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NAND flash和NOR flash的区别详解

  • 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G、16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我
  • 关键字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

东芝跑第一,64 层 3D Flash 开始试产送样

  •   据海外媒体报道,韩国三星电子为全球第一家量产 3D 架构 NAND 型快闪存储器(Flash Memory)的厂商,不过其NAND Flash 最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人,宣布已领先全球同业,研发出堆叠 64 层的 3D Flash 产品(见首图),且开始进行送样。   东芝 27 日发布新闻稿宣布,已研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术,并自今日起领先全球同业开始进行样品出货,且预计将透过甫于 7 月完工的四日市工厂“新第 2 厂房”进行生
  • 关键字: 东芝  Flash   

全快闪储存导入新型Flash存储器以降低成本、生态大洗牌

  •   许多厂商开始将重心转移到降低全快闪储存阵列的成本,如Dell与EMC都已在全快闪产品中导入低成本的TLCFlash记忆体;众多厂商争相发展全快闪储存阵列,也改变了既有的全快闪储存市场消长   在全快闪储存阵列这类型产品诞生初期,唯一的卖点便是高效能,应用面向也局限于线上交易处理等高IO需求领域。为了扩展应用环境,后来的全快闪储存阵列发展也有了不同的发展。   我们可以把全快闪储存阵列的发展分为4个阶段:   第一阶段是效能导向。提供高效能,是全快闪储存阵列这类产品诞生的目的,早期的全快闪储存阵列
  • 关键字: Flash  存储器  

全快闪储存导入新型Flash存储器以降低成本、生态大洗牌

  •   许多厂商开始将重心转移到降低全快闪储存阵列的成本,如Dell与EMC都已在全快闪产品中导入低成本的TLC Flash记忆体;众多厂商争相发展全快闪储存阵列,也改变了既有的全快闪储存市场消长   在全快闪储存阵列这类型产品诞生初期,唯一的卖点便是高效能,应用面向也局限于线上交易处理等高IO需求领域。为了扩展应用环境,后来的全快闪储存阵列发展也有了不同的发展。   我们可以把全快闪储存阵列的发展分为4个阶段:   第一阶段是效能导向。提供高效能,是全快闪储存阵列这类产品诞生的目的,早期的全快闪储存阵
  • 关键字: Flash  存储器  

中国半导体存储器市场前景

  • 本文介绍了存储器芯片分类,国际存储芯片厂商的发展情况,及我国存储芯片供需情况。
  • 关键字: 存储器  市场  DRAM  Flash  201607  

NAND Flash供货吃紧态势明显 价格走扬

  •   第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显,TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬。   TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示,第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显,TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬,而近一个月涨幅开始增加。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,NAND Flash原厂持续降低对于通路(Channel)的供货比重来满足eMMC/eMCP与固态硬碟(SS
  • 关键字: NAND Flash  

火灾后疯7供应商三星Flash厂部分复工

  • 三星西安工厂受到变电站爆炸停电影响,对供应紧张的NAND Flash雪上加霜,不过事故后回复速度很快,给当地供电局和三星应急处理点个赞。
  • 关键字: 三星  Flash  

下半年NAND Flash一定缺货,且会非常缺

  •   全球储存型快闪记忆体(NAND Flash)晶片最大供应商慧荣科技总经理苟嘉章昨(21)日表示,固态硬碟(SSD)价格已到甜蜜点,今年出货将大爆发,成为成长最强劲的记忆体产品;法人预估台厂概念股群联、创见、威刚、宇瞻、广颖、宜鼎等,可望掀比价效应。   慧荣是以台湾为研发重心,立足全球的国际公司,上周五(20日)股价以每股42.19美元创2005年6月在美国那斯达克挂牌以来新高,市值达1.48亿美元(约新台币48.5亿元),同创历史新高。   苟嘉章昨天主持慧荣爱心园游会后,针对今年NAND Fl
  • 关键字: NAND Flash  

发展Flash晶圆制造的四大投资方向

  •   中国大陆业者在NANDFlash产业链的相关布局与投资不断开展,成为中国大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。   某研究所最新研究报告显示,随着紫光国芯(原同方国芯)投资、武汉新芯扩厂,及国际厂如三星、英特尔增加产能,预估2020年中国大陆国内Flash月产能达59万片,相较于2015年增长近7倍。        预估2012~2016年NANDFlash生产端年平均位元增长率达47%,其最终消费端需求年平均位增长率亦高达46%,显示NANDFlash仍为高速发展产业。   拓墣
  • 关键字: Flash  晶圆  

TrendForce:2020年中国大陆国内Flash月产能上看59万片

  •   中国大陆业者在NAND Flash产业链的相关布局与投资不断开展,成为中国大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。TrendForce旗下拓墣产业研究所最新研究报告显示,随着紫光国芯(原同方国芯)投资、武汉新芯扩厂,及国际厂如三星、英特尔增加产能,预估2020年中国大陆国内Flash月产能达59万片,相较于2015年增长近7倍。   TrendForce预估2012~2016年NAND Flash生产端年平均位元增长率达47%,其最终消费端需求年平均位增长率亦高达46%,显示NAND Flash仍为高速发
  • 关键字: Flash  NAND   

Flash芯片你都认识吗?

  •   Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上,Flash总类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢?  为了让大家更深入了解Flash,今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点,给大家一个全新认识。  一、IIC EEPROM  IIC EEPROM,采用的是IIC通信协议;IIC通信协议具有的特点:简单的两条总线线路,一条串行数据线(SDA)
  • 关键字: Flash  EEPROM  

Flash与SAS硬碟价格2015年恐现死亡交叉

  •   资料储存解决方案大厂NetApp表示,经由云端与Flash两股推力驱动,让近年IT基础架构进入新一波的转型期,其中2016年经由融合式基础架构(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系统工具应用性窜升,将让2016年成为IT的精简之年。   此外值得注意的是,TLC架构的Flash存储器借由需求性提升及单位成本快速下降,预期今年每GB的FLash价格也将较SAS硬碟更低,并让All Flash资料中心的将进入主流储存领
  • 关键字: Flash  SAS  

手机标称16G内存,为何实际却少于16G

  •   摘要:现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质,就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别,存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢?   我们总是在说手机内存,那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后,为满足不断增大的系统文件而诞生的,是NAND Flash的升级版,他的结构如下:        我们接触到的16G、32G等手机,为何实际存储容量却总是小于这些值呢?难道
  • 关键字: NAND FLASH  eMMC  

中国下个购并标的:NAND Flash控制芯片

  •   中国政府近来积极透过中资集团陆续收购或入资海外半导体公司,期建立自有半导体供应链。现阶段,逻辑晶片从设计、制造到封装测试皆已具雏型,反观记忆体领域则为主要发展缺口。资策会MIC认为,中资集团下一波购并目标将锁定NAND Flash控制晶片业者,并设法取得大规模制造产能,以补强记忆体产业发展。   资策会MIC产业顾问兼主任洪春晖表示,中国近期积极透过购并,来改善半导体自制比例过低的情形,现今中国在本土逻辑IC设计、晶圆代工、逻辑IC封测等产业链上,已有一定程度的发展,上述领域皆具有本土厂商或已与外商
  • 关键字: NAND Flash  芯片  

TrendForce:经济前景未明,2016年全球NAND Flash产值增长有限

  •   全球经济依旧前景不明,各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守,TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示,由于终端设备平均搭载量与固态硬盘(SSD)需求增长,2016年整体NAND Flash需求位量将较2015年增长44%,然而生产端为了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash厂商将会加速3D-NAND Flash的开发,整体NAND Flash年度位元产出增长率将大幅增长50%。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,2016年NAND Fl
  • 关键字: NAND Flash  TLC  
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flash介绍

闪存(Flash ROM): 是一种电擦除非易失型存储器,由浮栅型场效应管构成,写入时,利用热电子注入,使浮栅带电;擦除时,则利用高压下的隧道效应,使浮栅失去电子。 FLASH闪存是半导体技术,内部是相对静态的,体积小,抗震性很高(便于携带)。加上半导体技术发展很快,价格下降也很快,这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。 [ 查看详细 ]

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