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Vishay推出新款Power Metal Strip电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip 电阻--- WSLP2726和WSLP4026，该电阻兼具5W～7W的高功率等级和0.5mΩ的极低阻值。器件采用4接头设计，可实现1.0%的稳定电阻容差。
- 关键字： Vishay 电阻 Power Metal Strip
Vishay帮助客户进一步了解Vishay Dale电阻技术的先进性
- Vishay在官方网站上发布Power Metal Strip®分流电阻如何应用在定制产品中的解决方案的视频介绍 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻技术用于定制产品，满足特定用户的需求，Vishay在其网站(http://www.vishay.com)新增加了一个介绍Power Metal Stri
- 关键字： Vishay Power Metal Strip 分流电阻
Vishay推出Bulk Metal箔电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基准、密封充油的Bulk Metal®箔电阻 --- H和HZ系列，在精度、稳定性和速度上都设定了新的行业基准。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范围，在至少6年内(未受潮)的工厂寿命稳定率可达2ppm(±0.0002%)，上升时间小于1ns。H系列的最大TCR为±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR仅有&plus
- 关键字： Vishay 箔电阻 Bulk Metal
特许半导体四季度上马32nm工艺 明年转入28nm
- 新加坡特许半导体计划在今年第四季度推出32nm制造工艺，明年上半年再进一步转入28nm。 特许半导体很可能会在明天的技术论坛上公布32nm SOI工艺生产线的试运行计划，并披露28nm Bulk CMOS工艺路线图，另外45/40nm LP低功耗工艺也已就绪。 特许的28nm工艺并非独立研发，而是在其所处的IBM技术联盟中获取的，将会使用高K金属栅极(HKMG)技术以及Gate-first技术(Intel是Gate-last的坚定支持者)。 特许半导体2009年技术论坛将在台湾新竹市
- 关键字： 特许半导体 32nm 28nm Gate-first
Vishay 推出首款 Power Metal Strip 电阻
- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出两款高性能表面贴装 Power Metal Strip® 电阻，这两款电阻是业界率先采用 3921 及 5931 封装尺寸且工作温度范围介于 –65°C～+275°C 的此类器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的专有结构将固体金属铁铬合金电阻元件与低 TC
- 关键字： Vishay Power Metal Strip 电阻
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