- 许多汽车制造商设计了一种节省汽车燃料的巧妙方法，就是运用了被称为“启动/停止”系统的新概念。该系统...
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MOSFET 引擎 离合器
- 摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。
关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能
1 LM
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控制器 -LM5046 全桥移 驱动器 MOSFET 集成
- 新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。 便携式产品(如手机、数码照相机、
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比较 MOSFET 晶体管 双极结 VCEsat
- 随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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MOSFET 高精度 设计技巧
- 全新沟道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面贴装器件 (SMD) 封装，电压范围从 40V 至 200V。标准和逻辑电平栅级驱动 MOSFET 都为 IR 车用塑料封装 MOSFET 产品系列设定了导通电阻性能新标准。基准导通电阻在 40V 下最大为 1.25 毫欧，60V 下最大为2.1 毫欧，75V 下为 2.6 毫欧，100V 下为 4.0 毫欧。在 D2Pak-7P 封装中许多器件的最大额定电流达 240A。
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IR MOSFET
- 为了减轻对环境的影响，最新的电子设备急需高效率化，并且对其中配备的电机、LED等功率器件的控制也逐渐形成用微处理器/DSP等来控制的趋势（软件控制）。因此，电子设计工程师除了需要微处理器/DSP的知识之外，关于功率器件的驱动知识也是必不可少。
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新日本无线 MOSFET 驱动器NJW4800
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内燃机 (ICE) 和混合动力汽车平台上的其它重载应用。
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IR MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
新推出的器件系列采用多种标准封装，电流范围为50A至180A，囊括30多个器件型号，其中包括通态电阻最低的车用P沟道40V MOSFET。180A是P沟道工艺的基准。
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英飞凌 汽车电源 MOSFET
- 2011 年 9 月 13 日— Intersil公司（纳斯达克全球交易代码：ISIL）今天推出业内首款双6A峰值电流驱动能力的双通道MOSFET驱动器---ISL89367。此款独特器件为设计人员提供了高速驱动多个并联大电流功率MOSFET的集成解决方案，非常适合用于开关电源、电机驱动器和D类放大器等应用。
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Intersil MOSFET
- 英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
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英飞凌 MOSFET 40V OptiMOS P2
- 随着家用电器、视听产品的普及，办公自动化的广泛应用和网络化的不断发展，越来越多的产品具有了待机功能，以随时...
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待机功耗 MOSFET
- 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也...
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MOSFET MOSFET驱动电路
- 首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道M...
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PMOS 开关管 MOSFET 二极管
- 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出用于汽车系统自安崭新的可调节输出非同步升压控制器。
NCV8871是一款输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件，能用于驱动外部N沟道MOSFET。此器件包含的内部稳压器为门驱动器提供电荷，它在休眠模式下的静态电流为3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它还具有可同步开关频率特性，提供两种分别可设定为典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
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安森美半导体 MOSFET 非同步升压控制器 NCV8871
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