- 韩国蔚山科技大学(UNIST)的研究人员们宣称开发出一种可大量生产硼/氮共掺杂石墨烯奈米微板的方法,从而可实现基于石墨烯的场效电晶体(FET)制造与设计。
由Jong-BeomBaek主导的研究团队们采用一种BBr3/CCl4/N2的简单溶剂热反应,大量生产硼/氮共掺杂石墨烯奈米管,即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。
石墨烯自2004年经由实验发现后,已经开发出各种方法来制造基于石墨烯的FET,包括掺杂石墨烯打造成石墨烯状的奈米带,以及利用氮化硼作为支柱。在各种控制石墨烯
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石墨烯 FET
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MOSFET 二极管 PCB 稳压器 P-FET
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反向转换器 FET 关断电压 缓冲 漏极电感
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FET 甲类前级
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eGaN FET 硅功率器 转换器
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同步降压 FET 时序设计
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电源设计 同步降压 FET 时序
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TI TPS27081A FET
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FET 光电 电位器 光耦
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改善 能量 效率 开关 FET 优化 变换器 基于
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缓冲 方法 进行 电压 FET 关断 转换器
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FET 输入 OP放大器 模拟
fet介绍
fet FET:场效应管
根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件
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1.概念:
场效应晶体管(Field Effect Transisto [
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