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背光用LED产品的材料吃紧现象有可能在2011年缓解

  •   目前市场上的液晶电视用LED背光模组有很强的需求,LED晶片厂受惠于这类需求而扩产,采购了大量的MOCVD设备。   由于扩产的幅度大,包括蓝宝石基板、MO源、相关组件和材料在2010下半年是否会呈现缺货,已经是市场观察重点,许多零组件和材料已经呈现涨价的趋势。   不过,相关供应商也逐步扩产因应,LED晶片材料吃紧的情况,可望在2011年获得缓解,LED产品的价格依据应用类别不同,而会有持平或不同的价格变动。
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德国MOCVD设备商AIXTRON接获上海龙德芯光电设备订单

  •   德国MOCVD设备供货商AIXTRON AG于日前接获上海龙德芯光电公司的设备订单,预计于2010年Q2出货。   龙德芯光电将利用AIXTRON MOCVD设备生产GaN高亮度LED,藉以进军显示器背光产业。   目前中国大陆厂商积极引入MOCVD机台,届时多家厂商开出的产能相当可观,值得留意。
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LED产业热过头还是刚开头

  •   “现在LED投资确实又有‘热过头’的倾向,LED产业洗牌是必然的。”   2010年7月,浙江省最大的LED产业园--杭州湾LED产业园将投产。位于浙江海盐的杭州湾LED产业园总规划占地面积1000亩,预计总投资规模超过30亿元,正倾力打造中国第八大半导体照明产业基地。近年来,LED产业在中国快速走热。公开资料显示,仅2009年上半年,全国各地纷纷上马LED项目总投资预算已超过200亿元。   LED产业投资是否过热?会不会像前些年多晶硅投资一样产能
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MOCVD产能过剩或设备闲置的状况不久可能出现

  •   在“Strategies in Light(光战略)”会议上,来自美国市场调研机构Strategies Unlimited的Robert Steele指出,为了应对高亮度LED市场的巨大需求,在未来两年内,每年高亮度LED产能增幅需要达到50%,才能满足市场需求。根据MOCVD设备产能模式估算,目前已布局或下单的MOCVD设备足以满足未来几年的需求。更高生产效率的MOCVD(42~45片×2英寸)的出现,可能会在不久的未来某些时候或某些地方出现MOCVD产能过剩或设
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市场传出三星、应用材料也要跨入生产MOCVD设备

  •   市场传出韩厂三星电子及美国厂商应用材料(Applied Materials Inc.)可能将跨入用于制造LED的MOCVD设备领域。   据有关消息显示,三星目前正在自行开发MOCVD设备,用来供自家厂房使用,不会进行销售。   应用材料方面,据传该公司已向美国能源部取得资金来研发新设备,预料将至2011年底期间内推出MOCVD设备,最后的生产阶段则很可能会在新加坡、台湾完成。市场预估应材可能会在未来2个月内,推出一款MOCVD设备的测试版本。   LEDinside表示,市场上确实是有新的MO
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传统照明与LED照明的战争

  •   在当今节能环保大气候下,传统光源的缺点尽显无遗,必将遭到节能型光源的淘汰。传统光源白炽灯、卤钨灯、金属卤化物灯(HID)进出口萎缩,而节能型光源荧光灯及放电灯进口保持增长。尤其是LED照明光源(芯片及相关设备、原材料等等)进口大幅增长,环比超过30%,今后每年将以超过35%的速度增长。   基于目前MOCVD、芯片、原材料的供应状况,以及LED价格下降速率,据GLII预测:到2015年LED照明渗透率将达到25%左右,2020年的渗透率达60%左右。   对于传统照明企业来说,切入LED照明并非不
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MOCVD机台数量大增 LED蓝宝石基板供应恐怕在2011年出现供应吃紧现象

  •   由于南韩、日本、中国大陆与台湾许多LED厂正大幅扩充LED产能,预期对上游材料需求增加幅度高,届时供应可能会吃紧。国际上已经有多家原料供应厂商也积极拓展产能。   2011年全球新增加的MOCVD磊晶机台数量,LEDinside预估和2010年水准差不多,以2010年来看预估是约500台,2011年这方面的数字可能只会多不会少。   有蓝宝石基板厂认为,MOCVD机台扩产数量大,2011年对上游材料的需求将呈现高度成长,对于蓝宝石基板厂商是利多。   目前在LED蓝宝石长晶的业者有鑫晶钻、越峰,
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设备厂:今年景气好 无供过于求疑虑

  •   LED晶粒缺货持续延烧,除原本金属有机物化学气相沉积(MOCVD)机台大缺之外,业界又掀起三缺之说,包括蓝宝石基板、化学源以及人才通通都缺,同时,在终端市场包括TV与监视器的LED背光源渗透率提高,带动需求不减之下,设备业者认为,LED产业即便进行大扩产,2010年仍不至于有供过于求的问题,可望持续好到2011年上半。   MOCVD大厂Veeco大中华区总经理王克扬指出,MOCVD进入第2季依然供应吃紧,在一线大厂先卡位抢下大部分机台后,二线厂也纷纷抢进,这波设备供不应求,除由于扩产需求大增外,许
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MOCVD接单畅旺 Veeco获利报喜

  •   受惠于LED厂积极扩产,有机金属化学汽相沉积系统(MOCVD)设备大厂Veeco首季营收达1.632亿美元,年增120%,季成长12%,本业每股稀释盈余0.49美元,远优于2009年同期的本业每股亏损0.22美元,截至3月底在手订单金额已达5.02亿美元。   Veeco近年来积极拓展MOCVD市占率,直追MOCVD老大Aixtron,其中大中华区颇有斩获,台湾新世纪光电已在2010年第1季订购数台甫推出的TurboDisc K465i GaN MOCVD机台,以便扩充高亮度LED产能,另外,大陆L
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看好LED再热3年 广镓年底阔产7成

  •   受惠于LED应用多元,LED上游磊晶供不应求,LED磊晶厂广镓光电将积极扩产,目前MOCVD机台为40台,计划年底时将再增加28台,产能将较目前再增加70%,广镓董事长陈进财表示,由于LED晶粒颗粒需求大增,目前LED晶粒供给只有需求的一半,因此不只是2010年缺,可能连2011年都会维持缺货。   广镓3月营收达新台币2.99亿元,年成长约181.49%,已创下单月历史新高纪录,累计第1季营收为8.02亿元,年增率为227.15%。法人预估,广镓4月营收将超越3亿元,且2010年应用于电视背光源的
  • 关键字: LED  MOCVD  

晶电证实全球LED芯片出现部份缺货现象

  •   晶电副总经理张世贤日前对外表示,LED芯片缺货,且已从高阶芯片蔓延到较小尺寸芯片。他并透露,现阶段厂商需求面来看,晶电只能满足五成到六成。   目前连低阶的LED芯片都缺,原本供应手机的中高阶芯片,约在1800~2000mcd的规格,许多厂商都往2000~2400mcd发展,这些产能转向高阶后,像中国市场白牌手机和日光灯管等应用的芯片,也出现缺货的现象。   也因此,当前LED磊晶厂的业务压力升高,要设法满足客户需求。晶电方面已经有扩产动作,4月份可增加3~4台MOCVD,2010年Q2约增10~
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蓝宝石基板大缺 LED晶粒短缺变本加厉

  •   LED应用市场扩增,除了金属有机物化学气相磊晶(MOCVD)机台供不应求,造成晶粒产能不及开出,上游晶粒材料蓝宝石基板也告急缺货,第2季起价格调涨2成,LED业者表示,预计供应缺口将持续至年底,目前正大肆展开供应厂商认证作业,以防年底缺货冲击加深,至于应用端影响,估计对于TV背光渗透率冲击不大,但晶粒产能转移,对于照明应用供应将缩减。   受惠LED TV等新应用渗透率大增,加上背光、照明应用以及官方政策扶植等带动LED需求,蓝宝石基板抢手程度水涨船高。LED业者表示,过去由于台湾供应蓝宝石基板切片
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鼎元LED专案落户福州 一期建设采购30台MOCVD

  •   据悉,鼎元光电一LED专案将落户福州机电园,力争在6月18日前在福州机电园举行动工仪式。   鼎元LED专案占地300亩,规划厂房5.5万平方米,总投资约30亿元人民币。项目分两期建设,其中一期建设30台MOCVD机,投资约10亿元,投产后可实现年产值约9亿元。   另外,该公司将视市场情况在3年内扩充至100台MOCVD机,年产值可达30亿元人民币。同时,鼎元光电将引进一批有实力的下游封装和应用产品厂商,形成完整的产业链,预计2015年形成年产值300亿元人民币左右的产业链规模。
  • 关键字: 鼎元  LED  MOCVD  

LED芯片厂积极扩张 产业进入成长期

  •   据Semiconductor引述研究机构SEMI报导,统计全球180座LED/光电晶圆厂(Opto/LEDFab)分布,日本厂商拥有最多的LED/光电晶圆厂,然LED晶圆厂的分布地区排行,则以台湾、日本及大陆包办前3名。   位于台湾、日本及大陆的LED厂数量目前分别占全球40%、23%及22%.2009年景气不佳,全球仍有7座新的LED厂启用,且2010及2011年预计分别还有5座及6座预备启用,主要位于大陆、台湾、日本、印度及俄罗斯。   尽管台湾已拥有全球最高的LED晶圆制造能力,然包含晶元
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台积电LED厂动土 年底装机生产

  •   编者点评(莫大康 SEMI China顾问):台积电切入LED的作法值得学习,它从研发入手,而不是急于出产值。众所周和,LED与半导体相近,都是设备先导,即MOCVD设备起关键作用。目前LED刚启步,全球产值在60亿美元,而作芯片的上游企业并不多,因为MOCVD的价格高及GaN等材料的多元组份尚有大量的研发工作要做。所以台积电在LED方面的思路是欲“一鸣惊人”,值得中国有关企业学习。   台积电25日于竹科举行LED照明技术研发中心暨量产厂房动土典礼,为跨入绿色能源新事业写下
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mocvd介绍

MOCVD   MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体 [ 查看详细 ]

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