首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> fet

看看国外厂商正在发力研究的这些新技术

  •   每年十二月,在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛,在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting,缩写:IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、
  • 关键字: DRAM  GAA-FET  

集成智能——第1部分:EMI管理

  •   智能集成电机驱动器和无刷直流(BLDC)电机可以帮助电动汽车和新一代汽车变得更具吸引力、更可行及更可靠。  图1所示为集成电机驱动器结合驱动电机所需的一切要素,如场效应晶体管(FET)、栅极驱动器和状态机。集成避免了电线从电子控制单元(ECU)到电机的布线距离过长,并还具有更小印刷电路板(PCB)尺寸和更低整体系统成本的优点。  BLDC电机在汽车应用中提供的优势包括效率、紧凑的尺寸、更长的电机寿命和电池寿命、更安静的车内体验以及更好的EMI性能。  图1:智能集成BLDC电机驱动器  集成智能系列博
  • 关键字: BLDC  FET  

使用FET和双极性晶体管的宽带缓冲电路

  • 使用FET和双极性晶体管的宽带缓冲电路-下面的图是一个宽带缓冲电路。该电路是由晶体管和FET构成的。这个宽带放大器具有较高的输入阻抗和低输入阻抗。
  • 关键字: FET  双极性晶体管  缓冲电路  宽带  

如何保护你的系统不受反向电流的影响

  • 如何保护你的系统不受反向电流的影响- 在使用电子元器件时,你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置电压,系统中的电流以相反的方向运行;从输出到输入。幸运的是,有很多方法可以保护你的系统不受反向电流的影响。这是反向电流保护系列博文的第一篇文章,在这篇文章中,你将能够对现有解决方案有高层次的总体认识和了解。
  • 关键字: FET  TPS22963  德州仪器  反向电流  

揭开电池管理系统的神秘面纱

  • 揭开电池管理系统的神秘面纱-现在的电子设备具有更高的移动性并且比以前更绿色,电池技术进步推动了这一进展,并惠及了包括便捷式电动工具、插电式混合动力车、无线扬声器在内的广泛产品。近年来,电池效率(输出功率/尺寸比)和重量均出现大幅改善。试想一下汽车电池得多庞大和笨重,其主要用途是启动汽车。随着技术的最新进展,你可以改用锂离子电池来迅速启动汽车,其重量只有几磅,尺寸也就人手那么大。
  • 关键字: 电池管理系统  FET  FET驱动器  

FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例

  •   与之前介绍的晶体管放大电路相同,各级FET放大电路之间的连接也必须通过电容连接,以构成CR的连接方式。此时,为保证栅极、源极和漏极间正确的电压关系,就需要偏置电路来提供栅极电压。  与晶体管放大电路的接地方式相同,结型FET放大电路也有多种接地方式。  最一般的源极接地电路和自偏置电路  n沟道FET的例子如下图所示,p沟道FET电源电压VPS(V)和电流ID(A)的方向,与此图完全相反。  FET源极接地电路的功能,与晶体管的共射放大电路一样。由于结型FET的正常工作,要求栅极和源极间的电压VGS为
  • 关键字: FET  放大电路  

使用FET的压控衰减器(音量控制)电路

  • 该电路采用衰减场效应晶体管(FET)分流信号到地面。这个R2是用来控制输出级(衰减等级),但是你可以用其他来源的电压信号来控制网格的FET如DAC输出,这是一种负面的信号电压会(你可以用DAC采用对称与供电系统)。使用FET...
  • 关键字: FET  压控衰减器  

单片机设计注意要点

  • 首先介绍一下这样做的优点:采用低的晶振和总线频率使得我们可以选择较小的单片机满足时序的要求,这样单片机的工作电流可以变得更低,最重要的是VDD到VSS的电流峰值会更小。
  • 关键字: 单片机  FET  穿通电流  工作频率  

学好嵌入式系统电路入门之——二极管/晶体管/FET

  •   导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体   硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间,用于制造半导体器件的原材料,具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起的。这种可移动电子叫“自由电子”。一般我们把可以通过向其摻入杂质来改变自由电子的数量,并可控制电流动的物质称为半导体。        根据电流流动的构造,可将半导体分为N型和P型两类。   半导体的电流流通原理   (1) N型半导体   图1是在硅晶
  • 关键字: 嵌入式系统  FET  

宜普电源转换公司(EPC)的可靠性测试报告记录了超过170亿小时测试器件的可靠性的现场数据,结果表明器件的失效率很低

  •   EPC公司的第七阶段可靠性报告表明eGaN®FET非常可靠,为工程师提供可信赖及可 替代采用传统硅基器件的解决方案。  宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告,展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果,以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得
  • 关键字: 宜普电源  FET  

TI推出业界首款100V高压侧FET驱动器可驱动高电压电池

  •   近日,德州仪器(TI)推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可提供先进的电源保护和控制。bq76200高电压解决方案能有效地驱动能量存储系统,以及电机驱动型应用中常用电池里的高压侧N沟道充放电FET,包括无人机、电动工具、电动自行车等等。如需了解更多详情,敬请访问:http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。   电感性
  • 关键字: TI  FET  

详解LED PWM调光技术及设计注意点

  •   无论LED是经由降压、升压、降压/升压或线性稳压器驱动,连接每一个驱动电路最常见的线程就是须要控制光的输出。现今仅有很少数的应用只需要开和关的简单功能,绝大多数都需要从0~100%去微调亮度。目前,针对亮度控制方面,主要的两种解决方案为线性调节LED的电流(模拟调光)或在肉眼无法察觉的高频下,让驱动电流从0到目标电流值之间来回切换(数字调光)。利用脉冲宽度调变(PWM)来设定循环和工作周期可能是实现数字调光的最简单的方法,原因是相同的技术可以用来控制大部分的开关转换器。   PWM调光能调配准确色光
  • 关键字: PWM  FET  

基于场效应管的功率放大器设计

  • 摘要:用场效应晶体管设计出有胆味的音频功率放大器。前级采用单管、甲类,后级采用甲乙类推挽放大技术。实验证明差分放大器使用的对管的一致性与整机的失真程度密切相关。从听音效果来看,末级电流200mA是理想值。 前后级间耦合电容对听音影响较大,要求质量高些。 对于音频功率放大器而言,最好听的莫过于甲类放大器。根据频率分析的结果,由集成运算放大器构成的前级声音单薄、缺乏活力。所以,可不可以前级采用单管甲类放大器,后级采用甲乙类功率放大器?这样既兼顾听音需要,又兼顾效率的需要。目前,电子管音频功率放大器仍然占据
  • 关键字: FET  场效应管  功率放大器  

用于汽车启停的低耗能电源设计的几种方法

  • 随着城市快节奏的发展,大多数人拥有自己的车,这也使得交通变得拥堵,而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源,不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功能,但是这种系统也给汽车电子带来了一些独特的工程技术挑战,汽车启停系统中电源设计是一大难题。本文就为大家介绍一种用于汽车启停的低耗能电源设计。 为了控制燃油消耗,许多汽车制造商在下一代汽车中实现了“启停”功能,而且为数众多的这种汽车已经开始上路。这些系统会在汽车停下来时关闭发动机,当脚从刹车踏板移动
  • 关键字: P-FET  MOSFET  
共101条 3/7 « 1 2 3 4 5 6 7 »

fet介绍

fet  FET:场效应管   根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件   --------------------------------------------------------------   1.概念:   场效应晶体管(Field Effect Transisto [ 查看详细 ]

热门主题

VD-MOSFET    Finfet    JFET-MOSFET    IGBT/MOSFET    DirectFET    JFET    HEXFET    BI-FET    MOSFET-driver    Power-FET    FET-OR    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473