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砷化镓IDM厂调高财测 台系业者雨露均沾

  •   随著下游需求回温,自2010年初以来,整体砷化镓 (GaAs)市场需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化镓IDM业者纷纷上调2010年度财测后,Avago也宣告调高 2010年2~4月的营收预估值。受惠于此,台系砷化镓晶圆代工厂宏捷科技以及稳懋半导体的单月营收皆持续攀升,市场预期业者的第2季也可望持续优于第1 季表现。   受惠于智能型手机(smartphone)出货量持续成长,带动功率放大器(PA)的需求,也反应在全球各家砷化镓IDM业者的财测中。而台系晶圆代工厂以及
  • 关键字: GaAs  晶圆代工  

Avago 推出新高性能宽带InGaP HBT增益方块

  •   Avago Technologies(安华高科技)今日宣布推出两款新经济型容易使用的通用InGaP异质结双极晶体管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方块放大器产品,适合各种不同的无线通信应用。于DC到6,000MHz频带工作,Avago的AVT-51663/53663增益方块可以作为宽带增益方块或驱动放大器使用,这些面向移动通信基础设施应用设计的增益方块也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、卫星电视和机顶盒等各种其他无线通信应
  • 关键字: Avago  放大器  晶体管  HBT  

高性能微波/毫米波GaAs器件提高3G/4G回程网络的速度和容量

  •   数据通信量的增加正在成为回程网络的瓶颈   近年来,宽带用户数量明显增加,并出现了大量手持移动互联网设备(MID)。数据和视频应用已超过话音(参见图1),导致传输网络的需求量前所未有地急剧增长。市调专业机构ABIResearch最新报告显示,2009年移动通信用户总量将达到43亿,2013年将接近54亿。因此,数据在移动通信中所占比例将迅速增长。保持这种增长势头很大程度上取决于移动用户能否获得积极的宽带体验。为保证各类通信的服务质量(QoS),收集和传送数据的回程网络必须与用户需求保持同步。
  • 关键字: TriQuint  3G  4G  GaAs  

NJR开发GaAs MMIC NJG1139UA2 适合于便携式数字电视

  • 日本无线(NJR)现开发完成了GaAsMMICNJG1139UA2,并已开始供货了。该产品是设有旁通电路的宽带低噪音放大器,...
  • 关键字: GaAs  MMIC  NJG1139UA2  数字电视  LNA  

新日本无线开发完成了GaAs MMIC NJG1139UA2

  •   新日本无线现开发完成了GaAs MMIC NJG1139UA2,并已开始供货了。该产品是设有旁通电路的宽带低噪音放大器,最适合于便携式数字电视。   【开发背景】   近年来,随着便携式设备和汽车导航仪等可接收地面数字广播的产品越来越多,为了提高终端的接收灵敏度、市场需求具有高增益/高线性度/低噪音指数的低噪音放大器(以后称作LNA)。为了适应市场的要求,新日本无线开发了NJG1129MD7(08年12月公布)。NJG1139UA2是在此之上采用了小型化封装,减少了外部元件,并为了更加容易使用而开
  • 关键字: 新日本无线  放大器  GaAs   

砷化镓产业恢复减慢 未来市场规模将低预期

  •   Strategy Analytics 砷化镓 (GaAs) 及化合物半导体研究部门发布最新报告“砷化镓 (GaAs) 行业预测 : 2008-2013”。分析指出,全球经济衰退造成砷化镓 (GaAs) 行业2008年的年增长率由先前预测的9%降至6%;而2009年砷化镓 (GaAs) 市场的预计收益为35亿美元,比2008年下降5%,完全抵消前一年的增长。   Strategy Analytics 的砷化镓 (GaAs) 及化合物半导体技术市场研究部主管 Asif Anwar
  • 关键字: GaAs  半导体  消费电子  光纤  

砷化镓外延衬底市场规模将超过4亿美元

  •   Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结,2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%,但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件,以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求,半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。   一直
  • 关键字: GaAs  外延衬底  FET  HBT  

Strategy Analytics:VSAT 经受住经济风暴考验

  •   Strategy Analytics 砷化镓及化合物半导体技术 (GaAs and Compound Semiconductor Technologies) 研究服务发布最新研究报告“来自 Satcom/VSAT 市场的 GaAs 设备机会:2008-2013”。报告指出长设计周期,加之被抑制的消费需求,将使得 VSAT 比大多数其他通信市场能够更好的经受住目前经济风暴的考验,并且转化为对砷化镓 (GaAs) 设备的稳定需求。   砷化镓 (GaAs) 半导体技术广泛用于空间
  • 关键字: GaAs  卫星通信  微波集成电路  

DC~40 GHz反射型GaAs MMIC SPST开关

  • 介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC~40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4:l。同时,对电路的通孔特性进行了分析,对电路设计流程进行了阐述。要获得期望带宽的开关,如何选择控制器件的通孔连接方式,以及通孔数量对插入损耗等性能的影响。最终,具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发。
  • 关键字: GaAs  MMIC  SPST  GHz    

带有旁通性能1SEG用宽带低噪声放大器GaAs MMIC NJG1129MD7现开始发放样品

  • 新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器(下称LNA)GaAs MMIC NJG1129MD7,现开始样品供货。 近年来,手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加,因终端接收信号灵敏度不足,故具有高增益/高线性/低噪声的高性能LNA是市场需要。新日本无线为满足这种市场需求,开发了NJG1134HA8(08年3月27日发表)。NJG1129MD7就是为了满足市场所求的更高灵敏度,所开发了1SEG用宽带LNA GaAs MMIC。 该产品是可支持47
  • 关键字: 新日本无线  宽带低噪声放大器  GaAs MMIC NJG1129MD7  

Ge组分对SiGe HBT主要电学特性的影响

  • 0 引言   SiGe基区异质结双极型晶体管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技术首次制作出SiGe基区HBT以来,SiGe集成电路的规模和电路的速度不断发展,电流增益和频率响应等性能已经接近或达到了化合物异质结器件的水平。而SiGe异质结技术和传统的Si集成电路相比,在工艺上并未增加大的复杂性,且成本低于化合物半导体器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超过200 GHz电流增益峰值达到400的晶体管,并且低温下fT达到200 GHz的SiGeHBT也
  • 关键字: HBT  

基于CAN总线的GaAs光电阴极制备测控系统

  • CAN总线在GaAs光电阴极制备测控系统中的应用成功的解决了系统测控信息量多,对可靠性和实时性要求高的难题,该测控系统的研制成功将有利于对GaAs光电阴极制备工艺进行深入的理论研究,促进提高GaAs光电阴极的制备水平,该系统具有良好的应用前景和推广价值。
  • 关键字: 阴极  制备  系统  光电  GaAs  CAN  总线  基于  

CMOS功率放大器厂商加紧挑战GaAs

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: CMOS  放大器  GaAs  

Hittite推出SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器

  •   Hittite Microwave Corporation近日推出两款SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器,适用于频率在50-4GHz的汽车、宽带,CATV,蜂窝/3G,WiMAX/4G以及固定无线应用。   HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高线性增益单元放大器,无需外部匹配电路,从而成为竞争对手的理想替代品,如50MHz到4GHz的IF和RF应用AH-1与AM-1增益单元。   HMC636ST89E高线性增益单元放大器额定为200 MHz到
  • 关键字: 放大器  Hittite  SMT  GaAs pHEMT  

Hittite Microwave推出22到46 GHz有源X2倍频器

  •   Hittite Microwave Corporation近日推出一个新款GaAs MMIC有源X2倍频器,从而使设计者可以实现频率覆盖22到46GHz的连续输出。这一器件在时钟发生器,点对点无线电、军事和航空、VSAT以及测试设备应用中,还具有优越的基波和谐波抑制。   HMC598有源X2倍频器使用GaAs PHEMT技术,以裸片形式提供。器件由输入放大器、低转换损耗倍频器和一个输出缓冲放大器组成。当用+5 dBm输入信号驱动时,倍频器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型输入功率。高输出
  • 关键字: Hittite  倍频器  有源  GaAs PHEMT  
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