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High-NA EUV光刻机入场，究竟有多强？
- 光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上历史舞台，进一步提升了光刻的精度和效率，为制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官网显示，其组装了两个 TWINSCAN EXE:5000 高数值孔径光刻系统。其中一个由 ASM 与 imec 合作开发，将于 2024 年安装在 A
- 关键字： High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术
- 3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。根据IT之家之前报道，NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA（高数值孔径） EUV 采用了更宽的光锥，这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
- 关键字： ASM NXE:3800E EUV 光刻机 High-NA
英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机？
- HIGH NA 无疑是打赢下一场比赛的重要筹码。
- 关键字： 英特尔 ASML HIGH NA光刻机
英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？
- 英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下，台积电则采取更加谨慎的策略，业界预计台积电可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。Hig
- 关键字： 英特尔 High-NA EUV 台积电
基于ST VIPerPlus Low EMI 的豆浆机辅助电源方案
- 一：项目背景：家电客户使用VIPer12做的6W辅助电源在EMI的传导测试中，低频段超标需要整改。因成本和PCB空间原因不能加前端EMI滤波电感。需要采用VIPerPlus的频率抖动特性解决问题。二：频率抖动基本原理开关电源由于较高的dv/dt 和di/dt尧电路中存在的寄生电感和电容使开关电源的电磁干扰噪声较难消除。一般在EMI测试结果中可以发现，开关电源在开关时刻通常容易超过EMI 限值，而在其它频率点上却往往具有较大的裕量。因此人们又从另一角度开发新的EMC 技术院如何通过各种方式降低开关时刻的EM
- 关键字： ST Low EMI jitter frequency Viper17 豆浆机
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革
- 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core Tr
- 关键字： SK海力士 High-k Metal Gate
HF/VHF数字调制多功能发射机，附完整硬件方案和器件选型
- 本项目主要的内容是：设计制作一台能工作在HF及VHF波段的数字调制发射机,能提供AM, FM,DSB,SSB等语音通信调制模式,及ASK,FSK,PSK等数据通信调制模式.
- 关键字： HF/VHF 数字调制多功能发射机 V2pro DAC
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