- 1引言DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)制定的新生代内存技术标准,它与上一...
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DDR FPGA 接口 数据采集
- 利用50-40nm的工艺制程节点,NAND闪存密度已达到16 GB/D及超过2B/C多级单元(MLC)技术。尽管位元密度强劲增长,但是NAND闪存的编译能力一直停留在10MB/S范围内。由于数字内容需要的增长,公司更加重视改进NAND闪存装置的编译和读取性能,使其比特更高和性能更快,以满足消费者的需要。再加上存储产品价格急剧下降,高比特高性能已成为各个公司努力追求的方向。
2008年国际固态电路会议的论文和2007
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NAND 栅极感应 DDR MLC MLC
- 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款可满足 DDR、DDR2、 DDR3 与 DDR4 等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极/源极双数据速率 (DDR) 终端稳压器 TPS51200。该简便易用的新型稳压器的陶瓷输出电容仅为 20 μF,比同类竞争解决方案的电容降低了近 80%。这样,设计人员可利用该器件实现更低成本、更小型化的 DDR 存储器终端解决方案,以满足数字电视、机顶盒、VGA 卡、电信、数据通信、笔记本以及台式机电脑等现代大容量存储器电子产品以及日益丰富的消费类电子产品的需求。
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TI 稳压器 存储器 DDR
- Maxim推出用于DDR高速缓冲存储器电池备份的集成电源管理IC DS2731。该PMIC集成了单节Li+电池充电器、控制系统电源和电池电源切换的电源转换系统、以及用于“调节”DDR存储器电源的2MHz同步降压调节器。这种空前的高度集成特性省去了现有方案中15个以上的分立元件,从而节省了成本和空间。DS2731能够兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V电源,非常适合用于RAID服务器/系统存储卡、板载RAID (ROMB)以及板载模块化RAID
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Maxim DDR 存储器 电源管理 IC
- 实现数据的高速大容量存储是数据采集系统中的一项关键技术。本设计采用Altera公司Cyclone系列的FPGA完成了对DDR SDRAM的控制,以状态机来描述对DDR SDRAM的各种时序操作,设计了DDR SDRAM的数据与命令接口。用控制核来简化对DDR SDRAM的操作,并采用自顶至下模块化的设计方法,将控制核嵌入到整个数据采集系统的控制模块中,完成了数据的高速采集、存储及上传。使用开发软件Quartus II中内嵌的逻辑分析仪SignalTap II对控制器的工作流程进行了验证和调试。最终采集到的
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FPGA DDR SDRAM 数据采集
- 模拟市场正在茁壮成长,按照12%的年复增长率估算,将超过许多其他的数字IC市场。在这样的发展速度下,据预测,模拟市场将在2012年达到680亿美元,届时将实现近1390亿的出货量。亚太地区是模拟市场的最大消费区域,但设计和生产遍布在世界各地。
模拟市场是一个高度竞争的市场,一些供应商只关注特定的产品,而另一些则进行全面组合,以覆盖各个领域的特色模拟产品,事实上,新兴业务已经加速发展。模拟领域有大量的新业务出现,尤其是在研发新技术方面,但是进入这一领域的门槛依然很高,由于工程人才,渠道力量和全球实
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DDR 飞思卡尔 200802
- DRAM现货市场需求不佳,整体报价呈现下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度达7.8%,价格下跌至1.54美元。其余颗粒报价皆呈现微幅下跌,DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以来由于市场需求不振以及买卖双方抱持观望的态度,使得价格持续缓跌。然而当DDR2eTT价格跌破5月低点后,部分分销商及模块厂开始备货,使得现货价格出现反弹,间接带动了些许买气。而合约市场方面,由于现货价格快速下跌,加上PCOEM厂商已经备足旺季所需的库存水位,因此部份OEM厂商于9月上旬所谈妥的合约数量有砍单的动作。
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嵌入式系统 单片机 DRAM DDR DDR2 MCU和嵌入式微处理器
- 据国外媒体报道,所有想为自己电脑增加更多内存的人都赢得了来自DRAM行业的礼物--激烈竞争使得内存价格猛跌,行业分析师预测,DRAM价格还将进一步下降。 使用最广泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合约价格已比两周前下跌了12.5%,周二时跌至1.75美元,创下了DRAMeXchange今年记录的新低。DRAMeXchange公司运营一家对内存芯片进行网上交易的网站。 这条重大新闻将对用户产生三个重大影响:第一,DRAM价格下跌将增加惠普和戴尔这类电脑制
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嵌入式系统 单片机 DRAM DDR DDR2 存储器
- 针对当今电子系统对高速大容量内存的需要,本文阐述了使用DDR控制器IP核来设计实现DDR内存接口的方法。
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DDR 内存 接口的设计
- 2007年6月8日,全球领先的运动控制解决方案提供商——丹纳赫传动(Danaher Motion)公司宣布,其创新的Cartridge DDR™系列直接驱动旋转伺服电机(CDDR)新添三种小框架的新产品,因此,现共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五种框架尺寸的CDDR电机供应,每种尺寸各有四个铁心长度。CDDR是直接驱动技术中非常特别的一种,其特点在于采用预制零部件、完整的工厂对准型高分辨率反馈装置和独特的无轴承设计,确保可以在30分钟内实现即装即用,且没有维护成本。
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Cartridge DDR 丹纳赫 消费电子 消费电子
- 摘要: 本文采用LatticeXP系列FPGA结合IP解决DDR RAM的读写控制。并且在硬件上面进行了实际测试。关键词: 嵌入式系统;DDR RAM;FPGA;IP;LattcieXP
前言随着高速处理器的不断发展,嵌入式系统应用的领域越来越广泛,数字信号处理的规模也越来越大,系统中RAM规模不断增加,比如视频监控、图像数据采集等领域,图像处理的实时性对RAM带宽的要求不断增加,传统的SDRAM在带宽上已经逐渐无法满足应用要求,DDR SDRAM(双倍速率SDRAM)采用在时钟CL
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0702_A DDR FPGA IP LattcieXP RAM 单片机 嵌入式系统 杂志_设计天地 存储器
- DDR内存已成为系统DRAM的主要技术,而DDR系统的验证则是新的数字系统设计最具挑战性且费时的工作之一。逻辑分析仪是协助工程师验证这些系统的重要工具,但在成本与空间的限制下,逻辑分析仪探测技术变成了一个值得深思的问题。 理想上,DDR的可测试性应成为最终设计的一部份,以利于在测试台进行系统的验证,因为在整个产品生命周期中的工程设计与委外代工都会增加成本。然而碍于逻辑分析仪探测点的电气负载与空间需求,这种作法直到今天仍不可行。新的免接头式逻辑分析仪探测技术使DDR可测试性得以结合到产品的最初与最终
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DDR 测量 测试
- DDR(双数据速率)DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压,并需要等于电源电压一半的基准电压(VREF=VDD/2)。此外,各逻辑输出端都接一只电阻器,等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时,必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压,并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5~28V下工作。
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电源电路 DDR DRAM 存储器
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