在开关电源电路设计当中，电流的转换分为很多种。其中直流转换是较常见的一种设计。通常称为DC-DC转换，是指将一个电压值转化为另一个电压值电能的装置。直流转换设计在开关电源当中非常常见，也是新手接触比较多一种电路设计，本篇文章将为大家介绍这种电路当中非同步与同步的区别。
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DC-DC MOS 同步 开关电源 非同步
如同摩尔定律所述，数十年来，芯片的密度和速度正呈指数级成长。众所周知，这种高速成长的趋势总有一天会结束，只是不知道当这一刻来临时，芯片的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，芯片密度不断增加，而闸级氧化层宽度不断减少，超大规模集成电路(VLSI)中常见的多种效应变得原来越重要且难以控制，天线效应便是其中之一。
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IC设计 天线 天线效应 充电损害 MOS
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。
MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，
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MOS MOS驱动电路
半导体行业的重组还在继续。恩智浦半导体(NXP Semiconductors)将把经营分立器件、逻辑芯片、功率MOS半导体等产品的标准产品业务部门出售给中国的投资公司(英文发布资料)。
标准产品业务部门2015年财年的销售额为12亿美元，约占恩智浦总销售额(61亿美元)的2成。该部门约有员工1.1万名，约为恩智浦总员工数量(4.5万)的2.5成。
出售金额约为27.5亿美元，购买方是北京建广资产管理有限公司(简称“建广资产”)与Wise Road Capital两家
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恩智浦 MOS
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。 静电放电形成
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MOS 击穿
前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模式，具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管，从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小，我们所用的型号约为0.1欧姆的样子，这样正常工作时上面最大压降非常小，只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏，上面的功率损耗为0.064瓦，对于电源控制来说是一种效果不错的器件。 虽然MOS管导通内阻非常小，但所流过的电流也有最大限制，如果电流过大，比如外接负载短路，同样会被烧毁。短路都是非正常工
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防短路 MOS
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管. 1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿 由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出来的
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场效应晶体管 MOS
当我们还是学生的时候，不论从做题还是原理分析上,通常会重点学习NPN和PNP三极管的特性：静态工作特性计算、动态信号分析等等。对于MOS管，老师一般都会草草带过，没有那么深入的分析和了解，一般都会说MOS管和三极管的不同就是一个是电压控制，一个是电流控制，一个Ri大，一个Ri小等等。除了这些明显的特性，下文就从工作实战的角度进行MOS场效应管的分析。 首先我们来看下经常使用的增强型mos场效应管：N沟道和P沟道mos场效应管。 在消费类电子设计中由于对功耗要求比较严格，通常使用N沟道和P沟道MOS
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MOS 场效应管
所有MOS集成电路(包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD)，实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与
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MOS 集成电路
简介： 今天一个刚刚入行的朋友找到我说，他的老板给了他一个MOS管让他测管子的fmax,帮他测完之后，他还问到怎么才能加大这个fmax~~想到自己也曾千辛万苦的琢磨这个参数，就写个短短的文章说一下fmax到底是什么和哪些参数有关。
这两个频率都是晶体管的重要参数，无论BJT还是MOS，也决定了将来电路能工作到的最大频率(当然这个最大频率是绝对不可能到fmax和ft的)。这两个频率其实离得不远，那他们有什么差别呢：ft是用电流增益来定义的，fmax是用最大功率增益来定义的，千万别弄混了哦。下图是一
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MOS fmax
国外知名维修网站iFixit今天对iPad Mini 4进行了拆解，确认该平板比前代装备了更小的电池容量。正如此前科技评测网站Ars Technica对其进行的GeekBench 3测试结果，通过物理拆解确认iPad Mini 4装备2GB的内存和时钟频率为1.5GHz的 A8处理器，这意味着该平板要比iPhone 6s/6s Plus(1.4GHz的A8处理器)性能更卓越，要比前代iPad mini 2/3所搭载的1.3GHz A7处理器有着明显的性能提升。
iFi
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iPad Mini 4
简介：注释：静电损坏器件是击穿，和烧毁是两个概念，不要混淆在一起。
前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模式，具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管，从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小，我们所用的型号约为0.1欧姆的样子，这样正常工作时上面最大压降非常小，只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏，上面的功率损耗为0.064瓦，对于电源控制来说是一种效果不错的器件。
虽然MOS管导通内阻非常小，但所流过的电
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静电损坏 MOS
欧盟EUP环保指令你知道吗?你知道此指令对静态能耗有什么要求吗?我们产品上需要怎样应对呢?下面给你解决此问题的电源供电方案。
2009年1月6日，欧盟电子类产品待/关机模式之EuP能耗指令执行措施已正式生效，其生态化设计要求与去年7月经欧盟生态化设计管理委员会批准的工作草案相同。厂商需在2010年1月6日前达到第一阶段的要求，2013年1月6日达到第二阶段要求。
图1 Eup图标
我们来了解一下EuP能耗指令第二阶段的具体要求，
1、产品在关机或待机
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MOS AC-DC
去年光棍节，全球最小的Mini PC“光棍一号”横空而出，绝佳的创意、强悍的性能再加上迷你的尺寸，让这款产品在登录京东众筹之后获得了巨大成功。早几天，该产品团队带来了光棍一号第二代“光棍一号T02”再度来袭，据设计方MeegoPad团队透露，该产品从性能、散热、接口方面都做了巨大升级。我们拿到了一个样机，重度拆解，透视其真相。
在拆解之前，我们先了解一下T02的具体参数：
下面是我们收到的产品包装盒外观：
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Mini PC
【前言】在高端MOS的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，MOS常莫名其妙的失效，有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破?一个合适的电阻就可搞定问题。
【问题分析】
上图为典型的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS关闭后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，导致VS端产生负压，且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位，导致驱动电路异常，还可能让自举电容过充电
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MOS SCR
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