- 1 引言 DDR3 SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）制定的全新下一代内存技术标准，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信号质量更好等优点，对于解决高速系统(例如某些高速图 像处理系统)设计中由于存储
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控制器 设计 SDRAM DDR3 Stratix III 基于 控制器
- 根据市场研究机构iSuppli的最新预测，DDR3(Double Data Rate 3)标准型内存将在2010年第2季成为产业主流，全球DRAM市场出货占比可望突破50%。
据国外媒体报道，以单位出货量计算，DDR3明年第2季的市占率将达50.9%，较今年第2季的14.2%大幅窜升。
iSuppli另预估，至2010年底，DDR3出货市占率将达到71%。
iSuppli分析师Mike Howard于报告中写道，DDR3的速度比DDR2快50%，耗电量则低30%。他强调：&ldquo
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DRAM 内存 DDR3
- 根据市场研究机构 iSuppli 的最新预测，DDR3 (Double Data Rate 3) 标准型内存将在 2010 年第 2 季成为产业主流，全球 DRAM 市场出货占比可望突破 50%。
以单位出货量计算，DDR3 明年第 2 季的市占率将达 50.9%，较今年第 2 季的 14.2% 大幅窜升。
iSuppli 另预估，至 2010 年底， DDR3 出货市占率将达到 71%。
iSuppli 分析师霍华 (Mike Howard) 于报告中写道，DDR3 的速度比 DD
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微处理器 DDR3 Nehalem
- 市场研究机构DIGITIMES Research指出，2007年以来，全球DRAM厂商在过度乐观的预期下，相继投入产能扩充竞赛，这也使得DRAM供过于求的阴影挥之不去;自此，DRAM价格持续下挫，过去八季中，除龙头厂商三星电子外，多数DRAM厂商也都难逃严重亏损的命运。
其中，德国DRAM制造商奇梦达更因不堪亏损，于2009年第一季宣布破产，自此退出DRAM市场。正因如此，新一代DRAM规格DDR3的推出，被视为全球DRAM产业再起的重要关键。
DIGITIMES Research指出，事
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奇梦达 DRAM DDR3
- 据台湾媒体报道，11月上旬动态随机存取内存(DRAM)合约价出炉，DDR2 1Gb与DDR3 1Gb颗粒合约均价皆大涨超过15%，DDR2 2Gb合约均价涨幅也达13.9%，预估11月下旬DDR2合约价可望持续攀高，以合约市场为主的南科、华亚科预估受惠较大。
集邦科技昨最新报价，11月上旬DDR2 1Gb颗粒合约均价达2.38美元，比10月下旬大涨15.53%;DDR3 1Gb颗粒合约均价达2.25美元，大涨15.98%。
另DDR2 2Gb合约均价从36美元上涨到41美元，涨幅达13.9
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南科 DRAM DDR2 DDR3
- 2009年DRAM产业没有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合约价持续大涨近20%，2GB DDR2模块甚至一度飙到50美元天价，足见PC OEM厂拉货力道没有休息迹象，DRAM厂为确保DDR2和DDR3买气同步增温，趁机向下游厂祭出搭售方式。DRAM厂认为，随着PC OEM厂第4季大量转进DDR3平台，未来DDR3现货及合约价将同步凌驾DDR2，而现货市场DDR3报价亦展开攻势，一举站上3美元大关。
DRAM价格11月上旬涨幅超乎预期，2GB DDR2模块涨势尤其猛烈，大涨19~21%，平均价
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DRAM DDR2 DDR3
- 茂德(ProMos)已和尔必达(Elpida)签署DRAM代工合约，尔必达将提供先进的制程技术与产品技术给茂德，茂德将以中科12寸晶圆厂提供尔必达DRAM代工服务。
茂德表示，代工服务以尔必达最先进的1G DDR3产品为主，预计2010年上半完成试产，2010年下半大量生产。此外，尔必达发言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月将使用多达3.5万片12寸晶圆为尔必达制造芯片，同时，采用65奈米制程技术。
茂德董事长暨总经理陈民良表示，尔必达在全球DRAM产业中以尖端制程技术的创新研发
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Elpida DRAM 晶圆 DDR3
- 根据调查，今年第三季，DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下，需求量激增，DDR3合约价在第三季大涨36%，现货价也在合约价的带动下上涨24%。DDR2方面，由于DDR3合约价格大涨，亦带动DDR2合约价格的涨势，且在第三季国际DRAM大厂转进DDR3相当积极，导致DDR2出货量减少效应持续发酵，部份PC OEM厂商亦已逆向操作增加DDR2的库存水位，使得本季DDR2合约价涨幅高达31%、现货价格涨幅亦高达30%，涨幅与DDR3不惶多让。
第三季各DRAM厂商营收在DDR3合约价
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三星 DRAM DDR3 DDR2
- 远东金士顿(Kingston)董事长蔡笃恭指出，目前PC OEM厂对于DDR2和DDR3货源都很缺，产业链库存水位不高，预计到2009年底前都没有淡季，展望2010年存储器产业，NAND Flash市场受惠终端应用多元化发展，包括手机应用起飞和固态硬碟(SSD)应用浮出水面，加上NAND Flash端的供应商有限，预计NAND Flash产业表现可优于DRAM产业，而DRAM产业供不应求偏向是短期产能不足，DRAM价格在2.5美元上下是健康的水位，对PC厂、DRAM厂双方是可接受的价位。
蔡笃恭
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Kingston 存储器 DDR2 DDR3
- 韩国海力士半导体预估，动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场将在第四季维持强劲，并指出合约价格可能在11月进一步扬升，12月时趋稳。
海力士公司主管在投资人电话会议中称，由于产业供应增长有限，2010年料出现DRAM短缺。
他们表示，低耗能的高速DDR3晶片将在明年第一季成为DRAM市场的主流。
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海力士 DRAM DDR3
- 台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科2009年第3季亏损均大幅缩小，并纷摩拳擦掌准备冲刺先进制程，其中，南亚科10月中已全数转换至 68纳米制程，首批50纳米产品已试产成功，目标2010年第2季全数转至50纳米制程，届时将全数出货2Gb DDR3芯片，赶搭DDR3主流列车;华亚科则预计2010年第1季50纳米制程量产，2010年底旗下13万片12寸晶圆厂产能全转至50纳米制程，南亚科和华亚科2010年资本支出合计将达640亿元，主要用于50纳米制程。
南亚科和华亚科第3季营运表现明显好转，对于先
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南亚科 DRAM 50纳米 DDR3 68纳米
- 随着DRAM价格开始反弹，南亚科和华亚科财报亏损金额大幅减少，南亚科发言人白培霖指出，11月DRAM合约价可持续成长，更看好PC市场因为Vista因素，累计整整3年未换机的能量，加上近2年DRAM产业都没有新产能开出，将在2010年出现供不应求的情况，甚至重演1995年DRAM产业的黄金年代，当时1年的DRAM产值超过400亿美元，达到史上最高纪录。
白培霖指出，2009年DRAM合约价从8月开始，每个月以成长20%的速度往上调，11月DRAM合约价可持续成长近2个月DDR3几乎是持平，主要涨幅
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南亚科 DRAM DDR3
- 据报道，海力士今天宣布了基于54nm工艺的第二代1Gb DDR3内存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分为256Mb X 4和128Mb X 8两种，并将会在本月开始投入量产。
此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V电压，但功耗降低了30%，号称是目前主流1Gb DDR3市场上性能最高的内存芯片。根据iSuppli的统计，1Gb DDR3内存芯片的市场份额已经达到了87%，更高密度的内存芯片将在2011年成为市场上的主流。
根据海力士的介绍，数据中心、服务器、超级计算机或
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海力士 内存芯片 54nm DDR3
- 据摩根斯坦利公司的分析师Frank Wang称，DDR2芯片的价格未来将继续上涨，并很有可能会超过DDR3芯片的售价，不过涨价期应该不会超过6个月，而DDR3芯片则将在这段时间内渐成市场主流。据Wang分析，驱动最近DDR2芯片价格上涨的主要因素是各大内存芯片厂商纷纷将产能转而投放到DDR3芯片的生产上。三星，海力士，尔必达以及镁光几家大厂均在积极抬高DDR3芯片的产能，同时压低DDR2芯片的产能。
尽管如此，如果中国大陆国庆节期间DDR2芯片的市场需求不如预期的强势，那么DDR2芯片的价格仍有
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DDR2 内存芯片 DDR3
- 三星公司半导体事业部总裁Oh-Hyun Kwon透露，三星公司正在逐步增加其DDR3内存芯片的产能，因此预计最近市场上出现的内存芯片供应紧张的局面很快便会有所缓解。据Kwon表示，最近市场对DDR3内存芯片的需求涨势很旺，甚至超过了三星的预期，为了满足市场的需求，三星准备增大DDR3芯片的产能，另外Kwon还宣称三星目前已经在使用40nm制程技术生产内存芯片产品，而明年40nm制程则将成为三星的主力制程。
另外Kwon还表示三星将主要通过制程技术升级等技术升级手段来达到增加产能的目的，他并称建造
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三星 内存芯片 DDR3
ddr3介绍
目录概述
设计
发展
DDR3内存的技术改进
概述
针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度 [
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