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51单片机I/O口使用经验
- 按常规,在51端口(P1、P2、P3)某位用作输入时,必须先向对应的锁存器写入1,使FET截止。一般情况是这样,也有例外。所谓IO口内部与电源相连的上拉电阻而非一常规线性电阻,实质上,该电阻是由两个场效应管并联在一起:一个FET为负载管,其阻值固定;另一个FET可工作在导通或截止两种状态(姑且叫可变FET)。使其总电阻值变化近似为0或阻值较大(20千欧--40千欧)两种情况。当和端口锁存器相连的FET由导通至截止时,该阻值近似为0,可将引脚快速上拉至高电平;当和锁存器
- 关键字: 单片机 I/O MCU和嵌入式微处理器
S i/C负极在实际应用中的失效原因分析
- 近几年来,Si由于具有较高的比容量而成为锂离子蓄电池负极材料的研究热点。但是,硅在反复充放电过程中经历很大的体积变化,很快发生明显容量衰减。虽然许多研究机构以及材料厂商通过表面改性、掺杂以及复合等方法,对材料进行了优化,取得了一定的效果,但仍然不是十分理想,在实际应用中还存在着许多的问题,因此还没有得到广泛的实际应用。我们将一种Si/C负极材料应用于14500圆柱形电池体系中,对它与碳负极电池的基本性能进行了对比,并对该种Si/C负极材料在实际应用中存在的问题以及失效原因进行了分析。 1实验
- 关键字: 嵌入式系统 单片机 S i/C MCU和嵌入式微处理器
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