- USB3.0中ESD应用的五大要素-ESD保护组件本身的寄生电容必须小于0.3pF，才不会影响USB3.0高达4.8Gbps的传输速率。
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USB3.0 ESD
- 如何做好有效的ESD静电控制-虽然技术、工艺和材料在不同的时期有不同的变化，但是有效的静电控制程序的设计与实施仍然是基于以下五个概念：
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ESD ESD-sensitive
- 常见电磁兼容(EMC)问题及解决办法-通讯类电子产品不光包括以上三项：RE，CE，ESD，还有Surge--浪涌（雷击，打雷）医疗器械最容易出现的问题是：ESD--静电，EFT--瞬态脉冲抗干扰，CS--传导抗干扰，RS--辐射抗干扰。针对于北方干燥地区，产品的ESD--静电要求要很高。针对于像四川和一些西南多雷地区，EFT防雷要求要很高。
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ESD EMC 电磁兼容
- 如何才能选择最佳的电路保护器件？-随着科学技术的发展，电力/电子产品日益多样化、复杂化，电路结构和电子产品的物理尺寸变得越来越小，在设计周期的早期进行电路保护设计变得更加重要。电路保护和电子保护器件的选型可能看起来优先级不高，但是应当在前期开始设计，消除设计问题并确保您的产品的性能和可靠性。
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电路保护 电磁干扰 ESD
- 三端稳压管是空调控制器常用元器件，主要作用是直流电压的转换、稳定。三端稳压管内部晶元为半导体材料，实际生产过程中常出现静电类的损伤，并且会影响整个空调控制器正常工作。因此，对于三端稳压管的失效原理的分析研究尤为重要，它可以帮助我们从根源上解决失效问题。本文针对失效的三端稳压管做详细分析，根据失效原理，总结三个优化方向：1、提升稳压管内部受损器件的抗静电能力;2、稳压管内部增加一个电阻,用于防止静电损伤的;3、在稳压管输入端增加一个电容，用于消除静电。
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三端稳压管 ESD 启动电路 201710
- 简介 解决大问题需要开创性的技术。机电继电器早在电报问世之初就已存在，但没有其他替代的开关技术可满足所有市场需求——特别是对于测试和测量、通信、防务、医疗保健和消费类市场中智能性和互联性更强的应用需求。作为不断增长的市场需求的一个例子，测试和测量终端用户要求多标准测试解决方案的尺寸尽可能最小，在0 Hz/dc至数百GHz的频率范围内需要实现最高并行测试。机电继电器的带宽窄、动作寿命有限、通道数有限以及封装尺寸较大，因此对系统设计人员的限制日益增大。 微机电系统(MEMS)开关具有创新性，
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ESD MEMS
- 总之，ESD虽然可怕，甚至会带来严重后果，但是，只有保护好电路上电源和信号线，那么就能有效的防止ESD的电流流入PCB中。其中，我老大经常说的一句“一个板子的良好接地才是王道”，希望这句话也能给大家带来打破天窗的效果。
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PCB ESD I／O
- PCB 设计可以减少故障检查及返工所带来的不必要成本。在PCB 设计中，由于采用了瞬态电压抑止器(TVS)二极管来抑止因ESD 放电产生的直接电荷注入，因此PCB 设计中更重要的是克服放电电流产生的电磁干扰(EMI)电磁场效应。本文将提供可以优化ESD防护的PCB 设计准则。
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PCB ESD EMI TVS二极管
- 手机音频系统中ESD及EMI的起因及结果。接着研讨了ESD干扰抑制器和EMI滤波器的使用，以避免这些威胁。
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ESD EMI 手机
- 所有关于医疗应用的产品在要求高可靠性的同时，仍然需要提供终端用户想要的新技术与功能。由于各医疗设备公司及其最终应用间的竞争愈来愈激烈，功能急剧增加，但是并未考虑到另外一个可能带来产品失败的因素。
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智能MOSFET 医疗设计 ESD
- 在使用消费类电子设备时，在用户手指和平板电脑USB或者HDMI接口之间会发生ESD，从而对平板电脑产生不可逆的损坏，例如：峰值待机电流或者永久性系统失效。本文将为您解释系统级ESD现象和器件级ESD现象之间的差异，并向您介绍一些提供ESD事件保护的系统级设计方法。
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德州仪器 ESD TPD1E10B06 TVS
- ESD保护对高密度、小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。本文探讨了采用TVS二极管防止ESD时，最小击穿电压和击穿电流、最大反向漏电流和额定反向关断电压等参数对电路的影响及选择准则，并针对便携消费电子设备、机顶盒、以及个人电脑中的视频线路保护、USB保护和RJ-45接口等介绍了一些典型应用
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ESD TVS
- 最近几年随着多Gbps传输的普及，数字通信标准的比特率也在迅速提升。例如， USB 3.0的比特率达到 5 Gbps。比特率的提高使得在传统数字系统中不曾见过的问题显现了出来。诸如反射
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ESD USB3.0 数字系统
- EMI / 抗干扰设计EMI 是当今许多设计人员所面临的一项重大挑战。如果不能顺利通过 EMI 测试，则将导致项目成本显著增加和进度迟缓，因此高水平的工程师会在设计的早期寻求减低 EMI 的方法。因
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EMI 运算放大器 ESD
- 超过输入共模电压(CM)范围时，某些运算放大器会发生输出电压相位反转问题。其原因通常是运算放大器的一个内部级不再具有足够的偏置电压而关闭，导致输出电压摆动到相反电源轨，直到输入重新回到共模范围内为止。图1所示为电压跟随器的输出相位反转情况。注意，输入可能仍然在电源电压轨内，只不过高于或低于规定的共模限值之一。这通常发生在负范围，最常发生相位反转的是JFET和/或BiFET放大器，但某些双极性单电源放大器也有可能发生。 图1:电压跟随器的输出电压相位反转 相位反转通常只是暂时现象，但如果运算放大器在
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运算放大器 ESD
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