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esd-sensitive 文章 进入esd-sensitive技术社区

基本ESD模型及功能参数

  •   将一个电容充电到高电压(一般是2kV至8kV),然后通过闭合开关将电荷释放进准备承受ESD冲击的“受损”器件(图1)。电荷的极性可以是正也可以是负,因此必须同时处理好正负ESD两种情况。  (1)HBM(Human Body Model),人体放电模型;  指带电荷的人体与集成电路产品的管脚接触并发生静电荷转移时,产生的ESD现象。  人体等效电阻约1500欧姆,等效电容值为lOOpF,Ls与Cs寄生电感和电容。该ESD放电产生电流波形的上升时间在2~10ns范围内,持续时间在150~200ns范围内
  • 关键字: ESD  静电放电  

esd是指什么?静电放电是什么?

  •   ESD(Electrostatic discharge),中文释义为静电放电。  造成静电放电有多种原因,但最常见的是静电和静电感应。静电通常是通过摩擦充电产生的,而静电感应则是作为物体的电荷重新排列而产生的。通常,当一个物体的表面获得负电子而另一个物体失去电子并带正电时,就会产生摩擦充电。当带相反电荷的物体相互接触时,电子传递能量然后分离,形成一种电荷接触带电。  在工业生产中静电放电会导致两种类型的电气设备损坏,具体如下:  灾难性的:造成永久性伤害。  潜伏性的:几乎检测不到,已经对组件造成损伤
  • 关键字: ESD  静电放电  

ESD简介(简单明了!)

  • 记得小学时候的自然课上老师用冬天脱毛衣时的火花向年少的我们描述静电的情形,那时候不禁对大自然肃然起敬。没想到很多年之后学习集成电路课程,又一次跟静电有了接触,只是这一次没有年少时的轻松与愉悦。静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)很容易造成电子元件或电子系统遭受过度电应力而被永久破坏。静电放电破坏的产生,大多数是由于人为因素造成的,但又很难避免。在芯片制造、生产、测试、搬运等过程中,静电会积累在人体、仪器、设备之中,甚至芯片本身也会积累静电,这些静电一旦在某些情况下形放电通路
  • 关键字: ESD  静电放电  

Nexperia超低电容ESD保护二极管保护汽车数据接口

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外,该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。  新晋产品包括2引脚单线器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q,采用超紧凑型DFN1006BD-2封装,同时优化了布线灵活性。此外,还有两款采用DFN1006-3封装的3引脚
  • 关键字: Nexperia  超低电容  ESD  保护二极管  汽车数据接口  

Nexperia的USB4 ESD二极管件实现了保护和性能的出色平衡

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计,而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。 重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短,从而降低寄生电感,但也会意外地降低整体系统
  • 关键字: Nexperia  USB4  ESD  二极管件  

功率半导体IGBT失效分析与可靠性研究

  • 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析与电路设计分析,对IGBT失效原因及失效机理分析,分析结果表明:经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致,IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 关键字: 主动式PFC升压电路  IGBT  SOA  闩锁效应  ESD  热击穿失效  202108  MOSFET  

一种非对称双向可控硅静电防护器件的设计*

  • 非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压,基于0.18 μm BCD工艺,设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真,证明HHVADDSCR具有高维持电压,避免了闩锁,且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。
  • 关键字: 202107  非对称可控硅  维持电压  ESD  闩锁效应  

Nexperia推出适用于汽车应用中高速接口的新型ESD保护器件

  •  基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出一系列ESD保护器件,专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口,特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。 随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加,EMC保护的需求变得越来越重要,提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数(信号完整性、系统保护和鲁棒性),以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。 全新的PESD4USBx系列总共包括十二款采用Tr
  • 关键字: Nexperia  高速接口  ESD  

Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保护的共模滤波器

  • 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C,这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准,能够轻松通过眼图测试。  Nexperia高速保护和滤波产品经理Stefan Seider说:“HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是,这需要更优秀的抗干扰保护,尤其是在紧凑的无线应用中,这些2合1的ESD和滤波组合器件的性能和小尺寸非常适合对性能和空间有要求
  • 关键字: Nexperia  ESD  

Nexperia全新车用TrEOS ESD保护器件兼具高信号完整性、低钳位电压和高浪涌抗扰度

  • 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保护器件,这些器件通过了AEC-Q101认证,适用于车规级应用,并且可承受高达175°C的高温。同时,与所有TrEOS器件一样,这些新的车用器件具有很低的电容,可确保高信号完整性,并具有很低的钳位电压和高稳健性,适用于新的车载接口。具体的车载应用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娱乐、多媒体与ADAS系统。 Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护
  • 关键字: Nexperia  车用TrEOS  ESD  

Microchip推出3kW瞬态电压抑制二极管阵列产品,实现严苛环境下出色的电路保护

  • 航空航天系统依赖于引擎控制单元、环境控制、仪器和执行器中的数字和逻辑功能与电路才能完成关键的工作。数据中心、5G基础设施和通信系统同样依赖于复杂的电路,而这些电路需要得到妥善保护。即便有闪电、太阳活动和电磁事故引起的电压浪涌和尖峰,系统仍必须保持连续运行。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出其最新瞬态电压抑制器(TVS)垂直阵列产品组合 — MDA3KP瞬态电压抑制器(TVS)。 该3kW二极管系列拥有超过25款产品,具有不同的筛选级别、极性和认证标
  • 关键字: TVS  SBD  ESD  EFT  MSL  RTCA  

e络盟推出专家精选顶级防静电产品系列

  • 近日,全球电子元器件与开发服务分销商e络盟推出全面的防静电产品系列以保护电子元器件免受静电放电(ESD)损坏,为客户的制造和供应流程提供有力支持。在电子元器件和产品制造、储存、装运及安装过程中,ESD可能会对其造成损坏。这种损坏往往无法通过质量控制检测、测试或老化测试检测出来,且会影响产品的质量和可靠性。供应链内的所有客户,包括原始设备制造商(OEM)、合约电子制造商 (CEM)、电子和测试工程师、ESD敏感器件仓储以及半导体和开发套件买家,都应在产品的整个制造和供应周期内采取措施防止ESD损坏。e络盟内
  • 关键字: ESD  防静电  

Nexperia推出首款支持USB4标准的ESD保护器件

  • 奈梅亨,三月 10, 2020:Nexperia,分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家,今日宣布推出PESD2V8R1BSF,这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件,具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅(SCR)技术,USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容(低至0.1 pF);极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω)以及非常稳健的防浪涌与ESD性能(,最高可达20A 8/
  • 关键字: Nexperia  USB4  ESD  保护器件  

Nexperia面向汽车以太网新硅基 ESD 防护器件

  •  奈梅亨,2020年 2 月 11 日:分立元件、MOSFET 元件及模拟和逻辑 IC 的专业制造商 Nexperia,今天宣布针对 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽车以太网系统推出业界领先且符合 OPEN Alliance 标准的硅基 ESD 防护器件 。 OPEN (One-Pair Ether-Net) Alliance Special Interest Group (SIG) 是由汽车工业和技术供应商组成的非营利联盟,他们相互协作,鼓励广泛采用基于以太网的网
  • 关键字: Nexperia  汽车以太网  OPEN Alliance  ESD  

射频模块天线端的ESD该如何设计?

  • 硬件工程师在设计产品时,ESD抗扰度是一个重要的考虑指标。静电对于大部分电子产品来说都存在危害,射频模块对静电更加敏感。那么针对射频模块类产品,ESD抗扰度应当如何考虑和设计呢? 关于ESD抗扰度等级,不同产品不同行业对应着不同的标准,国际电工委员会所颁布的IEC61000-4-2标准适合于各种电气与电子设备做电磁兼容性的测试。在进行产品设计前需要先规定好产品的ESD抗扰度的等级,要么根据标准来定义要么根据产品实际需要来定义。这样才可以有依据的进行产品设计及测试。
  • 关键字: 射频模块天线端  ESD  
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