基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，
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Nexperia SMD 铜夹片 LFPAK88 MOSFET
_____碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面，这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。这些物质的采用旨在克服硅的局限性，而这些局限性源自其是一种窄禁带材料，所以会引发不良的导电性泄漏，且会随着温度、电压或频率的提高而变得更加明显。这种泄漏的逻辑极限是不可控的导电率，相当于半导体运行失效。在这两种宽禁带材料中，GaN主要适合中低档功率实现方案，大约在1 kV和100 A以下。GaN的一个显著增长领域是它在LED照明中的应用，而且在汽车
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MOSFET IGBT
据报道，近年来，光伏逆变器制造商采用SiC MOSFET的速度越来越快。最近，又有两家厂商在逆变器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德国KATEK集团宣布，其Steca太阳能逆变器coolcept fleX系列已采用纳微半导体的GeneSiC系列功率半导体，以提高效率，同时减少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于沟槽辅助平面栅极SiC MOSFET技术，可以在高温和高速下运行，寿命最多可延长3倍，适用于大功率和快速上市的应用。1月13日，美国制造商Brek Electronics开发了采
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SiC MOSFET
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。因此，通常需要将电流限制在一个特定值。大多数功率转换器都有过流限制器，以保护其免受额外电流造成的损坏。在一些DC-DC转换器中，甚至可以调整阈值。图1. 每个端口输出电流为1 A的充电宝中的电流限制。在图1中，还可以使用具有内置甚至可调节限流器的DC-DC升压转换器。在这种情况下，无需额外的限流器模块。不过，也有许多应
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ADI MOSFET
今天,Ameya360给大家介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。因为接下来的几篇将谈超级结MOSFET相关的话题，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上，根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。下图表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件
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MOSFET 超级结MOSFET
电源应用中的 MOSFET 大多是表面贴装器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封装。通常选择这些 SMD 的原因是它们具有良好的功率能力，同时尺寸较小，从而有助于实现更紧凑的解决方案。尽管这些器件具有良好的功率能力，但有时散热效果并不理想。由于器件的引线框架（包括裸露漏极焊盘）直接焊接到覆铜区，这导致热量主要通过PCB进行传播。而器件的其余部分均封闭在塑封料中，仅能通过空气对流来散热。因此，热传递效率在很大程度上取决于电路板的特性：覆铜的面积大小、层数、厚度和布局。无论电路板是
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安森美 MOSFET
银河微电12月20日在互动平台表示，功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产；IPM模块已完成一款封装的量产，未来将根据市场情况逐步系列化；DFN0603无框架封装已完成工艺验证，性能指标符合开发目标要求；CSP0603封装已完成技术开发，未来芯片线改扩建时将进行成果转化。
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银河微电 MOSFET
_____“ 动态特性是功率器件的重要特性，在器件研发、系统应用和学术研究等各个环节都扮演着非常重要的角色。故对功率器件动态参数进行测试是相关工作的必备一环，主要采用双脉冲测试进行。”按照被测器件的封装类型，功率器件动态参数测试系统分为针对分立器件和功率模块两大类。长期以来，针对功率模块的测试系统占据绝大部分市场份额，针对分立器件的测试系统需求较少，选择也很局限。随着我国功率器件国产化进程加快，功率器件厂商和系统应用企业也越来越重视功率器件动态参数测试，特别是针对分立器件的测试系统提出了越来越多
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MOSFET
高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。功率MOSFET开关损耗有2个产生因素：1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。图1 功率MOSFET
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MOSFET ZVS
碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压 SiC MOSFET 器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状，对高压 SiC MOSFET 器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。1 引言电力电子变换已经逐步进入高压、特高压领域，高压功率器件是制约变换器体积、功耗和效率的决定性因素。特高压交直流输电、
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SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL™封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构，通过引入一个铜夹片将源极连接件和外
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东芝 MOSFET
功率半导体器件，也称为电力电子器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。逆变（直流转换成交流）、整流（交流转换成直流）、斩波（直流升降压）、变频（交流之间转换）是基本的电能转换方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽车是功率器件增量需求主要来源01 下游应用领域广泛，新能源汽车为主作为电能转化和电路控制的核心器件，功率器件下游应用十分广泛，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨道交通等，根据每个细分领域性能要求
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功率器件 IGBT MOSFET 国产替代
罗姆今年发布了他们的第4代（Gen4）金氧半场效晶体管（MOSFET）产品。新系列包括额定电压为750 V（从650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半场效晶体管，以及多个可用的TO247封装元件，其汽车级合格认证达56A/24mΩ。这一阵容表明罗姆将继续瞄准他们之前取得成功的车载充电器市场。在产品发布声明中，罗姆声称其第4代产品“通过进一步改进原有的双沟槽结构，在不影响短路耐受时间的情况下，使单位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示，“此外，显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳
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罗姆 ROHM MOSFET
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应
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Vishay 对称双通道 MOSFET
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