全球领先的无线射频(RF)前端解决方案供应商SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)宣布，任命高国洪(Daniel K. Ko)担任亚太区市场推广总监。高国洪将负责制订和执行面向特定地区和产品的战略和战术营销计划，以改善产品定位，并在快速增长的亚太地区中赢得具有竞争力的市场份额。
高国洪将与外部合作伙伴、内部工程团队及SiGe半导体的客户服务和现场应用工程师团队密切工作，充分发挥公司在亚太区无线消费电子市场的拓展能力。
SiGe半导体市场推广副总裁Alistair M
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SiGe RFIC MMIC
介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术，基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC~40 GHz，插入损耗≤0．8 dB，隔离度≥25 dB，驻波比≤1．4：l。同时，对电路的通孔特性进行了分析，对电路设计流程进行了阐述。要获得期望带宽的开关，如何选择控制器件的通孔连接方式，以及通孔数量对插入损耗等性能的影响。最终，具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发。
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GaAs MMIC SPST GHz
使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，现开始样品供货。
近年来，手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加，因终端接收信号灵敏度不足，故具有高增益／高线性／低噪声的高性能LNA是市场需要。新日本无线为满足这种市场需求，开发了NJG1134HA8（08年3月27日发表）。NJG1129MD7就是为了满足市场所求的更高灵敏度，所开发了1SEG用宽带LNA GaAs MMIC。
该产品是可支持47
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新日本无线 宽带低噪声放大器 GaAs MMIC NJG1129MD7
Avago Technologies(安华高科技)日前宣布，推出三款专门用来满足无线网络测试和测量设备应用复杂功能需求的新MMIC产品。AMMC-6380、-6470与-6350为相当适合需要高精度高频仪器和信号处理支持测试和测量应用的微电路产品。 采高效率串接式设计，Avago的AMMC-6380是一个相当适合高增益和高带宽应用的DC到80 GHz行波放大器，AMMC-6470则是可以以300 mA低直流静态电流工作的40到
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测试 测量 安华高科技 MMIC 通信基础
Avago Technologies(安华高科技)宣布，推出三款专门用来满足无线网络测试和测量设备应用复杂功能需求的新MMIC产品，Avago是为通信、工业和消费类等应用领域提供模拟接口零组件的领导厂商。AMMC-6380、-6470与-6350为相当适合需要高精度高频仪器和信号处理支持测试和测量应用的微电路产品。 采高效率串接式设计，Avago的AMMC-6380是一个相当适合高增益和高带宽应用的DC到80 GHz行波放大器，AMMC-6470则是可以以300
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通讯 无线 网络 安华高科技 MMIC 高带宽
GaAsMMIC控制电路由于体积小、重量轻、开关速度快、抗辐射、可靠性高、几乎无功耗等显著优点在许多电子系统中获得广泛应用。
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MMIC GHz DC 50
mmic介绍
单片微波集成电路（MMIC）， 有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制造技术的发展，特别是离子掺入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而出现的一类高频放大器件。在这类器件中，作为反馈和直流偏置元件的各个电阻器都采用具有高频特性的薄膜电阻，并且与各有源器件一起封装在一个芯片上，这使得各零件之间几乎无连线，从而使电路的感抗降至最低，且分布电容也极小，因而可用在工作频率和频宽都很高的MM [
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