氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求，稍有不慎就会得到错误结果。传统氮化镓器件多用于消费类电子市场，研发高压氮化镓器件将有助于在电力电子、新能源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK，在市场上具有标志性意义，传统的氮化镓功率器件最高电压普
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GaN HEMT 功率器件 动态特性测试
汽车的智能化和电动化趋势，势必带动车用半导体的价值量提升，其中功率半导体和模拟芯片便迎来了发展良机。先看功率半导体，车规功率半导体是新能源汽车的重要组件，无论整车企业还是功率半导体企业都在瞄准这一赛道。新能源汽车电池动力模块都需要功率半导体，混合动力汽车的功率器件占比增至 40%，纯电动汽车的功率器件占比增至 55%。再看车规模拟芯片，模拟芯片在汽车各个部分均有应用，包括车身、仪表、底盘、动力总成及 ADAS，主要分为信号链芯片与电源管理芯片两大板块。如今，新能源汽车在充电桩、电池管理、车载充电、动力系统
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功率半导体 SiC GaN 模拟芯片
“现在的新车，只要能用碳化硅的地方，便不会再用传统功率器件”。功率半导体大厂意法半导体（ST）曾以此言表达碳化硅于新能源汽车市场的重要性。当下，在全球半导体行业的逆流中，第三代半导体正闪烁着独特的光芒，作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上，各方纷纷加大马力，坚定下注，一部关于第三代半导体的争夺剧集已经开始上演。一、三代半方兴未艾产业进入高速成长期近日，科学技术部党组成员、副部长相里斌在2023中关村论坛上表示，2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下，全球半导体产业进入下行周
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第三代半导体 SiC GaN
中国北京，2023年5月31日—— 全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展，泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自动可重复的、高精度测量功能。下一代功率转换器设计师现在能够利用WBG-DPT解决方案，满怀信心地迅速优化自己的设计。WBG-DPT解决方案能够在泰克4系、5系、6系MSO示波器上运行，并能够无缝集成到示波器测量系统
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泰克 示波器 双脉冲测试 SiC GaN
加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比，这些应用可受益于1
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Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常关型 氮化镓.三相电力系统
案例聚焦新一代替代硅技术 (加利福尼亚州，埃尔塞贡多）-- 氮化镓（GaN）技术的全球领导者宜普电源转换公司（Efficient
Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）于今日向美国联邦法院和美国国际
贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起诉讼，主张其基础专利组合中的
四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下统称英诺赛科）侵犯。 这些专利
涉及宜普公司独家的增强型氮化
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宜普电源 EPC 英诺赛科 氮化镓 GaN
2023 年 5 月 19 日，中国——意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振(QR)反激式功率转换器。这个尺寸紧凑、高集成度的产品设计的目标应用包括USB-PD充电器、家电、智能建筑控制器、照明、空调、智能表计和其他工业应用的开关式电源(SMPS)。 每个器件都集成了脉宽调制 (PWM) 控制器和650
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意法半导体 GaN 功率转换芯片
全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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ROHM 650V GaN HEMT
2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用，采用隔离降压拓扑结构，需要的外部组件比传统隔离式反激式转换器少，并且不需要光耦合器，从而节省了物料清单成本和 PCB面积。 L6983i 的其他优势包括 2µA 关断电流，集成软启动时间可调、内部环路补偿、电源正常指示，以及过流保护、热关断等保护功能。扩
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意法半导体 隔离式降压转换器 功率转换 IGBT SiC GaN 晶体管栅极驱动
基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。EPC9186在每个开关位置使用四个并联的EPC2302，可提供高达200 Apk的最大输出电流。EPC9186包含所有必要的关键功能电路
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EPC GaN FET ARMS 电机驱动器
奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到 3.4eV，是最具代表性的第三代半导体材料。除了更宽的禁带宽度，氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，以及更优的抗辐照能力，这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。GaN 产业上游主要包括衬底与外延片的制备，下游是 GaN 芯片元器件的设计和制造。衬底的选择对于器件性能至关重要，衬底也占据了大部分成本，因而衬底制备是降低 GaN 器件成本的突破口。衬底GaN 单晶衬底以 2-4 英寸为主，4 英寸已实现商用，6 英寸
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GaN-on-Si 氮化镓
作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。 了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限 德州仪器 GaN 产品线负责人 David Snook 表示：“氮化镓是提高功率密
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氮化镓 GaN 电源管理
随着世界各地的电力消耗持续增长，高电压技术领域的创新让设计工程师能够开发出更高效的解决方案，使电气化和可再生能源技术更易于使用。 “随着人均用电量的持续增长，可持续能源变得越来越重要，”TI 副总裁及高电压产品部总经理 Kannan Soundarapandian 表示。“以负责的方式管理能源使用非常重要。我们不能浪费任何一毫焦1的能量。这就是为什么高电压技术的创新是实现能源可持续的关键。” 随着电力需求的增加（在 2 秒内将电动汽车 (EV) 从 0mph加速到 60mph
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高电压技术 电动汽车 GaN IGBT
自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以 Si 材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至。这其中又以第三代半导体材料——氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）受到大众关注。近段时间，GaN 方面又有了新进展。本土 GaN 企业快速发展3 月 2 日，英飞凌宣布收购氮化镓公司 GaN Systems，交易总值 8.3 亿美元（约 57.3 亿人民币）。根据公告，英飞凌计划
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GaN SiC
gan 介绍
GaN
即氮化镓，属第三代半导体材料。
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