众所周知华为为了应对潜在的风险多年来一直在开发自己的鸿蒙操作系统作为其“B计划”。早前也有消息称华为将于今年年末推出一款采用鸿蒙操作系统的移动设备，根据最新消息显示，这款机型很有可能是即将发布的华为Mate 30 Lite。
关键字：
华为 Mate 30 Lite 鸿蒙操作系统
5月14日消息，知名爆料人士Roland Quandt曝光了一款中端新品—华为P20 Lite 2019。
根据Roland Quandt曝光的渲染图，华为P20 Lite 2019采用了挖孔屏方案，这是继华为nova 4之后第二款采用该方案的华为手机。据悉，华为P20 Lite 2019采用了5.84英寸FHD+LCD显示屏，后置三摄呈纵向排布，支持背部指纹识别。
关键字：
20 Lite 2019 华为
GlobalFoundries 从新 CEO 上任以来，大刀阔斧进行改革，宣布退出全球高端技术的开发，又将新加坡 8 寸厂 Fab 3E 卖给台积电旗下的世界先进后，业界再度点名“下一刀”，是为购自 IBM 的纽约 12 寸厂寻找买家。据传美系 IDM 大厂有兴趣，看来新任 CEO 这把削减成本的大刀要一砍到底，GlobalFoundries 经历大改革后可否涅槃重生值得关注。Thomas Caulfield 接替任职逾 4 年的 Sanjay Jha，出任 GlobalFoundries 的新 CEO
关键字：
GlobalFoundries Fab IBM
随着提高效率成为众需求中的重中之重，并且能源成本也在不断增加，以前被认为是奇特且昂贵的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等技术，现已变得更具性价比。此外，随着市场的增长，由于规模经济的关系，SiC或GaN晶体管和二极管在经济上也越来越具有吸引力。 功率半导体(如二极管和MOSFET)可以通过几种机制显著节省能源。与传统的硅器件相比，SiC二极管可以实现短得多的反向恢复时间，从而实现更快的开关。此外，其反向恢复电荷要少很多，从而可降低开关损耗。此外，其反向恢复电荷要少很多，从而可降低开关损耗。就其本身
关键字：
X-FAB SiC
半导体FAB厂 FAQ100问影响工厂成本的主要因素有哪些?答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material间接材料，例如气体hellip; Labor
关键字：
半导体 FAB
据麦姆斯咨询报道，美国系统级芯片厂商Skorpios Technologies近日宣布收购了半导体集成厂商Novati Technologies及其位于美国德州奥斯汀的Fab，本次交易的具体金额暂未披露。
Novati闻名于其在2.5D/3D集成、光子学、MEMS传感器以及医疗应用微流控领域的创新研究。Skorpios则拥有一套独有的晶圆级工艺，能够实现硅和III-V族材料的单片集成，并作为工作介质(active medium)制造硅光子IC。
在此次并购交易之
关键字：
Skorpios Fab
影响工厂成本的主要因素有哪些? 答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material间接材料，例如气体… Labor人力 Fixed Manufacturing机器折旧，维修，研究费用……等 Production Support其它相关单位所花费的费用 在FAB内，间接物料指哪些? 答：Gas 气体 Chemical 酸，碱化学液&nbs
关键字：
FAB
当下的华夏大地，正被一股天翻地覆的英雄气概所笼罩。半导体集成电路正成为仅次于互联网机器人的热词。没有几个人能说得清，有多少条8吋、12吋生产线在运筹帷幄之中，又有多少大佬背着钱袋在这个“金矿”边上徘徊。中国历来的传统是，党指向哪里我们就冲向哪里。今天国家确定的目标，就是今后我们为之奋斗的战场。最近我们的行业领军人士已经开始注意到潜在的风险，我们在去“传统产能”的同时，会不会带来新的“高科技产能过剩”风险?这是我们每个行业从业者要认
关键字：
Fab GlobalFoundries
模拟、混合讯号晶圆代工厂X-Fab集团于9月30日宣布，将收购日前已进入破产程序的法国专业晶圆代工业者Altis Semiconductor，借此将可让Altis Semiconductor免于进入破产程序。实际收购价格方面，X-Fab未进一步对外透露。
根据外媒报导，Altis Semiconductor前身为美国IBM位于巴黎以南约40公里处的晶圆代工厂房，制程包含从8吋(200mm)晶圆产线到约130纳米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收购Altis Semiconductor将有助增
关键字：
X-Fab 晶圆
模拟、混合讯号晶圆代工厂X-Fab集团于9月30日宣布，将收购日前已进入破产程序的法国专业晶圆代工业者Altis Semiconductor，借此将可让Altis Semiconductor免于进入破产程序。实际收购价格方面，X-Fab未进一步对外透露。
根据EETimes等外媒报导，Altis Semiconductor前身为美国IBM位于巴黎以南约40公里处的晶圆代工厂房，制程包含从8吋(200mm)晶圆产线到约130纳米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收购Altis Semicondu
关键字：
X-Fab Altis
Molex 公司推出新型 Lite-Trapä SMT (表面贴装技术) 线对板连接器系统，具有小巧的外观尺寸，满足纤薄型 LED 照明模块的应用要求。该按钮式连接器的高度仅为 4.20mm，与可拆卸电线式的连接器相比，是当今市场上外形最小巧的连接器之一并可实现最低的电线插入力。
Molex 产品经理 J.B. Jin 评论说：“Molex 致力于创新，通过设计出可以在电路板上降低组件高度的连接器系统，良好满足 LED 照明制造商的要求，从而实现更薄的设计，并减轻阴影或与光
关键字：
Molex Lite-Trap 连接器
全球Fab前道设备支出额预计在2013年将持平，大约在317亿美元,2014年会有24%的增长，至393亿美元,见2013年2月底出版的《SEMI全球设备预报》。该预报还指出，2013年全球fab厂设备支出增长点在于技术节点的更新，同时FAB厂建方面的支出会增加6.7%且主要集中在中国。该预报参考了2013年超过180家机构的设备支出。
关键字：
Fab 电子制造
全球Fab前道设备支出额预计在2013年将持平，大约在317亿美元,2014年会有24%的增长，至393亿美元,见2013年2月底出版的《SEMI全球设备预报》。该预报还指出，2013年全球fab厂设备支出增长点在于技术节点的更新，同时FAB厂建方面的支出会增加6.7%且主要集中在中国。该预报参考了2013年超过180家机构的设备支出。
关键字：
Fab 设备
X-FAB Silicon Foundries日前发表XT018，世界首创180奈米200V MOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(latch-up)更提供对抗电磁干扰的卓越性。
关键字：
X-FAB XT018 MOS
X-FAB Silicon Foundries 宣布，已经增加在总部位于德国的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股，从25.5%提高到51%，成为后者的最大股东，并将MFI重新命名为X-FAB伊策霍微机电系统晶圆厂(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。
上述动向反映了X-FAB对MEMS制造服务与技术的重视。伊策霍(Itzehoe)厂补强了X-FAB 微机电系统晶圆厂最近在艾尔福特宣布的MEMS功能与资源，增添微感测器、致动器、微光学结构与
关键字：
X-FAB 微感测器 MEMS
fab-lite介绍
您好，目前还没有人创建词条fab-lite!
欢迎您创建该词条，阐述对fab-lite的理解，并与今后在此搜索fab-lite的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473