传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上，出于两个方面的原因-传导和开关切换，设备可能会出现能量损失。GaN FET为第三代功率半导体技术，其改善开关切换的延迟时间。纳微（Navitas）半导体公司是世界上第一家的氮化镓（ GaN ）功率芯片公司。所谓的氮化镓功率芯片，其中 GaN 驱动器、GaN FET 和 GaN 逻辑单元的单片集成，并全部采用 650V GaN 工艺，从而实现许多软开关拓扑和应用中的高速、高频率、高效率操作。该方案采用NV6115 与 NV6117 氮化镓
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NAVITAS NV6115 NV6117 GAN
GaN 要快速扩散至各应用领域，仍有层层关卡待突破。
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GaN
以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对第三代半导体业务的开拓有了新的进展。3月6日，中瓷电子发布了《发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（修订稿）》。根据该修订稿，中瓷电子拟以发行股份的方式，购买博威公司73.00%股权、氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债、国联万众94.6029%股权。事实上，除中瓷电子外，近来还有许多企业选择以收购的方式，布局或扩大第三代半导体业务。2023年3月2
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第三代半导体 收购 SiC GaN
随着特斯拉宣布其下一代 EV 动力总成系统的 SiC 组件使用量减少 75%，预计第三代化合物半导体市场状况将发生变化，GaN 被认为会产生后续替代效应。据业内消息人士透露，这有望使台积电、世界先进半导体 (VIS) 和联华电子受益，它们已经进行了早期部署，并继续扩大其 8 英寸加工 GaN 器件的产能。GaN 和 SiC 的比较GaN 和 SiC 满足市场上不同的功率需求。SiC 器件可提供高达 1200V 的电压等级，并具备高载流能力，因此非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场和大型三相电网
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GaN SiC
当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功率应用中实施。实现这一壮举的方法是提高电子设备的功率密度。硅基MOSFET具有较低的开关速度和热效率；因此，如果不增加尺寸并因此影响功率密度，它们就不能用于高功率应用。这就是基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 用于制造高功率密度电子产品的地方，适用于各行各业的不同应用。当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功
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GaN HEMT 短路保护
【2023 年 03 月 03日，德国慕尼黑和加拿大渥太华讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）和氮化镓系统公司（GaN Systems）联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资 8.3 亿美元收购氮化镓系统公司。氮化镓系统公司是全球领先的科技公司，致力于为功率转换应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工。 英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化镓技术为打造更加
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英飞凌将 氮化镓系统公司 GaN Systems 氮化镓产品
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要，本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项。本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文连接引脚的 GaNFET 封装。VDD 电容VDD 引脚应有两个尽可能靠近 VDD 引脚放置的陶瓷电容。如图 7 所示，较低值的高频旁路电
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安森美 GaN 驱动器 PCB
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”） 功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ，才能实现实现高电压、高频率、快速dV/dt边沿速率开关的全部性能优势。本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。NCP51820 是一款全功能专用驱动器，为充分发挥高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaNFET 的开关性能而
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安森美 GaN PCB
前言现阶段的大多数 GaN 电源系统都是由多个芯片组成。GaN 器件在电路板上组装前采用分立式的元件组装会产生寄生电感，从而影响器件的性能。例如驱动器会在单独的芯片上带有驱动器的分立晶体管，受到驱动器输出级和晶体管输入之间以及半桥开关节点之间的寄生电感的影响，同时GaN HEMT 具有非常高的开关速度，如果寄生电感未被抑制，将会导致信号传输的波动。近日，纳芯微推出了两款全新的GaN相关产品，分别是GaN驱动NSD2621，一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；集成化的
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GaN 纳芯微 半桥驱动芯片
纳芯微全新推出GaN相关产品，包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K，均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。其中，NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。NSD2621产品特性： 01. SW引脚耐压±700V 02. 峰值驱动电流2A/-4A 03.&n
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纳芯微 GaN
电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间，而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸，但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下，硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人，以及再生能源至数据中心技术，功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质，在电子迁移率远远高于硅，输出电容也大大小于硅，致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►产品实体图►方案方块图►核心技术优
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安森美 NCP1342 PD QR 高频率 GaN
电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间，而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸，但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下，硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人，以及再生能源至数据中心技术，功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质，在电子迁移率远远高于硅，输出电容也大大小于硅，致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►展示板照片►方案方块图►核心技术优
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安森美 有源钳位 NCP1568 GaN PD电源 适配器
安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来，硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓（GaAs）和砷化镓、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体，它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
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NCP51820 安森美 半导体 电源供应器 GaN MOS Driver
【2022年11月24日，德国慕尼黑讯】USB供电（USB-PD）已成为快速充电以及使用统一Type-C连接器为各种移动和电池供电设备供电的主流标准。在最新发布的USB-PD rev 3.1标准中，扩展功率范围（EPR）规格可支持宽输出电压范围和高功率传输。统一化和大功率容量再加上低系统成本的小外型尺寸已成为推动适配器和充电器市场发展的主要驱动力。为了加速这一趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新XDP™数字电源XDPS2221。这款用于USB-PD的高度集
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英飞凌 PFC和混合反激式组合IC GaN USB-C EPR适配器
此电源设计最大输出功率为65W，配备1A1C双口输出，单USB-C口输出65W（20V/3.25A），单USB-A口输出；双口同时输出时，C+A同降为5V方案全系列采用双面板、最简化设计理念,尺寸才51X51X31mm！上下两片1.0mm左右厚铜散热既满足EMI又导热好！通标变压器设计，21V效率最高达到93%,驱动与MOS均采用美国安森美半导体技术！►场景应用图►展示板照片►方案方块图►C口支持协议►核心技术优势1.51.5*51.5*31 超小体积 功率密度：1.26cm³/W2. QR架构，COST
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安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD
gan 介绍
GaN
即氮化镓，属第三代半导体材料。
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