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jfet-mosfet 文章 进入jfet-mosfet技术社区

利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环

  • 摘要在无线收发器等应用中,系统一般处于偏远地区,通常由电池供电。由于鲜少有人能够前往现场进行干预,此类应用必须持续运行。系统持续无活动或挂起后,需要复位系统以恢复操作。为了实现系统复位,可以切断电源电压,断开系统电源,然后再次连接电源以重启系统。 本文将探讨使用什么方法和技术可以监控电路的低电平有效输出来驱动高端输入开关,从而执行系统电源循环。 简介为了提高电子系统的可靠性和稳健性,一种方法是实施能够检测故障并及时响应的保护机制。这些机制就像安全屏障,能够减轻潜在损害,确保系统正常运行
  • 关键字: MOSFET  系统电源循环  ADI  

如何增强系统鲁棒性?这三样法宝请您收下!

  • 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二极管以及其他更先进的器件。文中还介绍了一种集成多种功能以提供整体系统保护的理想二极管解决方案。二极管是非常有用的器件,对许多应用都很重要。标准硅二极管的压降为0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说,压降不是问题,但在高电流应用中,各个压降会产生显著的功率损耗。理想二极管是此类应用的理想器件。幸运的是,MOSFET可以取代标准硅二极管,并提供意想不到的应用优势。简介理想二极管使用低导通电阻功率开关(通常为MOSFET)来模拟二极管的单向
  • 关键字: MOSFET  二极管  功率开关  

SiC MOSFET用于电机驱动的优势

  • 低电感电机有许多不同应用,包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关频率(50-100kHz)来维持所需的纹波电流。然而,对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)无法满足这些需求,如果是380V系统,硅MOSFET耐压又不够,这就为宽禁带器件开创了新的机会。在我们的传统印象中,电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件,而SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的
  • 关键字: 英飞凌  SiC  MOSFET  

NMOS和PMOS详解

  • 一、简介MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。其中,G是栅极,S是源极,D是漏极。二、nmos和pmos的原理与区别NMOSNMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
  • 关键字: MOSFET  NMOS  PMOS  

ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

  • ~产品阵容新增具有低噪声、高速开关和超短反向恢复时间特点的5款新产品~全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”,新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。 近年来,随着照明用的小型电源
  • 关键字: ROHM  Super Junction MOSFET  

英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

  • 数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司顺应系统层面的发展趋势,推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置(Source-Down)封装,标准门级和门级居中引脚排列形式均提供底部冷却型和双面冷却型以供选择;此外,该产品组合还包含稳定可靠的超小型的PQFN
  • 关键字: 英飞凌  沟槽功率  MOSFET  

Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准

  • 奈梅亨,2023年11月30日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后Nexperia将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高,可满足电动
  • 关键字: Nexperia  SiC  MOSFET  工业电源开关  

Nexperia与三菱电机就SiC MOSFET分立产品达成战略合作伙伴关系

  • Nexperia近日宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系,共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业,双方联手开发,将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度,同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节能。该公司提供的高性能SiC模块产品性能可靠,在业界享有盛誉。日本备受赞誉的高速新干线列车采用了这些模块,并以出色的效率、安全性和可靠性闻名遐迩。N
  • 关键字: Nexperia  三菱电机  SiC MOSFET  

了解 MOSFET 通态漏源电阻

  • 分立 MOSFET 数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻,缩写为 R DS (on)。这个 R DS (on)想法看起来非常简单:当 FET 处于截止状态时,源极和漏极之间的电阻非常高,以至于我们假设电流为零。当 FET 的栅源电压 (V GS ) 超过阈值电压 (V TH ) 时,它处于“导通状态”,漏极和源极通过电阻等于 R DS(on) 的沟道连接。然而,如果您熟悉 MOSFET 的实际电气行为,您应该很容易认识到该模型与事实不符。首先,FET 并不真正具有“导通状态”。当未处于截止状态时(我们在此
  • 关键字: MOSFET  通态漏源电阻  

东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET,适用于带有USB的设备以及电池组保护

  • 中国上海,2023年11月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET,适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。   截至目前,东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品,主要用于智能手机锂离子电池组的保护。30V产品的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择,如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组保护。&nbs
  • 关键字: 东芝  N沟道共漏极  MOSFET  

2023年慕尼黑华南电子展:EEPW&先之科半导体科技(东莞)有限公司

  • 先之科半导体科技(东莞)有限公司于2018年成立,旗下子公司先科电子于1991年就开始专注于半导体分立器件研发及销售,在半导体行业闯荡了32年。作为一家成熟的半导体企业,先之科拥有占地60亩的生产基地,超过1400名员工,保证了其1.8亿只的日产能,让其旗下产品可以出现在任何需要它们的地方。今天展会之上,先之科为我们带来了丰富的产品,包括各类二极管、整流管、保护器件、三极管以及MOSFET,横跨汽车电子、光学逆变器和通信电源等领域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻,其采用了分立式封装,
  • 关键字: 先之科  半导体分立器件  二极管  整流管  三极管  MOSFET  

IGBT/MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计

  • 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分;驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处(例如外部栅极电阻器上)损失的功率。在以下示例中,我们将讨论使用 Avago ACPL-332J(2.5nApeak 智能栅极驱动器)的 IGBT 栅极驱动器设计。本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦
  • 关键字: IGBT  MOSFET  

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

  • 功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例,详细说明了上述概念。也许,今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。CPU的电源电流最近每两年就翻一番。事实上,今天的便携式核电源电流需求会高达60A或更多,电压介于0.9V和1.75V之间。但是,尽管电流需求在稳步增
  • 关键字: MOSFET  开关电源  

SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀

  • 不断增长的消费需求、持续提高的环保意识/环境法规约束,以及越来越丰富的可选方案,都在推动着人们选用电动汽车 (EV),令电动汽车日益普及。高盛近期的一项研究显示,到 2023 年,电动汽车销量将占全球汽车销量的 10%;到 2030 年,预计将增长至 30%;到 2035 年,电动汽车销量将有可能占全球汽车销量的一半。然而,“里程焦虑”,也就是担心充一次电后行驶里程不够长,则是影响电动汽车普及的主要障碍之一。克服这一问题的关键是在不显著增加成本的情况下延长车辆行驶里程。本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化
  • 关键字: 电动汽车  逆变器  SiC  MOSFET  

SiC MOSFET 器件特性知多少?

  • 对于高压开关电源应用,碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事,即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用,但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢,因此仅限用于较低的工作频率。因此,硅 MOSFET 更适合低压、高频操作,而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件,能够像 IGBT 一样进行高压
  • 关键字: SiC  MOSFET  IGBT  WBG  
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