newsfactor.com：谷歌Android市场目前已有3.8万个应用程序
Android市场向企业开放仅仅几个月之后，这个移动应用程序市场就提供了3.8万多个移动应用程序。推出其开源软件Android操作系统市场的谷歌正在与苹果应用程序商店争夺人们的注意力。
有报道称，谷歌Android市场已经有5万个应用程序。但是，谷歌发言人Anthony House说，截止到4月15日，谷歌有3.8万多个应用程序。他不愿意对5万个应用程序的报道发表评论。
无论是3.8万还是5万个应用程序，
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AMD 嵌入式处理器 DDR3
AMD公司据称已经收到了首批Fusion集显处理器产品Ontario的试产样件。Ontario是Fusion集显处理器系列产品中专门面向上网本， 平板电脑以及其它低功耗设备的处理器。这款处理器将采用内部集成Bobcat架构双核x86处理器核心的设计，同时还将集成DX11级别集显核心和 DDR3内存控制器。不过从本质上讲，Ontario其实算是一款单芯片式的SOC产品。据Xbit labs网站的报道，Ontario芯片将会使用基于体硅的40nm制程工艺制作。
这款芯片的可能代工方将有Globalf
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AMD 处理器 DDR3
日本DRAM大厂尔必达今天宣布，已经成功开发出4Gbit容量DDR3内存颗粒。这是目前市场上DDR3颗粒的最大容量，只需单面8颗即可组成 4GB容量内存条，双面16颗即可构成单条8GB内存。该颗粒使用40nm CMOS工艺制造，相比同工艺的2Gb颗粒可节能30%。支持x4、x8、x16 bit位宽，其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装，x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外，还可支持1.35V低压标准。
尔必达计划将该颗粒使用在单条32
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尔必达 40nm CMOS DDR3
1Gb DDR2/DDR3内存芯片的现货价格最近双双上涨到了接近3美元的价位，显示目前内存芯片市场仍处于供不应求的紧张局面。据消息来源表示，造成这种局面 的原因主要是内存芯片厂商目前都在实施转产DDR3芯片的动作;另外一方面，由于PC厂商事先预计到了这种状况，因此这些厂商事先都采取了较大量订货的策 略，而这则进一步加剧了这种危机。
据DRAMeXchange统计，3月18日，打标和eTT(即经过芯片厂商完全测试，但没有打上原厂激光标记的芯片)1Gb DDR2芯片的价格分别上升了3.97%和4.3
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内存芯片 DDR3
三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日来台参加全球半导体联盟(GSA)论坛，吸引DRAM业者纷前来聆听龙头厂对景气风向球。权五铉表示，2010年下半DRAM价格可以维持稳定，未来DRAM业者不应一昧地追求价格和成本，而是要节制疯狂扩充产能;力晶董事长黄崇仁在现场亦举手建言，呼吁大家不要再乱投资扩产，要追求合理价格更胜于超额利润;此番台、韩存储器厂高层过招，成为整个论坛最大高潮。
权五铉16日在GSA论坛发表有关半导体市场及
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Samsung DRAM DDR3
随著各家DRAM厂加快脚步转进DDR3，对后段厂而言，封装产能利用率处于高档，然测试、预烧等相关产能则呈不足现象，各家封测厂上演抢机台戏码，希望能够尽量提前让机台进驻厂区，随著工作天数恢复正常，存储器封测厂3月接单热络，预期单月营收应可处于历史高档水平。
受惠于2010年存储器市场复苏，以及DDR2转换至DDR3速度加快，力成订单能见度延展至6~7月，华东也看到4月订单。整体产能利用率依旧维持满载，客户端需求非常强劲，产出速度还跟不上订单的脚步。尤其在测试部分，卡在测试机台供应不及，测试产能不足
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存储器 DRAM DDR3
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代产品降低35%，能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。
三星指出，目前服务器系统平均每路处理器搭配六条RDIMM内存条，总容量最大96GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，内存子系统功耗可达210W，换
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三星电子 40nm DDR3
镁光公司与其合作伙伴南亚公司最近公开展示了其合作开发的42nm制程2Gb DDR3内存芯片产品，双方并宣称下一代30nm制程级别的同类产品已经在镁光设在Boise的研发中心开始研制。
两家厂商预计将于今年第二季度开始42nm 2Gb DDR3内存芯片的试样生产，并将于今年下半年开始量产这种产品。
两家厂商宣称其42nm制程DDR3内存芯片产品的工作电压仅1.35V左右，比前代产品的1.5V工作电压低了不少，可节省30%电能。
这款42nm 2Gb
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镁光 内存芯片 DDR3
报道，威刚主席Simon Chen今天表示，随着DRAM制造商把重点放在DDR3芯片生产上，DDR2芯片的出货量将开始减少，其价格有望在今年下半年超过DDR3。
Simon Chen认为，DDR2在低端PC市场还是比较受欢迎。如果1Gb DDR2的价格低于2美元，那么它需求将会出现大幅度增长。
Simon Chen还表示，上游芯片供应商纷纷通过工艺升级的方式来加大DDR3芯片的产量，不过这种升级或许会因为其它设备的供应短缺而延缓。
根据DRAMeXchange的监测，1Gb DDR2
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DRAM DDR3 DDR2
三星电子宣布，全球第一颗采用30nm级别工艺的DDR3 DRAM内存芯片已经通过客户认证。注意这里说的是30nm级别工艺(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是说有可能是38nm 之类的。三星此前投产的3-bit MLC NAND、异步DDR 32Gb MLC NAND闪存芯片同样也是这种30nm级别的。
三星这种30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb，支持1.5V标 准电压和1.35V低电压，相比50nm工艺级可节省最多30%的功耗，因此又称为绿色内存(Gree
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三星电子 DRAM 30nm DDR3
在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。
但是，继春季温和复苏之后，DRAM供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三星走在前列，营业利润率为19%，营业收入达22亿美元，市场份额扩大到35.5%的最高水平。
DDR3来临
第三季度，下一代DRAM技术——DDR3看到希望，而且显然这种技术代表未来的一股潮流。iSuppli公司预测，DDR3出货量将在2010年第一季度超
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DRAM DDR3 DDR2
2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NAND Flash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而呈现下滑，但整体行情不看淡;模块厂认为，DDR3目前仍是缺货，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利润较高，另一方面DDR3短期会被DDR2价格带下来，但整体第1季DDR3供货仍相对吃紧。
存储器模块厂2009年交出丰厚的成绩单，创见、威刚都赚足1个股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
IDT 公司推出首款针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高精度温度传感器。新器件有助于企业、移动及嵌入式计算系统以最高效率运行，通过监测各子系统的温度来节省总电力，提高可靠性和性能。
全新的IDT温度传感器可测量计算子系统的局部温度，一旦温度上升超过预定水平，系统控制器就会通过控制系统带宽、调整内存刷新率或改变风扇速度进行响应。此外，如果温度达到临界点，新的IDT温度传感器可以触发一个子系统关闭，从而提高可靠性。IDT 的产品包括一个独立温度传感器(TS3000B3)，以及一
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IDT 传感器 DDR3
2009年DRAM 市场乌云笼罩，厂商艰难度过黑暗时期，终于守得云开见月明。春季温和复苏，夏季迎来光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。
三星走在前列，营业利润率为19%，营业收入达22 亿美元，市场份额扩大到35.5%的最高水平。
DDR3 来临
第三季度，下一代 DRAM 技术——DDR3 看到希望，而且显然这种技术代表未来的一股潮流。iSuppli 公司预测，DDR3 出货量将在2010 年第一季度超过DDR2。
三星在 DDR3
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DRAM DDR3
由于系统带宽不断的增加，因此针对更高的速度和性能，设计人员对存储技术进行了优化。下一代双数据速率（DDR）SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的优势。这些器件的功耗更低，能以更高的速度工作，有更高的性能（2倍的带宽），并有更大的密度。
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FPGA DDR3 存储器 控制器
ddr3介绍
目录概述
设计
发展
DDR3内存的技术改进
概述
针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度 [
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