- IGBT是电力电子装置的CPU，在电力电子变流和控制中起着举足轻重的作用。变频器中，IGBT模块更为重要。但是，IGBT模块会经常出现爆炸的情况。下面，小编就结合案例具体分析一下。 定义 一、IGBT爆炸：因为某些原因，模块的损耗十分巨大，热量散不出去，导致内部温度极高，产生气体，冲破壳体，这就是所谓的IGBT爆炸。 二. IGBT爆炸原因分析 1.爆炸的本质是发热功率超过散热功率，内部原因应该就是过热。 2.人为因素 (1)进线接在出线的端子上(2)变频器接错电源(3)没按要求接负载3.常
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IGBT，变频器
- Mar. 7, 2019 ----
全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出，受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加，MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价，带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币，较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币，较2017年同比增长8%。 集邦咨询分析师谢瑞峰指出，功率半导体作为需求驱动型的产业，2019年
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IGBT SiC
- 比亚迪不仅在汽车制造上实力深厚，在手机代工和其它业务方面，仍然保持走在行业前沿的水平。作为我国重要的制造企业代表，比亚迪在行业中具有模范作用，相信经过不断技术突破和进步，比亚迪将会为我国众多制造企业树立一个又一个全新的示范里程碑!
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小米9 比亚迪 IGBT
- 国内汽车界中，“一芯难求”的现状被打破了。
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IGBT
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：工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是：更高的短路电流电平、更小的芯片尺寸，以及更低的热容量和短路耐受时间。这凸显了栅极驱动器电路以及过流检测和保护功能的重要性。本文讨论现代工业电机驱动中成功可靠地实现短路保护的问题。 工业环境中的短路：工业电机驱动器的工作环境相对恶劣，可能出现高温、交流线路瞬变、机械过载、接线错误以及其它突发情况
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工业电机 IGBT
- 11月7日，富士电机株式会社电子元件事业本部CTO藤平龙彦博士一行到访青铜剑科技。这是继今年5月应用技术部部长五十岚征辉博士来访之后，富士电机高层再次莅临青铜剑科技商谈合作事宜，标志着双方合作进入新阶段。
青铜剑科技总工程师高跃博士和市场总监蔡雄飞对藤平龙彦博士一行的来访表示热烈欢迎，详细介绍了公司的核心产品以及与富士电机的合作进展。藤平龙彦博士对青铜剑科技最新的IGBT驱动产品非常关注，仔细询问了产品的性能优势和应用领域，对青铜剑科技的研发实力表示充分肯定。会谈期间，双方对下一步的合作重点和计划
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青铜剑 IGBT
- 11月8日，成都航天科工微电子系统研究院有限公司董事长武春风一行到访青铜剑科技，董事长汪之涵博士、总工程师高跃博士和副总裁傅俊寅陪同接待，双方就合作事宜进行了深入交流。 汪之涵博士陪同武春风一行参观了公司展厅和研发实验室，详细介绍了青铜剑科技的核心产品、领先技术、应用领域及公司发展规划等情况。武春风对青铜剑科技的科技创新成果表示积极肯定。座谈中，双方就航天领域的前沿技术和热点话题进行了深入探讨和讨论，进一步商谈了合作细节，一致表示未来将扩展多渠道的合作。 航天科工微电子系统研究院秉持“信息互通、资
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青铜剑 IGBT
- IXYS公司新推出的IXIDM1403驱动模块旨在为市场提供IGBT驱动器件，使设计周期缩短，设计成本做到尽可能最低，并具有极高的紧凑性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持双通道大功率IGBT模块，隔离电压高达4000 V，开关速度高达50 kHz，具有短路保护和电源电压监控功能。 IXIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片组的高压隔离栅极驱动模块，它允许创建隔离的IGBT驱动器，在初级侧和次级侧之间以及次级侧驱动器之间设置高压隔离栅。它创建了一个非常灵活
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IXYS IGBT
- 本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：
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IGBT 软开关 损耗
- 电动汽车(也叫新能源汽车)是指以车载电源为动力，用电机驱动车轮行驶，符合道路交通、安全法规各项要求的车辆由于对环境影响相对传统汽车较小，它的前景被广泛看好近年来在国家环保政策的激励下，在大家对绿色低碳健康生活的憧憬下，电动汽车正日益普及。中国是世界最大的汽车市场，中国新能源汽车业近年来快速发展令世界瞩目。据Goldman Sachs报道，2016年中国电动汽车占全世界电动汽车的45%, 这一百分比到2030年可能升至60%。根据中国的“一车一桩”计划，电动汽车充电桩总数在2020年将达480万个，与现
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安森美 IGBT SiC
- 设计高性能的驱动与保护电路是安全使用IGBT的关键技术.日本FUJI公司的EXB841芯片是一种典型的适用于300A以下IGBT的专用驱动电路，具有单电源、正负偏压
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EXB841 IGBT 驱动电路 优化设计
- pwm是脉宽调制,在电力电子中，最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。对三相电来说，就需要三个桥臂。以两电平为例，每个桥臂上有两个
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PWM DSP IGBT
- 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
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IGBT 过流保护 过压保护 过热保护
- 车用电气/电源/电子系统的发展动向 自上世纪70年代以来，为应对石油禁运，减少对石油的依赖性，节能减排就成为汽车业重点关注的。汽车中电子成分不断增加。环境及能源法规促进电动汽车/混合动力汽车蓬勃发展。 以内燃机作为唯一动力来源的传统汽车，正在实现汽车功能电子化的好处，以提高整体汽车燃油效率。轻度混合动力和微混合动力汽车越来越流行，尤其是内置 48V 动力配件的汽车。除了支持 12V 系统无法支持的高功率负载(>10kW)外，添加 48V系统的另一个好处是，由于使用较小的仪表接线，车辆配电系统
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安森美，IGBT
- 本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用
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IGBT 驱动电路 单片机
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