格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
随着数以百万计的互联设备出现，世界正在逐步融合为一体，众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统，集成包括无线连接、非易失性存储器以及电源管理等在内的越来越多的组件，
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格罗方德 FD-SOI
格罗方德半导体今日宣布一项全新合作伙伴计划FDXcelerator™，该生态系统旨在为客户加速基于22FDX™的片上系统设计，并缩短产品上市时间。
随着公司新一代12FDX™的发布，格罗方德现提供业内首个FD-SOI 路线图，并随之建立了FDXcelerator™合作伙伴计划，为希望实现先进节点设计的客户提供了一条低成本的迁移路径。
通过格罗方德半导体和FDXcelerator合作伙伴解决方案，客户将能打造各类创新的22FDX 片上系统解决方
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格罗方德 FD-SOI
Samsung Foundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该
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FD-SOI 存储器
产业资深顾问Handel Jones认为，半导体业者应该尽速转移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用该技术的众多优势…
半 导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28奈米以下之后的闸成本(gate cost)上扬;如下图所示，在制程微缩同时，每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持续增加，其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面，当制程特征尺寸缩 减时，晶片系统性与参数性良率会降低，带来较高的闸成本。
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FD-SOI 14nm
Globalfoundries技术长GaryPatton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
晶圆代工业者Globalfoundries技术长GaryPatton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
Globalfoundries声称其针对不同应用最佳化的22FDX平台四种制程，能提
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Globalfoundries FD-SOI
今天的智能手机和平板电脑内均装有射频(RF)前端模块(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、开关、可调谐电容器和过滤器。射频绝缘体上硅(RF SOI)等技术可支持移动设备调整和获取蜂窝信号——在更广泛的区域为无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。 移动市场对RF SOI的追捧持续升温，因为它以高性价比实现了低插入损耗，在广泛的频段内实现低谐波和高线性度。RF SOI是一个双赢的技术选择，能够提高智能手机和平板电脑的性能和数据传输速度，同时有望在物联网中发挥关键作用。
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RF-SOI 5G
全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术正从原本的“迟到”(too-late)位置摇身一变，成为可望在物联网(IoT)与汽车市场取代鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
“我认为，FD-SOI正蓄势待发。也许还得经过几年的时间，但它终将获得新的动能，并发展成为一项关键技术，”International Business Strategies (IBS)创
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FD-SOI FinFET
身为一位记者，我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导，要比我通常负责的技术主题容易得多;一旦我写了那些“时髦”的标题，我会确实感受到人气飙涨。
因 为几乎每家媒体都穷追不舍，我不需要向读者解释为何我要写那些，以及那些新闻为何对他们重要;我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的，要写冷门题材、比较少人讨论的话题，挑战性就高得多;部分读者会有先入为主的看法，认为那 些题目不关他们
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FD-SOI FinFET
本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统，并将FD-SOI与FinFET作比较，分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
中国芯片企业起步较晚，在发展中屡屡遭受国际巨头的“专利围剿”，通过支持重点企业的兼并重组及海外收购，培育具有核心竞争力的大型企业，无疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec FD-SOI
全球领先的绝缘硅(SOI)晶圆制造商法国Soitec半导体公司今日在北京举办的新闻发布会中介绍了该公司在中国市场的发展历史、全耗尽绝缘硅(FD-SOI)基板的成熟性和生产及准备状态、FD-SOI的最新进展及其生态系统。与会发言人包括Soitec公司市场和业务拓展部高级副总裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司数字电子商务部高级副总裁Christophe Maleville。会上主要讨论的问题包括该技术是否适合各代工厂及应用设计师广泛使用，更重要的是，该技术如何解决中国半导体行业及
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Soitec FD-SOI
苹果(Apple)宣布以182万美元从美信半导体(Maxim Integrated)买下位于加州圣荷西的一座8吋晶圆厂。专家分析认为，此举并不会影响与苹果合作的晶圆代工厂生意。
据SemiWiki报导指出，SEMI World Fab Watch Database资料显示，苹果买下的晶圆厂于1987年建立，即使全面开工每月也只能生产1万片晶圆，规模相对小且老旧，无法生产苹果所需的应用处理器(AP)。
苹果最新AP采16/14纳米FinFET制程，而10纳米制程也正在开发中。8吋晶圆近日才微
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三星 FD-SOI
DIGITIMES Research观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手
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半导体 FD-SOI
今年由欧洲两大主要研发中心——法国CEA-Leti和比利时IMEC举办的年度开放日活动刚好都在六月的同一时期举行。但这种时程的冲突并不是有意的，至少Leti是这么认为。Leti的一位官方代表指出，“在过去七年来我们一直是在六月的同一周举行年度活动。对他们来说，我们的排程应该不是什么秘密。”
Leti位于法国格勒诺布尔市创新园区的核心地带
不过，位于格勒诺布尔的Leti Days和位于布鲁塞尔的IMEC技术论坛这两大
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FD-SOI 物联网
可控石墨烯薄膜制备方面取得新进展：设计了Ni/Cu体系，利用离子注入技术引入碳源，通过精确控制注入碳的剂量，成功实现了对石墨烯层数的调控，有助于实现石墨烯作为电子材料在半导体器件领域真正的应用。
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石墨烯 SOI
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