- 我们先来看看MOS关模型：
Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是
耗尽区电容
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MOSFET 驱动器 功耗计算
- 之前，我们介绍了如何对正向转换器输出整流器开启期间两端的电压进行缓冲。现在，我们来研究如何对反向转换器的 FET 关断电压进行缓冲。图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于
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转换器 缓冲 设计 MOSFET TI 德州仪器
- 前言:
Panasonic电工的“PhotoMOS”是一款采用光电元件以及功率MOSFET进行输出的输出光电耦合器。面试二十年间，在全世界的销量达到八亿个，堪称是一款销售成绩骄人的商品。“PhotoMOS”满足了小型·轻量·薄形化的需求，作为适应电子化的输出光电耦合器，增加了①高灵敏性、高速响应;②从传感器输入信号水平到高频的控制;③从声音信号到高频用途的对应;④高可靠性和长使用寿命;⑤可进行表面安装的SMD型;⑥多功能
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松下电工 MOSFET PhotoMOS 光电耦合器
- 英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。
基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T
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英飞凌 MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。
基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大
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英飞凌 MOSFET
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布拓展了针对低导通电阻(RDS(on))应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列，包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。
新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的电压下可提供低达 2.6 mΩ 的导通电阻，可以承受 40V 至100V 的电压，并涵盖了此前推出的 75V 产品。当中一些具有更高电压的器件非常适用于 24V 卡车系统，采用 D2Pak-7P
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IR MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET --- Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减少在便携式电子产品中占用的空间。
随着便携式产品变得愈加小巧，器件的尺寸成为选择器件的重要因素，因为按键和电池占用了大部分空间，使PCB的面积受到极大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
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Vishay MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。
IR
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IR MOSFET HEXFET
- 2010年6月8日，由中国电子技术权威杂志《电子产品世界》举办的“2009年度电源产品评选”活动在“第七届绿色电源与电源管理技术研讨会”举行了颁奖典礼。社长陈秋娜女士宣布了最终的获奖结果，中国电源学会常务理事长李龙文和陈秋娜女士分别为获奖厂商代表进行颁奖。本次活动中共收到来自近20家国内外电源厂商提交的五大类别60多款产品，经网上票选和专家测评最终的分别选出最佳创新奖和最佳应用奖获奖产品，另外还同时从所有参选产品中特别评选出了两款绿色电源奖产品奖。
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电源管理 MOSFET LED驱动
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。
这三款器件的低导通电阻意味着更低的功率损耗，从而在各种应用的功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调
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Vishay MOSFET
- 包括德仪、 英飞凌、国家半导体(NS)、安森美(On Semi)等IDM厂，开出高于业界水平价格，包下 台积电、 联电、世界先进等晶圆代工产能，成熟制程产能不足问题，已对立锜、致新等台湾模拟IC业者造成排挤效应。为了避免下半年旺季时无货可出，台湾业者只能松口答应调涨代工价10%至15%不等幅度，以便争取到更多产能。
下半年将进入手机及计算机销售旺季，不论市场是否对市场需求有所疑虑，但业界仍认为旺季仍会有旺季应有表现，至少第3季的手机、笔电、消费性电子产品等出货量，与去年同期相较仍有2成至3成的年
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飞思卡尔 MOSFET 模拟IC
- 市场研究机构iSuppli指出，部分模拟、逻辑、内存与电源管理IC 出现严重缺货现象，导致价格上扬与交货期延长至“令人担忧的程度”。“当交货期来到20周左右的水平，意味着零组件供应端与需求端出现了很大的差异;”追踪半导体与零组件价格的iSuppli资深分析师Rick Pierson表示。
当零组件供应端出现吃紧情况，对照目前正处于复苏状态的市场，或许并不令人惊讶;Pierson指出，特定的市场与价格也激化各种零组件领域出现不同程度的短缺。根据iSu
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电源管理 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK® SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电
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Vishay MOSFET SiR880DP
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg)，为客户的特定应用提供
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IR MOSFET HEXFET
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg)，为客户的特定应用提供
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IR MOSFET HEXFET
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