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ir-uwb 文章

基于变换采样的超宽带接收机设计

  • 基于变换采样的超宽带接收机设计, 在高精度UWB定位系统中,目标信号是超短脉宽的脉冲,有很宽的带宽,为了对这种宽带信号进行处理,我们要求如下两个条件。1)设计应该实现超高的采样率。对于UWB定位系统,恢复较好的脉冲波形以获得较高时间分辨率信息
  • 关键字: 变换采样  FPGA  可编程延时芯片  ADC  UWB  接收机  

IR多功能IRS2983控制IC 为高性能调光应用简化而设

  • 全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International R
  • 关键字: LED  驱动  IR  IC  

抑制SSN的新型内插L-EBG结构

  • 本文提出的是一种基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)结构的创新型结构,对于同步开关噪声(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更优秀的特性。我们设计的这款新型EBG结构,是在周期性L-bridge EBG结构的基础上,在一些单元内插小型的L-bridge EBG。通过仿真验证,此结构具有传统型L-bridge EBG结构所不具有的超带宽抑制能力和较大的抑制深度。然后我们运用电路模型和平行板谐振腔原理分析了该结构上下变频。另外,通过3-D
  • 关键字: EBG  SSN  电源完整性   IR-Drop  201607  

IR的电池保护MOSFET系列为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案

  •   全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。        全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件,最高栅极驱动从12 Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD
  • 关键字: IR  MOSFET  IRL6297SD  

D类放大器市场突飞猛进 厂商新品频出

  •   D类音频放大器可以在90%左右的效率水平下运行,让设计者能够利用小型散热器或者无需散热器即可提供极高的音频输出。它已逐渐成为高端家用A/V设备以及移动设备的首选拓扑,能够帮助设计者实现高性能与小尺寸组合,而这正是全世界用户所期望和需要的。   现在,高集成度D类放大器件,包括单个封装内的整个放大器模块的出现让企业能够更快地将价格极具竞争力的新产品推向市场,并且其音频性能达到或者超过了传统的模拟放大器。因此,D类音频放大器近十年来市场突飞猛进,年复合增长率远远高于应用特殊型音频器件。   D
  • 关键字: IR  D类放大器  

IR新品AUIRFN8403提供紧凑5x6mm PQFN封装

  •   全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403,适合需要极小占位面积和大电流性能的汽车应用,包括泵电机控制和车身控制等。  使用紧凑5x6mm PQFN封装的AUIRFN8403,是IR运用该公司最先进的COOLiRFET 40V沟道技术的全新器件系列的首款产品,具有3.3 mΩ超低导通电阻和95A大电流承载能力。PQFN封装具有加长管脚,管脚的端口通过电镀进行焊接,从而
  • 关键字: IR  MOSFET  COOLiRFET  

IR为工业应用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

  •   球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用,包括大功率直流电机,直流/交流逆变器,以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。   全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能,从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具备
  • 关键字: IR  MOSFET  DirectFET  

IR智慧型功率模组简化家电马达驱动器设计

  •   国际整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系统级封装(System-In-Package,SIP)节能智慧型功率模组(IntelligentPowerModule)系列,有效缩小及简化空调、风扇、压缩机和洗衣机等家电马达驱动应用的设计。   IR亚太区销售副总裁潘大伟表示,要超越IR上一代IRAM产品所建立的行业标准基准并非易事,全新IRAMGen2平台能够利用下一代IRAM系统级封装智慧型功率模组的先进技术,通过改善热效能及减少电磁杂讯,以满足市场对更高效家电应用马达驱动器与日俱增的需求
  • 关键字: IR  驱动器设计  

一种新型双陷波特性的超宽带单极子天线设计

  • 摘要 提出了一种新型双陷波特性的超宽带单极子天线。通过在介质基板上添加锥形辐射贴片,天线可以覆盖超宽带通信频段。在辐射贴片上引入上、下两个锥形缝隙结构,可以实现3.5 GHz、5.5 GHz的双陷波特性。天线实测模型电压驻波比<2的阻抗带宽是2.56~10.61GHz,其中3.18~3.76 GHz和4.4~5.75 GHz具有陷波特性。测试表明,天线在工作频带内具有全向辐射特性。 20世纪90年代,超宽带技术已经应用于军事领域。随着短距离无线通信的发展,2002年美国联邦通信委员会划分3.1~1
  • 关键字: 天线  UWB  

非交叉馈电的印刷对数周期天线的频域特性

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 对数周期天线  印刷天线  非交叉馈电  UWB  

IR扩充StrongIRFET系列

  •    国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。  全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界
  • 关键字: IR  StrongIRFET  MOSFET  

IR全新D类音频芯片组优化音频放大器性能

  •     全球功率半导体和管理方案领导厂商 - 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)推出全新D类音频芯片组,内含IRS20965数字音频驱动器IC,可提供受保护的脉冲宽度调制 (PWM) 开关和完整的音频MOSFET ,旨在为高性能D类音频放大器产品作出优化。  IRS20965具有高侧和低侧独立浮动脉冲宽度调制输入,能够从外部的脉冲宽度调制控制器进行死区时间控制。新I
  • 关键字: IR  PWM  IRS20965  音频  

IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列

  •   全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))。  IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装,导通电阻典型值只有500µΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合动态ORing和电子保险丝 (eFuse) 
  • 关键字: IR  StrongIRFET  IRL6283M  

IR CHiL为新一代运算平台提供经过优化并配备电源管理总线的端对端方案

  •   全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代电源管理总线 (PMBus) 驱动的多功能CHiL数字脉冲宽度调制 (PWM) 控制器,和集成式PowIRstage解决方案,可在多种中端到高端服务器、桌面和运算应用内大幅提升效率、缩减电路板空间及减少部件数量。  IR全新的数字控制器符合Intel VR12和VR12.5的规格
  • 关键字: IR  PMBus  CHiL  PWM  

持续监测回转窑的Raytek CS210过程成像系统新增3D视图和耐火材料管理功能

  •   福禄克公司旗下Raytek®品牌, 红外(IR)测温技术的世界领先供应商,已对其用于水泥窑的CS210过程成像系统的功能进行了扩展,增加了可选的可集成至系统软件的3D视图和耐火材料管理数据库模块。这种增强的窑体扫描系统通过持续监测回转窑来探测耐火材料损失、损坏和损耗导致的热点,从而使得水泥制造商可以避免代价高昂的窑体损坏和意外停工。  利用现已支持多达4台扫描仪的CS210红外线(IR)扫描解决方案,水泥厂经营者可确定回转窑耐热材料的有效性,检测失效的耐火砖,从而采取相应的措施,防止更大的损
  • 关键字: 福禄克  IR  CS  
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