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lte芯片 文章 进入lte芯片技术社区

LTE芯片商赶送样4G市场热战一触即发

  •   量测业者已陆续接获长程演进计划(LTE)产品测试订单,且全球电信营运商也纷纷开通LTE服务,推估2012~2013年将成为LTE起飞的时间点;而由于晶片导入终端设计的测试时程约需半年时间,4G晶片商均赶在年底前将晶片送样,以期在明后年的LTE设备需求热潮中占有一席之地。  
  • 关键字: LTE芯片  4G  

展讯董事长李力游:年内将推出40纳米LTE芯片

  •   8月17日消息,展讯董事长兼CEO李力游在接受搜狐IT专访时透露,展讯将于今年年底前推出基于40纳米技术的LTE芯片。   在3G芯片方面,展讯今年1月份曾推出了全球首款采用40纳米技术的商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G。李力游表示,相对高通和联发科等其他厂商,展讯推出的40纳米TD-HSPA/TD-SCDMA多模芯片已使TD-SCDMA终端成本大幅下降,目前已与2.5G终端成本基本持平。
  • 关键字: 展讯  LTE芯片  

LTE芯片厂商群雄争霸

  •   2011年5月17日消息,未来全球LTE芯片的竞争格局将变得相当复杂,各个阵营的厂商均加入到LTE芯片这个行业,大家憋足了劲,将目光全部投向了这个未来最大的蛋糕,并且一些由于在3G时代受制于个别厂商的专利垄断,不能施展拳脚的2G芯片厂商更是将LTE作为东山再起的最后一个“新大陆”。 
  • 关键字: 三星  LTE芯片  

TD-LTE芯片的射频性能测试完成

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 创毅视讯  安捷伦  TD-LTE芯片  射频性能  

免费参加LTE上行功率控制在线中文版研讨会

  •   应广大中国用户的要求,广受关注的罗德与施瓦茨公司英文版LTE上行功率控制在线研讨会现已推出中文版本,并于2009年11月6日起在EDN China网站上首播,本次在线研讨会将针对如何进行LTE中不同的物理层信号及物理信道(PUSCH, PUCCH, SRS)上行功率控制,为您提供详尽的技术解答。会上还将进一步讨论与3G(WCDMA)的差异,以及LTE终端上行功率控制测试方法。   本次网上研讨会为期三个月,感兴趣的朋友可在2009年11月6日至2010年2月5日之间的任何时间免费点播,赶快点击htt
  • 关键字: R&S  LTE芯片  3G  

英飞凌交付第10亿颗射频收发器,并推出下一代LTE芯片

  •   英飞凌科技股份公司近日宣布,公司已经交付了第 10亿颗射频收发器。根据市场研究公司Strategy Analytics报告,2006年英飞凌共交付超过2.3亿颗手机收发器,在这个总容量超过10亿颗的市场上拥有领先市场份额。英飞凌提供通信IC产品已逾15年,客户包括移动电话市场上所有的大型厂商,如诺基亚、三星、摩托罗拉、索尼爱立信和LG等。   英飞凌通信解决方案业务部副总裁兼射频引擎业务分部总经理Stefan Wolff表示:“我们每秒钟生产7颗射频收发器,世界上大约有四分之一的手机集成了英飞凌射频
  • 关键字: 嵌入式系统  单片机  英飞凌  射频收发器  LTE芯片  模拟IC  
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