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如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲

  •   图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET 关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 (Vreset) 以上,因
  • 关键字: 进行  缓冲  电压  关断  转换器  FET  如何  

MOS-FET开关电路

  • MOS-FET虽然与JFET结构不同,但特性极为相似,N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型,可在许多电路中代替J-FET,如图5.4-97所示,电路用MOS-FET代替J-FET更简单,如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
  • 关键字: MOS-FET  开关电路    

J-FET开关电路工作原理

  • 1、简单开关控制电路图5.4-97为简单J-FET开关电路。当控制电压VC高于输入电压V1时,VGS=0,J-FET导通,传输信号至VO;当VC比V1足够负,VD导通而J-FET截止,VO=0。2、改进的J-FET开关电路图5.4-98电路是图5.4-97电路的
  • 关键字: J-FET  开关电路  工作原理    

与万用表结合使用的FET VP、VOO检验器

  • 电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别,所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级,但一个等级内仍有差别,如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时,
  • 关键字: VOO  检验  VP  FET  结合  使用  万用表  

使用FET输入型OP放大器的长时间模拟定时电路

  • 电路的功能定时器专用IC有NE555和C-MOS单稳态多批振荡器4538B等。然后用FET输入型OP放大器也可用途长时间定时电路。本电路采用其他模拟电路中使用的双OP放大器余下的一个来组成定时器,这样可以减少IC的数量,事先了
  • 关键字: FET  输入  OP放大器  模拟定时电路    

可用于VCA或幅度调制的FET乘法运算电路

  • 电路的功能本电路是一种使用双FET的2象限乘法电路最大输入电压为10V,2象限乘法运算与幅度调制(AM)等效,可作为低频调制电路使用。电路工作原理本电路利用了FET的沟道电阻变化,以TT15、TT16特性相同为前提条件,O
  • 关键字: VCA  FET  幅度调制  乘法运算电路    

使用结型FET的简易电压控制放大器

  • 电路的功能在VCA(电压控制放大器)。由反馈环路组成电路时,通过控制反正电压来改变放大器增益。所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器。而在本电路中,是利用栅极源极之间的电压使沟道电阻发生变
  • 关键字: FET  结型  电压控制  放大器    

Vishay推出4款MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。   新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
  • 关键字: Vishay  MOSFET  FET  

友达光电宣布收购FET公司的FED资产及技术

  •   友达光电1月20日宣布, 与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下简称FET)及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议,收购FET的场发射显示器(field emission displays;FED)技术,该公司为全球FED技术的领导者。友达在此交易中,将取得FET显示技术及材料的专利、技术、发明,以及相关设备等资产。   FED技术在快速反应时间、高效率、亮度和对比度方面不但能与传统CRT相
  • 关键字: 友达  FED  FET  

瞄准高端市场 友达将收购FET的部分资产

  •   台湾友达科技近日宣布,他们已经与FET公司以及FET日本公司达成了协议,友达将出资收购FET公司的部分资产,并将因此而获得FET公司的部分专利技术。FET公司目前在FED场射显示技术(Field Emission Display)领域占据领先地位,索尼公司目前拥有FET公司39.8%的股份。友达并表示,其收购的内容将包括FED场射面板相 关技术专利,FED技术实施方案,以及FED面板生产用设备等。   FED场射面板兼具CRT显示器和LCD显示器的优势,其工作原理与CRT显示器完全相同,同样采用
  • 关键字: 友达  FED  FET  

砷化镓外延衬底市场规模将超过4亿美元

  •   Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结,2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%,但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件,以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求,半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。   一直
  • 关键字: GaAs  外延衬底  FET  HBT  

T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降压转换器

  •   日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降压转换器,该器件将宽泛的输入、轻负载效率以及更小的解决方案尺寸进行完美结合,可实现更高的电源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制机制的 1 MHz DC/DC 转换器,与同类竞争产品相比,该器件在将外部输出电容需求数量降至 32% 的同时,还可实现快速瞬态响应。该转换器充分利用自动跳过模式与 Eco-mode 轻负载控制机制,帮助设计人员满足能量之星/90Plus 标准的要求,从而可实现整个负载范围内的高
  • 关键字: TI  FET  转换器  TPS51315  

ADI公司推出快速FET运算放大器

  •   2009年1月22日,中国北京——Analog Devices, Inc.(纽约证券交易所代码: ADI),全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,最新推出一款业界最快的场效应晶体管(FET)运算放大器——ADA4817。这款产品工作频率高达1GHz,设计用于高性能的便携式医疗诊断设备和仪器仪表设备。与竞争器件相比,可提供两倍的带宽,同时噪声降低一半。它已被领先的医疗、测试和测量设备公司所采用,用于如CT、MRI、示波器衰减探头和其它医疗设备。与ADA4
  • 关键字: ADI  运算放大器  FET  ADA4817  

德州仪器1.5A 线性电池充电器可最大化AC 适配器与USB 输入功率

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: FET  TI  IC-bq2407x  

TI推出具有启动过程中禁止吸入功能的DC/DC 转换器

  •   TPS54377 是一款输入电压为 3V ~6V 的 DC/DC 转换器,具有可将电压步降至 0.9V 的集成的 FET。其转换频率为同步频率并可调至 1.6MHz,以减少外部组件数量且有助于确定频谱噪声频带。该器件在整个温度范围内均可提供高达 3A 的输出电流并可支持 4A 的峰值输出电流。其具有电源状态良好指示、启动、可调慢启动、电流限制、热关断以及 1% 的参考精度等特性。TPS54377 可用于宽带、联网和通信基础设施、分布式电源系统以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 稳压。
  • 关键字: TI   转换器  DC/DC  FET  
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fet介绍

fet  FET:场效应管   根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件   --------------------------------------------------------------   1.概念:   场效应晶体管(Field Effect Transisto [ 查看详细 ]

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