世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存储器FM14C88，适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡 (HBA card) 等应用。
与nvSRAM相比，FM14C88的读写速度更快, 工作电压更低。FM14C88 的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC封装，具有高速访问、无延迟(NoDelay™)
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Ramtron F-RAM 储存器 FM14C88 RAID
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay™) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、
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Ramtron F-RAM FM28V020 非易失性铁电存储器
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation，发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品，分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号，工作电压范围为2.0V至3.6V，采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay&t
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Ramtron F-RAM 非易失性 串口
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布，其4Mb F-RAM器件FM22L16已获深圳市盛博科技嵌入式计算机有限公司采用，以生产创新的数据存储设备—固态硬盘 (solid-state disk, SSD)。
盛博科技专门研究、开发和生产基于国际标准的嵌入式硬件和软件系统，瞄准工业自动化市场，终端客户遍及轨道运输、电力、医疗设备和运动控制等应用领域。
除了能够在断电后保持数
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Ramtron F-RAM 固态硬盘 FM22L16 SSD
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速读/写性能、低电压运行，以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存储器，工作电压为2.7V至3.6V，采用8脚SOIC封装，使用二线制 (I2C) 协议;并提供快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的读/写次数 (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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Ramtron F-RAM 非易失性存储器 NoDelay SOIC
目前，混合动力汽车是大规模应用新能源汽车的切入点。功率半导体器件与模块在混合动力汽车中起着不可替代的作用。除降低成本之外，混合动力汽车还需要在电池、电动、传动及电气系统等方面得到改善。
节能和环保的双重需求使得新能源汽车在全球范围内日益引起业界的重视，在最近的国际汽车展上，多家汽车企业推出了电动和混合动力汽车，这预示着新能源汽车即将进入真正的商用阶段。如今，中国对于新能源汽车的推广也进入了一个关键时期，今年2月，财政部、科技部发出《关于开展节能与新能源汽车示范推广试点工作的通知》，推广节能与
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新能源 IGBT F-RAM 混合动力
全球微机电系统（MEMS）产业蚀刻和沉积设备供应商Point 35 Microstructures公司，今日在上海宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块，进一步扩展其微机电系统(MEMS) 单晶圆制造memsstar®产品系列。这项新增的技术将确保MEMS器件设计师得到更多的生产选择，同时带来了宽泛的制造工艺窗口和各种工艺控制等等好处，从而使良率得到了最大的提升。
SVR-vHF氧化物释放模块结合现有的memsstar® SVR-Xe 牺牲性汽相释放(SVR)模块，利用无水氢氟蒸汽(aH
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Point 35 Microstructures，SVR，MEMS
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation宣布已与 IBM 达成代工服务协议，两家企业计划在 IBM 位于美国 佛蒙特 州伯灵顿市的先进晶圆制造设施内增设 Ramtron 的 F-RAM 半导体工艺技术，一旦安装完毕，这一新代工服务将成为 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半导体产品的基础。
Ramtron首席运营官 Bob Djokovich 称：“我们期
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Ramtron F-RAM IBM
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation宣布已与 IBM 达成代工服务协议，两家企业计划在 IBM 位于美国 佛蒙特 州伯灵顿市的先进晶圆制造设施内增设 Ramtron 的 F-RAM 半导体工艺技术，一旦安装完毕，这一新代工服务将成为 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半导体产品的基
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Ramtron F-RAM 半导体
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封装的4兆位 (Mb) F-RAM存储器。FM22LD16 是采用48脚FBGA 封装的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高访问速度、几乎无限的读/写次数以及低功耗等优点。FM22LD16 与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多
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Ramtron F-RAM FBGA 封装
Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟(NoDelay?) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EEPRO
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存储器 F-RAM Ramtron 闪存
Ramtron International Corporation宣布应用工业计算平台制造商其阳科技 (Aewin Technologies) 已在其以Intel为基础的 GA-2000 及以AMD 为基础的GA-3000游戏和高分辨率多媒体PC电路板中，设计使用Ramtron的FM22L16 4兆位 (Mb) F-RAM非易失性存储器。4Mb F-RAM具有快速写入、高耐用性和低功耗特点，可在其阳科技的游戏机解决方案中替代电池供电的SRAM (BBSRAM)，以确保数据的完整性，并能同时
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存储器 Ramtron F-RAM Aewin
非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布升级其FM31x Processor Companion (处理器伴侣) 系列。升级产品融入了更高效的涓流充电器和标准12.5pF外部晶振实时时钟 (RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非易失性F-RAM存储器、高速双线接口及高度集成的支持与外设功能，适用于基于处理器的先进系统。
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Ramtron F-RAM 存储器 处理器伴侣
非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件数据记录仪 (EDR) -- FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状态的变化，将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。FM6124与可编程逻辑控制器 (PLC) 类似，具有简单的器件设置和资料检索功能，便于系统集成和缩短设计周期。
FM6124是针对工业控制、医疗和计量等广泛的工业应用而设计。EDR能够实现
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Ramtron F-RAM 存储器 数据记录仪 EDR
Ramtron International Corporation 宣布，英国的 ZigBee 和蓝牙 (Bluetooth) 智慧节能设备设计和制造商Energy Optimizers 公司经已将 Ramtron 的 FM25L512 512 千位 (Kb) 串行 F-RAM 存储器，设计用于其 Plogg® 系列无线能量管理插头中。F-RAM 所提供的无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的耐用性及低功耗特点，可为该智能功率计提供快速和频繁的数据记录及存储，以便在使用点对
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存储器 F-RAM ZigBee Ramtron
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