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jfet-mosfet 文章

宽禁带生态系统:快速开关和颠覆性的仿真环境

  • 宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外,我们还提供spice物理模型,帮助设计人员在仿真中实现其应用性能,缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
  • 关键字: IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

东芝面向车载应用推出恒流2相步进电机驱动IC

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,面向车载应用推出恒流2相步进电机驱动IC“TB9120AFTG”。新款IC仅使用一个简单的时钟输入接口就能输出正弦波电流,无需功能先进的MCU或专用软件。TB9120AFTG的开发是为了接替东芝于2019年推出的首款车载步进电机驱动IC“TB9120FTG”,它能提供更加优异的抗噪声性能。TB9120AFTG采用带低导通电阻(上桥臂+下桥臂=0.8Ω(典型值))的DMOS FET,可实现的最大电流为1.5A[1]。DMOS FET和产生微步正弦波(最高可
  • 关键字: IC  QFN  MOSFET  

InnoSwitch3-AQ已通过Q100认证;可在30 V至550 V直流输入下高效工作

  • 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 近日宣布 InnoSwitch™3-AQ 已经开始量产,这是一款已通过AEC-Q100认证的反激式开关IC,并且集成了750 V MOSFET和次级侧检测功能。新获得认证的器件系列适用于电动汽车应用,如牵引逆变器、OBC(车载充电机)、EMS(能源管理DC/DC母线变换器)和BMS(电池管理系统)。 InnoSwitch3-AQ 采用Power Integrations的高速Flux
  • 关键字: OBC  BMS  EMS  MOSFET  IC  

英飞凌推出62mm CoolSiC™模块,为碳化硅开辟新应用领域

  • 英飞凌科技股份公司近日为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗
  • 关键字: MOSFET  TIM  IGBT  

高可靠性、节省空间的降压/反激式开关IC适合400 VDC电动汽车应用

  • 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司 Power Integrations 近日发布已通过AEC-Q100认证的新款 LinkSwitch™-TN2 开关IC,新器件适合降压或非隔离反激式应用。新款汽车级LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET,可为连接到高压母线的电动汽车子系统提供简单可靠的电源,这些子系统包括HVAC、恒温控制、电池管理、电池加热器、DC-DC变换器和车载充电机系统。这种表面贴装器件不需要散热片,只需要很少的外围元件,而且占用的PC
  • 关键字: IC  MOSFET  

瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器

  • 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团近日宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品;新款HIP2210提供三电平PWM输入,以简化电源和电机驱动器设计。HIP2211和HIP2210非常适用于48V通讯电源、D类音频放大器、太阳能逆变器和UPS逆变器。该产品坚固耐用,可为锂离子电池供电的家用和户外产品、水泵及冷却风扇中的48V电机驱动器供电。HIP221x驱动器专为严苛工作条件下的
  • 关键字: MOSFET  UPS  PWM  

自有技术加持,安世新一代GaN助力工业汽车应用

  • 宽禁带半导体特别是GaN和SiC这两年成为整个功率器件材料关注的焦点,由于GaN具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于......
  • 关键字: 安世  GaN  MOSFET  

ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”,非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品,通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3,改善了二者之间的矛盾权衡关系,与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约4
  • 关键字: EV  OBC  MOSFET  

Diodes 公司的电源块 MOSFET 可提升功率转换器效率并节省 PCB 空间

  • Diodes 公司近日宣布推出新一代首款独立 MOSFET。 DMN3012LEG 采用轻巧封装,可提升效率,大幅节省各种电源转换与控制产品应用的成本、电力与空间。DMN3012LEG 在单一封装内整合双 MOSFET,尺寸仅 3.3mm x 3.3mm,相较于典型双芯片解决方案,电路板空间需求最多减少 50%。此节省空间的特点,有利于使用负载点 (PoL) 与电源管理模块的一系列产品应用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降压转换器与半桥电源拓扑,以缩小功率转换器解决方案的尺寸。P
  • 关键字: MOSFET  PoL  

东芝面向汽车ECU推出MOSFET栅极驱动器开关IPD

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元(ECU)的供电电流的通断,并计划于今日开始出货。TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSFET[2],适用于负载电流的高侧开关。作为一种电子开关,这种新型IPD能够避免机械继电器的触头磨损,有助于缩小车载ECU的尺寸并降低功耗,同时还提供免维护功能。通过提供增强功能(自我保护功能和输出到微控制器的各种内置诊断功能)以支持车载ECU所需的高可
  • 关键字: 栅极驱动器  MOSFET  IPD  ECU  

采用D²PAK 7pin+封装的StrongIRFET™ MOSFET瞄准电池供电应用

  • 英飞凌科技股份公司进一步壮大 StrongIRFET™ 40-60 V MOSFET产品阵容 ,近日推出三款采用D²PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力,可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。这三款全新MOSFET瞄准电池供电应用,包括电动工具、电池管理系统和低压驱动装置等。全新D²PAK 7pin+封装使得本已种类丰富的StrongIRFET™封装阵容更加壮大。这能带来更多选项,有助于选择应对设计挑战的理想功率器件。此外,
  • 关键字: 电池  MOSFET  

NexperiaP沟道MOSFET,采用省空间坚固LFPAK56封装

  • 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准,适合汽车应用,可作为DPAK MOSFET的理想替代产品,在保证性能的基础上,将封装占位面积减少了50%以上。  新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择,导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封装采用铜夹片结构,由Nexperia率先应用,已在汽车等要求
  • 关键字: Nexperia  P沟道  MOSFET  LFPAK56封装   

Nexperia推出超微型MOSFET具备低导通电阻RDS(on)

  • Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品,采用超小型DFN0606封装,适用于移动和便携式产品应用,包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on),采用常用的0.35 mm间距,从而简化了PCB组装过程。 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。由于采
  • 关键字: ​Nexperia  MOSFET  

科锐推出新型650V MOSFET,提供业界领先效率,助力新一代电动汽车、数据中心、太阳能应用创新

  • 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
  • 关键字: 科锐  650V MOSFET  电动汽车  

碳化硅发展势头旺,英飞凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王  莹  (《电子产品世界》编辑)近期,多家公司发布了碳化硅 (SiC)方面的新产品。作为新兴 的第三代半导体材料之一,碳化硅 具备哪些优势,现在的发展程度 如何?不久前,碳化硅的先驱英飞凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC™ MOSFET ,值此机会,电子产品世 界访问了英飞凌电源与传感系统事 业部大中华区开关电源应用高级市 场经理陈清源先生。 碳化硅与氮化镓、硅材料的关系 碳化硅MOSFET是一种新器 件,使一些以前硅材料很难被应用 的电源转换结构,例如电流连续模 式
  • 关键字: 202004  碳化硅  CoolSiC™ MOSFET  
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