- 摘要：本文在试验和理论两个方面，系统研究了芯片热机械应力特征。作者利用红外热成像技术研究了芯片内部热机械应力随工作电流的瞬态变化关系，发现芯片热机械应力随工作电流呈对数增长。同时本文利用有限元方法模拟计算了芯片热机械应力在不同电流密度下与总工作电流的关系，从而验证了上述实验结论，并发现随着电流密度增加芯片内部热机械应力上升速率变快。
引言
随着集成电路技术的发展，电路元件集成度不断提高，尽管芯片总功耗在降低，由于芯片面积和元件尺寸不断减小，导致芯片的热功耗密度不断增大，芯片内部温度和热机械
- 关键字：
集成电路 热机械应力 红外热成像 GaAs 热膨胀系数 201411
- 采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9GHz频率范围内，1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时，放大器的增益在5~40dB之间变化，增益控制范围达到了35 dB.将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上，面积仅为3.5 mm×2.3 mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点，可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。
甚小口径终端(verysmall apert
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功率放大器 可变增益 GaAs
- 1、LED芯片的制造流程是怎样的?
LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满
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LED GaAs
- 全球领先的单芯/单模RF前端模块提供商RFaxis公司宣布，荣获北美Frost&Sullivan技术创新领导大奖。RFaxis致力于单芯/单模RF前端集成电路(RFeIC™)研发，推出独特的无线通信RF前端解决方案。 Frost&Sullivan根据其对于无线通信射频前端模块(RF FEM)市场的最新分析结果，认为RFaxis的创新解决方案实现了卓越性能、功能与经济性的完美结合，已经得到证明是传统GaAs (砷化镓)解决方案的理想替代选项。 传统上，FR
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RFaxis Frost&Sullivan GaAs RF
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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数字射频存储器 GaAs ADC 比较级电路
- PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较，PIN二极管...
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GaAs PIN 二极管 单刀双掷开关
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超低噪声 S频段 放大器 GaAs
- 摘要：射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中，S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于
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单刀 单掷 开关 GaAs 波段 MMIC 技术 基于
- 在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低 ...
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GaAs PHEMT MMIC LNA
- 2011年9月13日 日本东京讯—高级半导体厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并达到领先业界的低噪声效能。
- 关键字：
瑞萨 晶体管 SiGe:C HBT
- 根据市场战略研究公司Strategy Analytics分析：全球无线网络基础设施中使用砷化镓（GaAs）半导体的市场预计将增长，从2011年的大约2.05亿美元达到2015年约为3.2亿美元。
- 关键字：
无线网络 GaAs
- 本文设计了四种结构的射频有源电感， 其中包括两种正电感和两种负电感。研究结果表明由晶体管构成的有源电感的性能受晶体管的组态及偏置影响较大。四种电路结构中，由共射放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感性能较好。采用回转器原理实现的有源电感，电感值不随面积减小而减小。改变晶体管的偏置电压，有源电感具有可调谐性。
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电感 设计 有源 射频 SiGe HBT 基于
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