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jfet-mosfet 文章 进入jfet-mosfet技术社区

通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题

  • 高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。 在过去20年间，额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展；如今，随着额定电压为1700V的功率器件的推出，
  • 关键字： SiC MOSFET  功率转换  

RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白

  • 现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设计，研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管，打破了进口品牌垄断的局面 。一、破局进口品牌垄断现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设
  • 关键字： RS瑞森半导体  MOSFET  

单芯片驱动器+ MOSFET技术 改善电源系统设计

  • 本文介绍最新的驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模块（VRM）应用中的优势。单芯片DrMOS组件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。随着技术的进步，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速。因此，这些组件需要的功率急剧增加。微处理器所需的此种电源由稳压器模块（VRM）提供。在该领域，推动稳压器发展的主要有两个参数。首先是稳压器的功率密度（单位体积的功率），为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度。另一个参数是功率转换效率，高
  • 关键字： 单芯片  驱动器  MOSFET  DrMOS  电源系统设计  

安森美：聚焦SiC产能扩建，推出最新MOSFET产品

  • 近日，安森美公布了2022年第三季度业绩，其三季度业绩直线上扬，总营收21.93亿美元，同比增长25.86%；毛利10.58亿美元，同比增长46.82%。财报数据显示，其三大业务中，智能电源组营收为11.16亿美元，同比增长25.1%；高级解决方案组营收7.34亿美元，同比增长19.7%；智能感知组营收为3.42亿美元，同比增长44.7%，三大业务全线保持增长。自安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美执行了一系列的战略转型，聚焦于智能电源和智能感知两大领域，从传统的I
  • 关键字： 安森美  SiC  MOSFET  

Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。  多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离(BMS)、直流
  • 关键字： Nexperia  MOSFET  ASFET  SOA  

安森美推出采用创新Top Cool封装的MOSFET

  • 2022年11月17日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部冷却，帮助设计人员解决具挑战的汽车应用，特别是电机控制和DC-DC转换。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封装，尺寸仅5mm x 7mm，在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘，可以将热量直接散发到散热器上，而不是通过传统的印刷电路板（以下简称“PCB”）散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面，减少PCB发热，从而提高功率密度
  • 关键字： 安森美  Top Cool封装  MOSFET  

如何将第三代 SiC MOSFET 应用于电源设计以提高性能和能效

  • 在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶体管架构应运而生。在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
  • 关键字： Digi-Key   MOSFET  

全SiC MOSFET模块让工业设备更小、更高效

  • SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。东芝推出并已量产的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是这样的产品，其最大亮点是全SiC MOSFET模块，不同于只用SiC SBD（肖
  • 关键字： Toshiba  MOSFET  

认识线性功率MOSFET

  • 本文针对MOSFET的运作模式，组件方案，以及其应用范例进行说明，剖析标准MOSFET的基本原理、应用优势，与方案选择的应用思考。线性MOSFET是线性模式应用时最合适的选择，能够确保可靠的运作。然而，用于线性模式应用时，标准MOSFET容易产生电热不稳定性，从而可能导致组件损坏。A类音讯放大器、主动式DC-link放电、电池充放电、浪涌电流限制器、低电压直流马达控制或电子负载等线性模式应用，都要求功率 MOSFET组件在电流饱和区内运行。了解线性模式运作在功率 MOSFET 的线性工作模式下，高电压和高
  • 关键字： Littelfuse  线性功率  MOSFET  

电源系统设计优化秘技:单片驱动器+MOSFET(DrMOS)

  • 现阶段，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速，令这些器件所需功率急剧增加，直接导致向微处理器供电的稳压器模块(VRM)的升级需求：一是稳压器的功率密度（单位体积的功率）升级，为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度；另一是功率转换效率提升，高效率可降低功率损耗并改善热管理。目前电源行业一种公认的解决方案，是将先进的开关MOSFET（稳压器的主要组成部分）及其相应的驱动器集成到单个芯片中并采用高级封装，从而实现紧凑高效的功率转换。这种DrMOS功率级优化了高速功率转换。随着对这
  • 关键字： 电源系统设计  单片驱动器  MOSFET  DrMOS  

科普：MOSFET结构及其工作原理

  • MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。市面上大家所说的功率场效应晶体管通常指绝缘栅MOS型(Metal Oxide Semico
  • 关键字： MOSFET  

基于英飞凌SIC MOSFET 和驱动器的11kW DC-DC变换器方案

  • REF-DAB11KIZSICSYS是一个CLLC谐振DC/DC转换器板，能够提供高达11kW的800 V输出电压，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性价比和功率密度更高。凭借其高效的双向功率变换能力和软开关特性，是电动汽车和能量存储系统（ESS）等DCDC项目的理想选择。 终端应用产品30 kW 至 150 kW 的充电机，50 kW 至 350 kW 的充电机，储能系统，电动汽车快速充电，功率转换系统 （PCS）►场景应用
  • 关键字： mosfet  dc-dc  英飞凌  ipcdcdc  infineon  终端  功率  dc  充电器  

上海贝岭为USB-PD应用提供高性能驱动IC和MOSFET解决方案

  • 智能化便携式电子设备诸如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等的不断更新换代，功能越来越丰富，随之带来了耗电量急剧上升的挑战。然而，在现有电池能量密度还未取得突破性进展的背景下，人们开始探索更快的电量补给，以高效充电来压缩充电时间，降低充电的时间成本，从而换取设备的便携性，提升用户体验。目前，USB-PD是最为主流的快充技术。该技术标准具有18W、20W、35W、65W和140W等多种功率规格，以及5V、9V、12V和20V等多种电压输出。灵活的电压电流输出配置让各种电子设备都能通过一条USB-TYPE C线缆
  • 关键字： 上海贝岭  驱动IC  MOSFET  

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项：一般测量方法

  • SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时
  • 关键字： 罗姆半导体，MOSFET  

东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。  新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约
  • 关键字： 东芝  SiC MOSFET  
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