通过在ECC-off模式下的较大工作温度范围（-40至125℃）内实现封装级产品功能和可靠性，我们展示了适用于工业级MCU和物联网(IoT)应用且可用于生产的22nm FD-SOI嵌入式MRAM (eMRAM)产品。我们对磁隧道结(MTJ)堆叠、集成和蚀刻工艺进行了优化，使其符合400℃ BEOL和HPD2后退火工艺要求，并实现MTJ性能，从而满足所有产品要求。从封装级数据可以确认，eMRAM产品通过了标准可靠性测试，如LTOL（168小时）、HTOL（500小时）、1个月周期耐久性测试以及5次焊料回流测
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半导体制造 eFlash
联华电子今日(22日)宣佈已採用0.11微米eFlash製程量产触控IC应用产品。此特殊技术最初于2012年底于联华电子推出，是为晶圆专工业界第一个结合12V与纯铝后段(BEoL)製程，以因应次世代触控控制器及物联网应用产品的需求。在整合更高密度嵌入式快闪记忆体与SRAM，以便用于各尺寸触控萤幕产品的微控制器时，0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的逻辑元件，并可达到更高效能。
联华电子市场行销处资深处长黄克勤表示：「触控面板已是今日电子产品主流的操作介面。联华电子触控平台解决方案其
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联华电子 eFlash
瑞萨电子(Renesas Electronics)已开发全新快闪记忆体技术，可达到更快的读取与覆写速度。这项新的技术是针对采用28奈米(nm)嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程技术的晶片内建快闪记忆体微控制器(MCU)所设计。
为因应近来的环境议题，世界各国对于汽车性能的法规(CO2排放、燃油效率及废气)皆日趋严格。因此，传动系统必须支援新的引擎控制方法。此外，先进驾驶辅助系统(ADAS)现在希望能创造安全、防护及舒适的汽车体验。为因应上述市场需求，汽车MCU必须进一步提升效能，甚至进一步降低
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瑞萨 eFlash
联华电子与ASIC设计服务领导厂商智原科技今日(12日)共同发表，在联电55纳米低功耗嵌入式闪存(embedded flash, eFlash)制程的基础硅智财组件库(cell library)、内存编译程序(memory compiler)，以及关键接口IP等。这套完整的55纳米eFlash解决方案可同时满足市场对低功耗与高密度的设计需求，尤其适用于各种物联网(IoT, Internet of Things)与穿戴装置(wearable devices)等应用。
对于需要长时间待机的电子装置，
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联华电子 eFlash
联华电子近日宣布，已顺利验证晶圆专工业界第一个结合12V解决方案的高压嵌入式闪存(eFlash)工艺。此工艺可将中大尺寸之触控IC所需的驱动高压，以及存放算法所需的eFlash，结合于同一颗高整合度的单芯片中，并且有效地改善信噪比(SNR)。
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联华电子 晶圆 eFlash
抢在台积电之前，联电日前率先与合作伙伴美高森美(Microsemi)共同发布首款采用65奈米嵌入式快闪(Embedded Flash,eFlash)制程技术生产的现场可编程门阵列(FPGA)平台，让eFlash制程技术顺利迈入65奈米世代，对其未来进一步拓展汽车、工业、医疗及航天等半导体市场将大有帮助。
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联电 eFlash
现在，汽车行业的创新几乎完全由智能电子技术驱动，很多情况下这也是唯一可以实现新功能特性的途径。如今，一个装 ...
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MCU eFlash 汽车
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