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车载信息娱乐系统 I/O端口
新型带多媒体功能和随处可接的智能电话的设计复杂度是一项巨大挑战。i.Smart智能电话参考设计可帮助手机开发商走一条明智而快捷的上市之路,它提供了一个全面的硬件参考设计、若干开放型操作系统软件支持包和开发工具套件。
今天手机用户梦想的特性包括:极快速而广泛的连接选择并可挑选一种方便、创新的移动应用,但这些特性明天就将成为需求。为了满足越来越高的用户期望值,制造商正面临开发新型、带多媒体功能和“永远连接”的智能电话所具有的令人难以置信的复杂度。
摩托罗拉的i.Smar
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摩托罗拉 i.MX 多媒体 智能电话 i.Smart
美国国家仪器有限公司(简称NI)推出4种用于PXI平台的新型R系列 I/O模块,这些模块都配备了高性能的Xilinx Virtex®-5现场可编程门阵列(FPGA)芯片。NI PXI-7841R, PXI-7842R, PXI-7851R 和PXI-7852R模块具有8个模拟输入、8个模拟输出和96个数字I/O通道,而且模拟输入的速率比以前版本的R系列设备快3.5倍以上。这些新型模块为工程师和科学家们提供了即时可用的硬件;不仅如此,这
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NI I/O模块 FPGA LabVIEW
2008年5月,美国国家仪器有限公司(简称NI)推出4种用于PXI平台的新型R系列 I/O模块,这些模块都配备了高性能的Xilinx Virtex-5现场可编程门阵列(FPGA)芯片。NI PXI-7841R, PXI-7842R, PXI-7851R 和PXI-7852R模块具有8个模拟输入、8个模拟输出和96个数字I/O通道,而且模拟输入的速率比以前版本的R系列设备快3.5倍以上。这些新型模块为工程师和科学家们提供了即时可用的硬件;不仅如此,这些硬件还可通过NI LabVIEW FPGA软件进行图
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NI I/O模块 FPGA 嵌入式 设计
國內高速I/O通訊的領導廠商—創惟科技,宣布其USB 2.0電腦視訊攝影機控制晶片(產品代號: GL860A)通過數家客戶的驗證,現已獲國內外多家筆記型電腦品牌大廠採用並順利量產。GL860A產品除了應用於目前市場上筆記型電腦之主流機種外,還包括未來有極高成長動能的簡易筆記型電腦、低價筆記型電腦和強調手持行動性高的行動網路裝置(MID, Mobile Internet Device)。GL860A目前出貨量呈現穩定成長,也顯示創惟在影像IC市場上前景可期。
GL860A
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I/O 創惟 電腦視訊
摘要:介绍美国Cygnal公司生产的C8051F02X系列单片机的外部存储器接口、I/O端口配置方法和有关注意的问题;在此基础上列举两个关于EMIF、I/O的配置应用。
关键词:C8051F02X EMIF I/O 交叉开关
美国Cygnal公司C8051F02X系列单片机是集成在一起芯片上的混合信号系统级单片机。该单片机具有32/64位数字I/O端口(引脚)、25MIPS高速流水线式8051微控制器内核、64KB在系统可编程Flash存储器、64KB地址的外部存储器接口、4352(4096
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C8051F02X EMIF I/O 交叉开关
在系统应用中,需监控不同的输入信号或控制几个输出信号,有时把这些信号线直接连接到微处理器引脚。这些监控和控制用软件来做。然而,这种技术需要很多微处理器引脚。
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I2C I/O
Hittite Microwave公司日前发布两款用于频率范围为3~7GHz的点对点无线电、WiMAX基础设施、测试装置和军事应用的无源GaAs MESFET I/Q混频器。
HMC620LC4是一个可在3~7GHz频率范围内提供32dB镜像抑制、43dB LO至RF隔离度以及+22dBm稳定输入IP3性能的无源I/Q混频器/IRM。这个经过精心设计的双平衡混频器集成电路可确保出色的振幅和相位平衡,同时将变频损耗限制在标称值8dB。HMC620是一个工作频率范围相同的紧凑型芯片混频器,可提供33
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Hittite Microwave I/Q 混频器 测量仪器用电源
结合采用低功耗元件和低功耗设计技术在目前比以往任何时候都更有价值。随着元件集成更多功能,并越来越小型化,对低功耗的要求持续增长。当把可编程逻辑器件用于低功耗应用时,限制设计的低功耗非常重要。本文将讨论减小动态和静态功耗的各种方法,并且给出一些例子说明如何使功耗最小化。
功耗的三个主要来源是启动、待机和动态功耗。器件上电时产生的相关电流即是启动电流;待机功耗又称作静态功耗,是电源开启但I/O上没有开关活动时器件的功耗;动态功耗是指器件正常工作时的功耗。
启动电流因器件而异。例如,基于SRAM
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嵌入式系统 单片机 FPGA 低功耗 I/O
凌力尔特公司(Linear)推出新的高线性度直接转换 I/Q 解调器 LT5575,该器件极大地降低了 3G 和 WiMAX 基站接收器的成本。LT5575 具有 800MHz 至 2.7GHz 的宽工作频率范围,因此用一个器件就覆盖了所有蜂窝和 3G 基础设施、WiMAX 和 RFID 系统的频带。该器件能够将射频信号直接转换成 DC 或低频基带信号,从而简化了接收器设计、减少了组件数并允许使用较低成本的低频组件。LT5575 在 900MHz 时具有卓越的 28dBm IIP3 和 54.1dBm
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通讯 无线 网络 凌力尔特 I/Q 解调器 模拟IC
按常规,在51端口(P1、P2、P3)某位用作输入时,必须先向对应的锁存器写入1,使FET截止。一般情况是这样,也有例外。所谓IO口内部与电源相连的上拉电阻而非一常规线性电阻,实质上,该电阻是由两个场效应管并联在一起:一个FET为负载管,其阻值固定;另一个FET可工作在导通或截止两种状态(姑且叫可变FET)。使其总电阻值变化近似为0或阻值较大(20千欧--40千欧)两种情况。当和端口锁存器相连的FET由导通至截止时,该阻值近似为0,可将引脚快速上拉至高电平;当和锁存器
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单片机 I/O MCU和嵌入式微处理器
F-RAM和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation 宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容单板计算机 (SBC) 和智能 I/O 扩展模块中,采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存储器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太网和 USB 板的设计中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM,以取代
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嵌入式系统 单片机 F-RAM 半导体 I/O模块 半导体材料
近几年来,Si由于具有较高的比容量而成为锂离子蓄电池负极材料的研究热点。但是,硅在反复充放电过程中经历很大的体积变化,很快发生明显容量衰减。虽然许多研究机构以及材料厂商通过表面改性、掺杂以及复合等方法,对材料进行了优化,取得了一定的效果,但仍然不是十分理想,在实际应用中还存在着许多的问题,因此还没有得到广泛的实际应用。我们将一种Si/C负极材料应用于14500圆柱形电池体系中,对它与碳负极电池的基本性能进行了对比,并对该种Si/C负极材料在实际应用中存在的问题以及失效原因进行了分析。
1实验
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嵌入式系统 单片机 S i/C MCU和嵌入式微处理器
Molex公司与Amphenol TCS (ATCS)签署互惠/第二供应商许可协议,允许ATCS在全球制造和营销I-Trac™背板连接器系统。 "Molex很高兴宣布这次Molex-ATCS关系的最新进展,”Molex首席执行官Martin Slark指出。 “我们的I-Trac设计所依赖的技术为用户提供无可比拟的多项功能和性能。通过与ATCS的合作,我们将可以扩展这一领先技术在业内的应用。” I-Trac许可协议进一
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消费电子 Molex I-Trac ATCS 消费电子
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