压引脚、输出电压引脚、使能引脚和接地引脚。当通过ON引脚使能器件时，导通FET接通，从而使电流从输入引脚流向输出引脚，将电能传递到下游电路。东芝面向20V电源线路推出的MOSFET栅极驱动IC（集成电路）TCK421G就是一款负载开关，它是TCK42xG系列中的首款产品。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压（基于输
  • 关键字： TOSHIBA  MOSFET  

罗姆的第 4 代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器

  • 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“EV”）的逆变器。在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。 罗姆自2010年
  • 关键字： 罗姆  SiC MOSFET  日立安斯泰莫  纯电动汽车逆变器  

一文读懂功率半导体

  • 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。凡是在拥有电流电压以及相位转换的电路系统中，都会用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于将发电设备产生的电压和频率杂乱不一的“粗电”通过一系列的转换调制变成拥有特定电能参数的“精电”、供给需求不一的用电终端，为电子电力变化装置的核心器件之一。在分立器件发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代
  • 关键字： 功率半导体  MOSFET  IGBT  

国星光电 NS62m 碳化硅功率模块上线：可用于传统工控、储能逆变、充电桩等

  • IT之家 12 月 12 日消息，国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。面向储能逆变器市场，国星光电 NS62m 功率模块新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模块的电流密度以及开关频率，降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸，最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的。国星光电 NS62m 功率模块采用标准型封装，半桥拓扑
  • 关键字： 国星光电  碳化硅  NS62m  MOSFET  

世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 应用于小型化工业电源供应器方案

  • 安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来，硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓（GaAs）和砷化镓、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体，它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
  • 关键字： NCP51820  安森美  半导体  电源供应器  GaN MOS Driver  

OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点

  • 新能源汽车动力域高压化、小型化、轻型化是大势所趋。更高的电池电压如800V系统要求功率器件具有更高的耐压小型化要求功率拓扑具有更高的开关频率。碳化硅（SiC）作为第三代半导体代表，具有高频率、高效率、小体积等优点，更适合车载充电机OBC、直流变换器 DC/DC、电机控制器等应用场景高频驱动和高压化的技术发展趋势。本文主要针对SiC MOSFET的应用特点，介绍了车载充电机OBC和直流变换器DC/DC应用中的SiC MOSFET的典型使用场景，并针对SiC MOSFET的特性推荐了驱动芯片方案。最后，本文根
  • 关键字： TI  MOSFET  OBC  

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法

  • 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平，但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。超过 1000 V 电压的应用通常使用IGBT解决方案。但现在的SiC 器件性能卓越，能够实现快速开关的单极组件，可替代双极 IGBT。这些SiC器件可以在较高的电压下实施先前仅仅在较低电压 (<600 V) 下才可行的应用。与双极 IGBT 相比，这些基于 SiC 的 MOSFET 可将功率损耗降低多达 80%。英飞凌进一步优化了
  • 关键字： 儒卓力  MOSFET  
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