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三星512GB eUFS 3.1投产，传Galaxy Note 20率先采用

  • 智能手机的运算能力越来越高，下载速度也越来越快，储存芯片的读写速度亦需要配合，才能发挥每个环节的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片，它的特点就是其读写速度较上一代更快。
  • 关键字： 三星  Galaxy Note 20  512GB eUFS 3.1  

三星宣布全球首发量产512GB eUFS闪存

  • 据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆(Gb)V-NAND芯片和一个控制器芯片。
  • 关键字： 三星  eUFS  
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