据《苹果日报》援引匿名消息提供者的说法称，由于PC OEM厂商正在积极囤积库存，内存芯片厂商南亚公司计划四月份将其产品的价格提价5%。报道还称三星公司已经知会其客户称4月上半月将对旗下内存芯片产品涨价5-6%，2Gb密度DDR3内存芯片的合约价格有望爬升到2美元以上。
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内存芯片 DDR3
日本尔必达与台湾瑞晶公司近日发表联合声明称两家公司已经成功完成了4F2架构设计1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的试产，这次试产是由瑞晶的研发中心主导的。瑞晶的研发中心自去年开始正式运作，他们一直在和尔必达公司一起研发4F2 DRAM芯片产品。两家公司目前已经合力成功制造出了基于65nm设计准则的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片产品。
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尔必达 DDR3
DDR3存储器接口控制器IP核在视频数据处理中的应用,DDR3存储器系统可以大大提升各种数据处理应用的性能。然而，和过去几代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存储器器件有了一些新的要求。为了充分利用和发挥DDR3存储器的优点，使用一个高效且易于使用的DDR3存储器接口控制器
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视频 数据处理 应用 IP 控制器 存储器 接口 DDR3
采用90nm工艺制造的DDR3 SDRAM存储器架构支持总线速率为600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高带宽，工作电压低至1.5V，因此功耗小，存储密度更可高达2Gbits。该架构无疑速度更快，容量更大，单位比特的功耗更低，但问
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SDRAM FPGA DDR3 存储器
最近，内存颗粒的工艺进步速度非常快，最先进的30nm工艺甚至已经超过了处理器。在功耗与散热方面也有了长足的进步。
今天我们得到最新消息，继三星之后，尔必达也成功开发出采用30nm工艺的2Gb容量DDR3 SDRAM内存颗粒，并且核心面积和功耗都创下业界新纪录。
据了解，尔必达这种颗粒最高支持DDR3-1866频率，可以在1.35V低电压下实现1600MHz频率。同时，其工作电流相比同厂40nm产品工作电流降低15%，待机电流下降10%。
尔必达声称该内存颗粒是目前世界上体积最小的产品
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尔必达 DDR3 30nm
三星刚刚公布其量产8GB DDR3笔记本内存模组的消息，根据计划，三星将为笔记本和移动工作站生产SODIMM接口内存模块，该模块基于40纳米制程，1333MHz频率，1.5V电压，比上一代4GB DDR3模组节电53%，比1.8V DDR2节电67%。
这种模组最早将被提供到戴尔Precision M6500移动工作站上，如将插槽插满，共可容下32GB内存。
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三星 DDR3 40纳米
韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。据市调机构DRAMeXange统计，1Gb DDR3 9月初固定交易价格较15天前跌落10.60%至2.09美元，这是DDR3自2009年1月上市以来，固定交易价格最大跌幅。甫推出DDR3时，价格仅 在1美元在线，其后持续上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元线。
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海力士 DRAM DDR3
韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。
据市调机构DRAMeXange统计，1Gb DDR3 9月初固定交易价格较15天前跌落10.60%至2.09美元，这是DDR3自2009年1月上市以来，固定交易价格最大跌幅。甫推出DDR3时，价格仅在1美元在线，其后持续上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元线。DD
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海力士 DRAM DDR3
今年早些时候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3内存芯片的开发工作，而最近他们则宣布这款芯片产品已经进入批量生产阶段。这款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V电压条件下工作在1866MHz数据传输率下，加压到1.5V之后数据传输率则可提升至2133MHz，适用于 台式机，笔记本，服务器，上网本，移动设备的各种应用。
三星表示目前他们正在开发4Gb密度的30nm制程DDR3内存芯片产品，预计这款产品今年才会投入使用。
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三星 30nm DDR3
DDR3存储器系统可以大大提升各种数据处理应用的性能。然而，和过去几代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存储器器件...
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FPGA IP核 DDR3 数据处理
台湾媒体报道，茂德今天宣布，他们已在其台湾科技园中部的12寸晶圆厂使用尔必达 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工艺成功试产出了1Gb DDR3内存颗粒。首批测试结果显示，颗粒规格符合业界规范，并全面兼容PC、数码移动电子品应用。茂德今年三月份开始使用尔必达的63nm堆叠制程工艺试产DDR3颗粒，计划在今年三季度实现量产。到年底时，茂德每月为DDR3芯片生产提供的晶圆产量 将达到3.5万片。
茂德表示，他们预计将在明年下半年开始使用尔必达的45nm工艺进行生产，并计划在明年年底
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茂德 DDR3 内存
Automated DDR3 Analysis
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Quamtum-SI DDR3 仿真
DRAM价格走扬，带动全球第一季DRAM产值持续攀高至92.77亿美元，较去年第4季再成长6.9%;其中，南韩三星市占率达32.3%，稳居全球DRAM龙头宝座。
集邦科技表示，尽管第一季为DRAM产业传统淡季，不过，在电脑系统厂商担心下半年恐将缺货、积极储备安全库存下，带动第 1季DRAM市场需求淡季不淡，价格也持续走扬。
根据统计，第一季DDR3合约季均价上涨16%，现货季均价也上涨14%;DDR2产品方面，第1季合约季均价上涨5%，现货季均价则持平表现。
而在产品价格走扬，加上各
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三星 DRAM DDR3
顶级内存/闪存芯片厂商三星公司近日宣布由于Intel至强5600系列新处理器的出炉，刺激服务器厂商对DDR3内存的需求量大增，因此公司将增加 40nm制程DDR3内存芯片的产能。三星表示其40nm制程DDR3内存芯片产品的耗电量将比60nm制程产品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3内存芯片产品的型号主要有1Gb/2Gb/4Gb几种，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed内存条。
三星半导体公司的副总裁Jim Elliott表示：“当与
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三星 内存芯片 40nm DDR3
根据集邦科技公布价格，DDR3合约季均价与现货季均价继2009年第四季分别大涨40%与30%后，在2010年第一季分别续涨16%与 14%;DDR2合约季均价与现货季均价2009年第四季分别大涨61%与68%后，在2010年第一季淡季不淡，合约季均价续涨5%，现货季均价持平，持续维持在高档价格。
由于计算机系统厂商于第一季拉高DDR3的搭载比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供货吃紧。DDR2方面在现货市场需求仍大部份在DDR2，而DRAM厂快速转进至DDR3，使买方亦努力拉
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Samsung DRAM DDR3
ddr3介绍
目录概述
设计
发展
DDR3内存的技术改进
概述
针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度 [
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