在开关电源应用MOS管的时候,在很多电源设计人员的都将采用一套公式,质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。在开关电源应用MOS管的时候,在很多电源设计人员的都将采用一套公式,质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。那么栅极电荷和导通阻抗很重要,这都是对电源的效率有直接的影响,主要是传导损耗和开关损耗。还有在电源中第二重要的是MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管在ORing F
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MOS
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓(GaN)功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用,适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑,加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。 不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路,Transphorm 的 SuperG
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Transphorm SuperGaN FET 驱动器
碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管,但需要使用低热阻封装,比如 TO-247。然而,此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文,了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商,它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、
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Qorvo 开尔文 FET
学习模拟电子技术基础,和电子技术相关领域的朋友,在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管(MOS管)了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢?在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢?学习模拟电子技术基础,和电子技术相关领域的朋友,在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管(MOS管)了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢?在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢?首先我们明确一下二者的概念三极管:全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控
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功率放大器 MOS
MOS 晶体管正在按比例缩小,以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。MOS 晶体管正在按比例缩小,以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。在我们尝试了解各种漏电流成
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MOS 晶体管
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路:第二种:器件发热损坏由超出安全区域引
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MOS
基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186,这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。EPC9186在每个开关位置使用四个并联的EPC2302,可提供高达200 Apk的最大输出电流。EPC9186包含所有必要的关键功能电路
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EPC GaN FET ARMS 电机驱动器
奈梅亨,2023年5月10日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件,从GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
用过MOS管的小伙伴都知道,其内部有一个寄生二极管,有的也叫做体二极管。PMOS管做开关用,S极作电源输入,D极作输出,当Vsg大于阈值电压,MOS管导通,一般MOS管的导通内阻都很小,毫欧级别,过几安培的电流,压降也才毫伏级别,此时体二极管是截至状态的。用过MOS管的小伙伴都知道,其内部有一个寄生二极管,有的也叫做体二极管。1、PMOS管做开关用,S极作电源输入,D极作输出,当Vsg大于阈值电压,MOS管导通,一般MOS管的导通内阻都很小,毫欧级别,过几安培的电流,压降也才毫伏级别,此时体二极管是截至状
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MOS 二极管
当今行业中发现的大多数 FET 都是由硅制成的,因为它具有出色且可重现的电子特性。根据摩尔定律,硅受到薄通道厚度下迁移率下降的困扰,这为高度缩放的设备保持强静电。过渡金属二硫化物 (TMD) 等二维沟道材料可用于 FET 以解决此问题。由于2D 材料具有二维表面,因此它们具有更好的迁移率水平,包括在 0.7 A 下实现激进的沟道长度缩放。自从在现代电子产品中引入场效应晶体管 (FET) 以来,理论和应用电路技术已经取得了多项改进。FET 是低频和中频的低噪声放大器以及高输入阻抗放大器、电荷敏感放
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栅极 FET
3月下旬,全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动,Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向电源、物联网和汽车等领域的最新进展。Matter出世,化解万物互联生态壁垒物联网让我们曾经畅想的万物互联生活逐渐成为现实,但要将数以百亿计的设备进行有效的互联还面临巨大壁垒,Matter 标准的出现打破了这个局面。作为Matter的积极参与者,Qorvo 率先打造符合 Matter 标准的
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Qorvo Matter SiC FET UWB
安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来,硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓(GaAs)和砷化镓、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体,它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
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NCP51820 安森美 半导体 电源供应器 GaN MOS Driver
晶体管是一个简单的组件,可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中,将带你了解晶体管是如何工作的,以便你可以在后面的电路设计中使用它们。 一旦你了解了晶体管的基本知识,这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管:BJT和MOSFET。 晶体管的工作原理就像电子开关,它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关,晶体管类似于继电器,因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开,这对于放大器的设计很有用。晶体管是一个简单的组件,可以使用它来构建许多有
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放大器 晶体管 MOS BJT
开关电源(Switch Mode Power Supply,简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是电源供应器的一种高频化电能转换装置,也是一种以半导体功率器件为开关管,控制其关断开启时间比率,来保证稳定输出直流电压的电源。开关电源(Switch Mode Power Supply,简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是电源供应器的一种高频化电能转换装置,也是一种以半导体功率器件为开关管,控制其关断开启时间比率,来保证稳定输出直流电压的电源。在目前电子产品的飞速增长中,开关电源凭借其70%~
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瑞森半导体 MOS 开关电源
极限TP4057充电模块TP4057是一款单节锂电池专用的恒流/恒压线性充电IC,其内部带有电池反接保护及防倒充电路。该充电IC的工作电压范围为4~6V,静态工作电流仅有40μA模块尺寸8x10mm。集成锂电保护和指示灯。可作为SMT贴片模块使用贴装在其他主板上
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充电IC TP4054 TP4056 TP4057 电源管理IC MOS
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