- 近十年来，在高速成长的非易失性存储器(NVM)市场的推动下，业界一直在试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术，以替代闪存技术，更有效地缩小存储器，提高存储性能。目前具有突破性的存储技术有铁电RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相变RAM(PRAM)或其他相变技术。本文将分别介绍这些技术的特点、比较和研发进展。
新一代存储技术显现
“多、快、省”特点
MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力及动态随
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存储 EEPROM
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)的M24系列EEPROM存储器新增四款完全兼容工业标准4焊球WLCSP封装(Wafer Level Chip Scale Package，晶圆级芯片封装) 的产品，同时也是首个准许在同一条I2C总线上连接两颗以上4针EEPROM芯片，这是因为每款产品都有一个独立、内部固化连接的I2C地址。因此设计人员可以在同一条总线上连接
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意法半导体 EEPROM
- PROM是可编程器件，主流产品是采用双层栅(二层poly)结构，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大体相同，主要结构如图所示：
浮栅中没有电子注入时，在控制栅加电压时，浮栅中的电子跑到上层，下层出现空穴。由于感应，便会吸引电子，并开启沟道。如果浮栅中有电子的注时，即加大的管子的阈值电压，沟道处于关闭状态。这样就达成了开关功能。
如图2所示，这是EPROM的写入过程，在漏极加高压，电子从源极流向漏极沟道充分开启。在高压的作用下，
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EEPROM 浮栅
- PROM是可编程器件，主流产品是采用双层栅(二层poly)结构，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大体相同。 PROM是可编程器件，主流产品是采用双层栅(二层poly)结构，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大体相同，主要结构如图所示： 浮栅中没有电子注入时，在控制栅加电压时，浮栅中的电子跑到上层，下层出现空穴。由于感应，便会吸引电子，并开启沟道。如果浮栅中有电子的注时，即加大的管子的阈值电压，沟道处于关闭状态。这样就达成了开关功能。 如图2所示，这是EPROM的写入过程，在漏极
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EEPROM 可编程器件
- 全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)日前发布MCP48FXBXX系列新器件，进一步扩展其数模转换器(DAC)产品线。MCP48FEBXX系列DAC器件一共包含6款新产品，内有集成的EEPROM，可在掉电时保存DAC设置，而MCP48FVBXX系列则为不需要集成存储器的应用提供了成本更低的另一种选择。这些低功耗的单通道和双通道DAC提供8、10和12位分辨率，具有SPI串行接口，采
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Microchip EEPROM
- 一般地,EEPROM存储器(如93C46/56/66系列)的擦写次数为10万次,超过这一极限时,该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。 我们有一个单字节的数据要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法来做： 1、将93C56的00H单元定义为地址指针存放单元。 2、将要寻址的单元地址(假设为01H)放入93C56的00H地址中。 3、每次要对E2PROM中的数据进行读写时，先读取00H中的数据，并
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EEPROM 存储器
- 1引言
I2C (Inter-Integrated Circuit1总线是一种由Philips公司开发的2线式串行总线，用于连接微控制器及其外围设备。它是同步通信的一种特殊形式，具有接口线少、控制方式简单、器件封装形式小、通信速率较高等优点。在主从通信中，可有多个I2C总线器件同时接到I2C总线上，通过地址来识别通信对象。笔者在开发基于MPC8250的嵌入式Linux系统的过程中发现I2C总线在嵌入式系统中应用广泛，I2C总线控制器的类型比较多，对系统提供的操作接口差别也很大。与I2C总线相连的
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Linux EEPROM
- 离 IIC2015 秋季展只有一个月了，对于过去19年以来都有参观的老工程师来说，去现场参观一下参观商，听几场重要的研讨会，似乎是每年都会尽量安排去做的事。今年是IIC展会第20周年，展会即将来临之前，在此先向大家推荐多家参展商预告的产品与技术，这样有助于您现场参观时更有针对性的去参观了解。
厂商一：聚辰半导体(上海)有限公司(展位号： 3B21)
聚辰半导体(上海)有限公司会在现场推广I2C、SPI和Microwire接口的系列EEPROM产品、OPA产品和镜头驱动芯片。重点展示非接触射
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EEPROM NFC
- 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出业界首款通过AEC-Q100认证的2Mbit EEPROM芯片，为复杂的汽车系统模块存储及管理参数提供更多的应用机会。
提升混合动力汽车、电动汽车或重型卡车发动机功率转换效率和环保性能需要大量使用各种参数，包括进气量、燃油喷射、废气排放量或电池充电信息。同样地，各种汽车安全应用包括安全气囊、行车记录仪或制动控制器，均需要存储并处理大量输出参数以执行物体检测、3轴运动感测、车轮速度及转向角度等。
意法半导体新款M95M02
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意法半导体 EEPROM
- 华虹半导体有限公司(「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」)今日宣布，最新推出0.11微米超低漏电(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0.18微米超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完美兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化解决方案。
新推出的0.11微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台支持低至于1.08伏的操作电压，小于0.2pA/μm的超低漏电。该平台的存储器I
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华虹 EEPROM
- 意法半导体新推出的工业增强版(Industrial-Plus)串口EEPROM存储器工作温度高达105°C，是市场上存储容量、总线接口和芯片封装选择最齐全的EEPROM存储器，为设计人员更新系统数据参数带来更多的灵活性，而且无需修改印刷电路板设计。
34款新产品属于M24(I2C)系列和M95(SPI)系列，存储容量从2Kbits到512Kbits，采用引脚兼容的SO8N或TSSOP封装，可靠性的提升让采用新产品的设备能够在恶劣的温度环境下工作。
典型目标应用包括先进工业控制和网络
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意法半导体 EEPROM
- 近日，富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇介绍了FRAM(铁电存储器)产品在应用中的独特优势。拥有15年FRAM量产经验的富士通半导体，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特点。“多”指的是FRAM的高读写耐久性(1万亿次)的特点，可以频繁记录操作历史和系统状态;“快”指的是FRAM的高速烧写(是EEPROM的40000倍)特性，这可以帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题;“省”是FRAM超低
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富士通 FRAM EEPROM 201503
- 在海量的固态存储技术已经非常广泛应用、云存储正在盛行的今天，还有一种KB、MB量级的存储技术大卖，并且在物联网、医疗电子、消费电子、工业电子……几乎所有的行业中无处不在。这种存储技术就是铁电存储器(FRAM)。在近日于深圳举办的易维讯年度中国ICT媒体论坛上，富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇分享了FRAM产品在应用中的独特技术特性优势，特别是FRAM RFID和认证FRAM方面众多的创新应用案例对电子产品的设计具有很好的创新启发，受到与会嘉宾的关注。
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FRAM EEPROM
- 作为支付和身份应用安全解决方案的主要供应商，英飞凌科技股份有限公司今日宣布，其业界领先的硬掩膜方案凌捷掩膜™ 安全解决方案的市场需求进一步增长。至 2014 年底，用于支付应用的凌捷掩膜芯片出货量有望达到 15 亿颗。这表示出货量在两年内增长了15倍。英飞凌是智能卡领域高度安全且灵活的安全平台开拓者，目前公司是业内采用这一高安全技术方案的领导者，为支付卡以及驾驶执照或电子身份证件提供成熟可靠的商业化产品。
“凌捷掩膜产品组合使我们在智能卡支付市场上增长优势显著。例如，美国
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英飞凌 EEPROM 掩膜芯片
- 在嵌入式系统中，存储资源是非常宝贵的。一些芯片，尤其是超大规模集成电路和低端微处理器可能仅有很少的板载内存。RAM直接建于芯片内部，因此无法扩展。嵌入式快闪存储器是从EPROM和EEPROM发展而来的非挥发性存储集成电路，其主要特点是工作速度快、单元面积小、集成度高、可靠性好、可重复擦写10万次以上，数据可靠保持超过10年。本文为大家介绍嵌入式存储器基于不同存储单元的设计方案。
基于SystemC的通用嵌入式存储器模型设计
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8051 EEPROM Keil C
eeprom介绍
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。
EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。 [
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