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贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

  • 2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子  (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC(现已被 Qorvo®收购)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率,同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
  • 关键字: 贸泽  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  

UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合

  • 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案,Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电(快速 DC 和工业)和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装,为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下,第四
  • 关键字: UnitedSiC  Qorvo  750V  SiC FET  

UnitedSiC(现为 Qorvo)针对电源设计扩展更高性能和效率的750V SiC FET 产品组合

  • Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封装选项,Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电(快速 DC 和工业)以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制,能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on),其额定值分别为 9、11、18、23、33、
  • 关键字: UnitedSiC  Qorvo  电源  SiC FET  

GaN是否具有可靠性?或者说我们能否如此提问?

  • 鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前,您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是,没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世,电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。事实上,GaN行业已经在可靠性方面投入了大量精力和时间。而人们对于硅可靠性方面的问题措辞则不同,比如“这是否通过了鉴定?”尽管GaN器件也通过了硅鉴定,但电源制造商仍不相信采用硅方法可以确保GaN FET的可靠性。这是一个合理的观点,因
  • 关键字: GaN  FET  电源  可靠性  

贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,为各类电源应用提供更好的支持

  • 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC(现已被Qorvo®收购)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品,此第四代器件具有出色的导通电阻特性,适用于主流800V总线架构中的电源解决方案,如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。 贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了
  • 关键字: SiC  FET  

UnitedSiC(现已被Qorvo收购)宣布推出行业先进的高性能1200V第四代SiC FET

  • 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构,这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示:“我们通过
  • 关键字: Mentor P  Qorvo  SiC FET  

UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)宣布推出行业先进的高性能 1200 V第四代SiC FET

  • 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构,这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示:“我们通过
  • 关键字: SiC  FET  

场效应管常用的三大作用:放大作用、恒流输出、开关导通

  • 1、放大电路场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点,因此经常作为多级放大电流的输入级,与三极管一样,根据输入、输出回路公共端选择不同,将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态,如下图是场效应管共源放大电路,其中:Rg是栅极电阻,将Rs压降加至栅极;Rd是漏极电阻,将漏极电流转换成漏极电压,并影响放大倍数Au;Rs是源极电阻,为栅极提供偏压;C3是旁路电容,消除Rs对交流信号的衰减。2、电流源电路恒流源在计量测试应用很广泛,如下图是主要是由场效应管组成的恒流源电路,这是可作为磁电式仪表调标尺工序。由于场
  • 关键字: MOSFET  MOS  场效应管  

开关电源MOS管有哪些损耗,如何减少MOS管损耗

  • 一、什么是开关电源开关模式电源(SwitchModePowerSupply,简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源(例如市电)或是直流电源,而输出多半是需要直流电源的设备,例如个人电脑,而开关电源就进行两者之间电压及电流的转换。二、开关损耗开关损耗包括导通损耗和截止损耗。1、导通损耗指功率管从截止到导通时,所产生的功率损耗。截止损耗指功率管从导通到截止
  • 关键字: 开关电源  MOS  MOSFET  

采用SiC FET尽可能提升图腾柱PFC级的能效

  • 图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率,但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过,SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。正文交流输入电源的设计师必须竭力满足许多要求,包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他们通常需要进行权衡取舍,一个好例子是既要求达到服务器电源的“钛”标准等能效目标,又要用功率因素校正(PFC)将线路谐波发射保持在低水平,以帮助电网可靠高效地运行。在大部分情况下,会通过升压转换器部分实施PFC,升压转换器会将整流后
  • 关键字: SiC FET  PFC  

揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构

模电设计的九个级别,你到哪个段位了?

  • 模拟电路设计的九个级别,类似下围棋的段位。请从一段到九段仔细阅读,看看自己处于什么水平,值得一看哦~
  • 关键字: 模电  模拟电路  MOS  

TI为何把首款GaN FET定位于汽车和工业应用

  • GaN(氮化镓)作为新一代半导体材料,正有越来越广泛的应用。近日,德州仪器(TI)宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET,分别面向车用充电器和工业电源,可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会?此次GaN FET的突破性技术是什么?为此,电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1   GaN在电源领
  • 关键字: GaN  FET  SiC  

5A、3.3V和5V电源符合严格的EMI辐射标准

  • 严苛的汽车和工业环境中的噪声敏感型应用需要适用于狭小空间的低噪声、高效率降压稳压器。通常会选择内置MOSFET功率开关的单片式降压稳压器,与传统控制器IC和外部MOSFET相比,这种整体解决方案的尺寸相对较小。可在高频率(远高于AM频段的2 MHz范围内)下工作的单片式稳压器也有助于减小外部元件的尺寸。此外,如果稳压器的最小导通时间(TON)较低,则无需中间稳压,可直接在较高的电压轨上工作,从而节约空间并降低复杂性。减少最小导通时间需要快速开关边沿和最小死区时间控制,以有效减少开关损耗并支持高开关频率操作
  • 关键字: EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

宽禁带生态系统:快速开关和颠覆性的仿真环境

  • 宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外,我们还提供spice物理模型,帮助设计人员在仿真中实现其应用性能,缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
  • 关键字: IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  
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